2019年11月14日，中國深圳訊–全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社今日宣布，基于瑞薩獨有的SOTB?(Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋層覆硅)制程工藝的能量收集嵌入式微控制器(MCU)RE榮獲由全球電子技術領域知名媒體集團Aspencore評選出的2019年度MCU產(chǎn)品獎。該獎項此次共收到來自行業(yè)內(nèi)知名半導體供應商的100多款候選產(chǎn)品，通過Aspencore編輯的評估，挑選出10多款產(chǎn)品入圍，最終RE脫穎而出，獲得該產(chǎn)品獎。

瑞薩能量收集芯片RE采用了革命性SOTB制程工藝，該技術可幫助用戶同時實現(xiàn)低工作電流和待機電流，以及低壓下高速運行。瑞薩電子于10月31日正式發(fā)布的RE家族首個產(chǎn)品組RE01的32位CPU內(nèi)核使用戶能夠在環(huán)境能量場中(例如光、振動或液體流動)，為僅需微量能量的設備提供動力，從而實現(xiàn)智能功能。SOTB嵌入式控制器在生物監(jiān)測器或室外環(huán)境傳感應用中，可從信號數(shù)據(jù)中排除噪聲，使應用程序執(zhí)行高精度傳感和數(shù)據(jù)判斷。因為免除了大量應用中對電池維護的需求，為現(xiàn)實生活中實現(xiàn)萬物互聯(lián)提供了直接的幫助。

瑞薩電子株式會社高級副總裁，瑞薩電子中國董事長真岡朋光表示：“RE可以獲得此次年度MCU類產(chǎn)品獎，我們感到非常自豪?；赟OTB制程工藝的超低功耗功能非常適合用于物聯(lián)網(wǎng)領域。通過環(huán)境能源發(fā)電、以及傳感器與無線器件的組合，RE將為多種多樣的面向物聯(lián)網(wǎng)領域的應用開發(fā)做出貢獻?！?/span>

全球電子成就獎(WEAA)旨在表彰在全球電子工業(yè)創(chuàng)新和發(fā)展方面做出杰出貢獻的公司和個人。