意法半導(dǎo)體新MasterGaN功率芯片整合設(shè)計(jì)靈活性和先進(jìn)GaN技術(shù)
2026年3月17日,中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6 ,該功率系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的 BCD 柵極驅(qū)動(dòng)器和導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅140mΩ的高性能 GaN 功率晶體管。
依托意法半導(dǎo)體MasterGaN系列業(yè)已建立的高集成度優(yōu)勢(shì),MasterGaN6進(jìn)一步擴(kuò)大了產(chǎn)品功能,新增故障指示引腳與待機(jī)功能引腳。這些功能可以實(shí)現(xiàn)智能系統(tǒng)管理,提升節(jié)能省電效果,同時(shí)新產(chǎn)品還集成了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)和自舉二極管,在保證最優(yōu)驅(qū)動(dòng)性能的同時(shí)減少外圍元器件數(shù)量。
新驅(qū)動(dòng)器采用快速時(shí)序設(shè)計(jì),導(dǎo)通時(shí)間與傳輸延遲很短,支持高頻開關(guān)操作,幫助設(shè)計(jì)人員大幅縮小電路尺寸。此外,超快喚醒時(shí)間還提升突發(fā)模式運(yùn)行性能,在輕載工況下實(shí)現(xiàn)最佳能效。
MasterGaN6內(nèi)置全面的安全保護(hù)功能,包括交叉導(dǎo)通保護(hù)、熱關(guān)斷與欠壓鎖定,幫助工程師降低物料成本,縮小 PCB 面積,簡(jiǎn)化電路布局。
MasterGaN6最大輸出電流10A,面向消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用,包括充電器、適配器、照明電源和 DCAC 太陽(yáng)能微型逆變器。該產(chǎn)品的半橋配置適配多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如,有源鉗位反激(ACF)、諧振 LLC、反向降壓轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正(PFC)電路。
為方便設(shè)計(jì)人員快速評(píng)估新芯片,意法半導(dǎo)體推出了EVLMG6評(píng)估板,并將MasterGaN6納入 eDesignSuite PCB熱仿真工具的支持范圍內(nèi)。
MasterGaN6 現(xiàn)已量產(chǎn),采用 9mm×9mm 緊湊型 QFN 封裝。





