意法半導(dǎo)體與清華大學(xué)深圳研究生院達(dá)成建立長(zhǎng)期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。從2002年建立ASIC專用集成電路合作研究中心開(kāi)始,本戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂代表雙方的合作關(guān)系已進(jìn)入第二階段。意法半導(dǎo)體將在數(shù)字多媒體芯片和應(yīng)用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd,采用厚度為2.0mm的低外形封裝,其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的P
西班牙普萊默集團(tuán)日前就傳感技術(shù)研發(fā)中心及傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地的設(shè)立,和無(wú)錫新區(qū)簽約。據(jù)介紹,項(xiàng)目建成后瞄準(zhǔn)無(wú)錫地區(qū)規(guī)模最大的傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地這一目標(biāo)。普萊默集團(tuán)是一家擁有50多年歷史的跨國(guó)企業(yè),總部
新區(qū)正全力打造一個(gè)讓物聯(lián)網(wǎng)更“耳聰目明”的新產(chǎn)業(yè)——傳感器產(chǎn)業(yè)。截至6月14日,已有50余家國(guó)際知名傳感器企業(yè)在新區(qū)落戶,并形成了2億只的年生產(chǎn)規(guī)模,新區(qū)也由此成為國(guó)內(nèi)重要的傳感器生產(chǎn)基
瑞薩電子株式會(huì)社與Morpho公司日前共同開(kāi)發(fā)出可通過(guò)揮手、轉(zhuǎn)動(dòng)等直觀的手勢(shì)動(dòng)作控制電視等家電設(shè)備的人機(jī)交互技術(shù)。據(jù)介紹,為實(shí)現(xiàn)肢體動(dòng)作 控制電器的功能需要拍攝操作者的影像,并實(shí)時(shí)進(jìn)行復(fù)雜的圖像處理,例如:識(shí)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)一片旺季的榮景,IC測(cè)試廠京元電子目前LCD驅(qū)動(dòng)IC和邏輯IC測(cè)試產(chǎn)能利用率維持高檔水平,預(yù)期第3 季營(yíng)運(yùn)有機(jī)會(huì)逐月攀高,單月?tīng)I(yíng)收可望具有挑戰(zhàn)歷史新高的實(shí)力。惟因新產(chǎn)能的機(jī)臺(tái)交期遞延,加上基期墊高,
保利協(xié)鑫(GCL)旗 下太陽(yáng)能多晶硅廠徐州中能投入太陽(yáng)能硅晶圓領(lǐng)域后,開(kāi)始在合作的太陽(yáng)能電池廠旁建立切晶廠,為電池廠爭(zhēng)取運(yùn)送時(shí)間及減少庫(kù)存成本,成 為大陸太陽(yáng)能市場(chǎng)首創(chuàng)的實(shí)時(shí)生產(chǎn)(Just In Time;JIT)以提升競(jìng)爭(zhēng)
IC封測(cè)廠硅格(6257)日前股東會(huì)順利通過(guò)配發(fā)1.2元現(xiàn)金股利,該公司董事長(zhǎng)黃興陽(yáng)并在股東會(huì)上宣布調(diào)高今年度資本支出,他表示,由于公司現(xiàn)有廠房及設(shè)備均已不敷需求,因此今年度的資本支出也將從原先的規(guī)畫16.4億元提
法人圈昨(17)日盛傳封測(cè)大廠日月光(2311)將以換股方式,合并功率放大器(PA)測(cè)試廠全智科(3559),收購(gòu)價(jià)格約落在28元至30元,全智科昨日股價(jià)開(kāi)盤不久就放量攻上漲停。 不過(guò),日月光財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思已否認(rèn)有此
混合信號(hào)芯片大廠美商艾迪特科技(IDT)去年與晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)簽訂代工合約后,IDT已于2月完成對(duì)臺(tái)積電制程認(rèn)證,5月起正式下單,制程大于0.35微米產(chǎn)品下單臺(tái)積電Fab3,小于0.35微米產(chǎn)品則下單臺(tái)積電Fab8
思源科技(SpringSoft)宣布,Laker系統(tǒng)獲得臺(tái)積電(TSMC)開(kāi)發(fā)的28nm模擬與混合訊號(hào)(AMS)參考流程1.0認(rèn)證通過(guò)。將 Laker 系統(tǒng)整合在 TSMC 參考流程,產(chǎn)生具 LDE (layout dependent effect)認(rèn)知功能的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方法,可
臺(tái)積電(TSMC)新推出縮減尺寸的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫(kù),與目前的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫(kù)相較,能有效減少系統(tǒng)單芯片邏輯區(qū)塊15%的面積。該組件數(shù)據(jù)庫(kù)適用臺(tái)積電 65奈米低耗電制程與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)流程,芯片設(shè)計(jì)者可采用此新推出的縮減
在圖3.4中,接地環(huán)路的尺寸是1IN*3IN。這類探頭的接地導(dǎo)線典型的尺寸是美國(guó)線規(guī)(AWG)24,線徑為0.02IN。采用附錄C的電感計(jì)算公式,對(duì)于矩形回路,得到的電感應(yīng)該是:該電路的LC時(shí)間常數(shù)為:對(duì)于這類臨界阻尼雙極點(diǎn)
圖3.4中有一個(gè)與信號(hào)源相串聯(lián)的電阻,這個(gè)電阻可以作為任何門電路驅(qū)動(dòng)被測(cè)信號(hào)時(shí)的輸出阻抗的模型。對(duì)于TTL或高性能的CMOS驅(qū)動(dòng)器,這個(gè)源端阻抗大允為30歐。對(duì)于ECL系統(tǒng),輸出阻抗大約為10歐。LC電路的Q值,或者說(shuō)諧
當(dāng)采用常規(guī)的10:1示波器探頭測(cè)量數(shù)字設(shè)備時(shí),性能劣化的主要因素來(lái)源于其接地導(dǎo)線的自感。廠商提供的探頭性能指標(biāo),是將測(cè)試夾具直接連接到探頭頂尖和探頭外屏蔽層測(cè)量得到的數(shù)據(jù)。探頭帶寬的測(cè)量在沒(méi)有使用接地引線