新聞事件: 國際電聯(lián)批準(zhǔn)移動電話通用充電器標(biāo)準(zhǔn)事件影響: 減少移動電話充電器數(shù)量 減少移動電話充電對環(huán)境影響 使移動電話更加簡單易用據(jù)聯(lián)合國網(wǎng)站報道,作為減緩氣候變化的努力之一,國際電信聯(lián)盟10
IC設(shè)計商制程升級,由于臺積電65納米制程產(chǎn)能供不應(yīng)求、擴產(chǎn)不及,設(shè)備商傳出,競爭對手聯(lián)電適時推出低價策略,成功搶到臺積電前三大主力通訊客戶高通、博通與聯(lián)發(fā)科訂單,有機會讓聯(lián)電第四季營收從微減轉(zhuǎn)為持平,出
23日,中芯國際年度技術(shù)論壇被蘇州半導(dǎo)體博覽會拉去許多嘉賓,導(dǎo)致第一排十分冷清。不過,中芯國際總裁張汝京心情還是相當(dāng)好。演講結(jié)束后,他在會議室旁邊的階梯旁拍拍CBN記者的肩膀說,現(xiàn)在好多了,年底試產(chǎn)45納米的
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。 “我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測試”
1 引言高沖擊條件下的動態(tài)參數(shù)指標(biāo)對于現(xiàn)代武器系統(tǒng)的研制具有重要的現(xiàn)實意義。壓阻式加速度計具有線性度好、外圍電路簡單、抗過載能力強等優(yōu)點。因而成為高量程微加速度計設(shè)計的首選,廣泛用于沖擊、振動加速度的測
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。 “我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測試”
近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺合作,不僅與中芯國際攜手45納米先進制程,亦與無錫華潤上華結(jié)盟,針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出,IBM積極運用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出兩款可為 USB 端口提供電源與保護的集成型產(chǎn)品 TPS2500 與 TPS2501。該產(chǎn)品將升壓開關(guān)穩(wěn)壓器與板載限流開關(guān)進行完美結(jié)合,可顯著節(jié)省空間與成本,從而提供一個可滿足 1.8V ~ 5.25 V 輸入
特瑞仕半導(dǎo)體在業(yè)內(nèi)率先開發(fā)了采用CMOS工藝,用于GPS的1.6GHz LNA(低噪聲放大器)。目前大部分LNA產(chǎn)品皆是采用GaAs、SiGe工藝,但是,近年來隨著無線電儀器需求量的增加,LNA的制造工藝也從以往的技術(shù),向擁有充足生
研究機構(gòu)iSuppli表示,第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度,至少創(chuàng)下5年來之最。該機構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市,2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 據(jù)國外媒體報道,根據(jù)iSuppli初步預(yù)測,第3季全球DRAM銷售額季增35%,第2季則增
介紹了DDS技術(shù)的原理和特性,采用DDS芯片AD9833產(chǎn)生正弦波音階信號構(gòu)建音源發(fā)生器,給出了主要電路和關(guān)鍵程序。
據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報導(dǎo),市場傳出臺灣芯片代工廠臺積電擬合并太陽能電池廠新日光的消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺積電參與綠色能源產(chǎn)業(yè)較慢起步,最希望自己做,但也不排除并購的可能性,他并未直接針對新日
23日,中芯國際年度技術(shù)論壇被蘇州半導(dǎo)體博覽會拉去許多嘉賓,導(dǎo)致第一排十分冷清。不過,中芯國際總裁張汝京心情還是相當(dāng)好。演講結(jié)束后,他在會議室旁邊的階梯旁拍拍CBN記者的肩膀說,現(xiàn)在好多了,年底試產(chǎn)45納米的
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。“我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測
據(jù)國外媒體報道,知情人士透露,英特爾計劃于2011年推出支持USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)的芯片組,該日期晚于此前預(yù)期。當(dāng)前,USB 2.0的最高數(shù)據(jù)傳輸率為480Mbps,IEEE 1394B的最高傳輸速率為800Mbps,而USB 3.0的速度傳輸率高達5Gb