摘要：設計了一種帶溫度補償的無運放低壓帶隙基準電路。提出了同時產(chǎn)生帶隙基準電壓源和基準電流源的技術，通過改進帶隙基準電路中的帶隙負載結構以及基準核心電路，基準電壓和基準電流可以分別進行溫度補償。在0．5μmCMOS N阱工藝條件下，采用spectre進行模擬驗證。仿真結果表明，在3．3 V條件下，在-20～100℃范圍內(nèi)，帶隙基準電壓源和基準電流源的溫度系數(shù)分別為35．6 ppm／℃和37．8 ppm／  ℃，直流時的電源抑制比為-68 dB，基準源電路的供電電壓范圍為2．2～4．5V。
關鍵詞：基準電壓；基準電流；帶隙負載結構；溫度系數(shù)；電源抑制比

    帶隙基準源是集成電路中一個重要的單元模塊。目前，基準電壓源被廣泛應用在高精度比較器、A／D和D／A轉換器、動態(tài)隨機存取存儲器等集成電路中。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，具有低溫漂的基準電壓源與基準電流源越來越多地被要求設計在同一個集成電路中。傳統(tǒng)的帶隙基準源電路一般以產(chǎn)生低溫漂的基準電壓為設計目的，由于薄膜電阻阻值受溫度影響，并不能得到溫度特性較好的基準電流。
    本文結合低壓技術，利用薄膜電阻的正溫度系數(shù)對基準電流進行補償，通過改進帶隙基準電路中的帶隙負載結構對基準電壓進行補償，基準電壓和基準電流可以同時分別進行溫度補償。提出一種同時產(chǎn)生穩(wěn)定低壓基準電壓源和基準電流源的低功耗電路。此基準電路結構簡單、占用芯片面積小、功耗低，可以廣泛虛用于各種集成電路中。

1 傳統(tǒng)低電壓帶隙基準源
    圖1為傳統(tǒng)低壓帶隙基準電壓源的原理示意圖。雙極性晶體管的基極一發(fā)射極電壓Vbf，具有負溫度系數(shù)，當溫度為300 K時，其溫度系數(shù)一般為-1．5 mV／K。而熱電壓VT具有正的溫度系數(shù)，其溫度系數(shù)為+0．087 mV／K。由于運算放大器組成反饋環(huán)路，X點與Y點電壓相同，M點與N點電壓相同，電阻R1的壓降就等于Q1與Q2的電壓差△Vbe，輸出電流Iref與輸出電壓Vref可以分別表示為：
   
   
    選取合適的電阻比例(R2+R3)／R1，可以得到與溫度無關的基準電壓Vref，但是由于R2與R3的溫度系數(shù)TCR不為零，則不能得到與溫度不相關的電流Iref。

2 改進的低電壓帶隙基準負載結構
    由式(5)可得，要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關的基準電流I(T0)，電阻溫度系數(shù)TCR必須滿足：
   
    通過調(diào)整電阻的阻值可達到上式要求，但在這種情況下，式(2)中的基準電壓V(T0)就一定不與溫度零相關，為了產(chǎn)生在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關的基準電壓Iref，現(xiàn)引入了一種新的負載結構，圖1中的負載電阻R4可改成如圖2中R2的結構，基準電壓Vref可以表示為：
   
    由上可知，滿足式(7)時，可以得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度零相關的基準電流I(T0)，要得到在一定溫度范圍內(nèi)與溫度無關的基準電壓Vref，必須滿足：
   
    由于電壓Vbe的溫度系數(shù)室溫下為-1．5 mV／K，所以要選擇具有正溫度系數(shù)的電阻以滿足式(9)的要求。在CMOS工藝中的擴散電阻和阱電阻阻值是隨著溫度的升高而增大的，符合電路設計要求。

3 改進的無運放低電壓帶隙基準電路
   為了使電路的功耗進一步降低，提出了一種無運放低電壓基準電路，將圖2中的負載結構放入該基準電路中，得到如圖3中的改進的無運放帶隙基準電路，此電路中流過節(jié)點X和Y的電流分別為sI，s為常數(shù)，其大小可通過改變相關MOS管的寬長比調(diào)節(jié)，令流過管M3a與管M4a的電流均為sk1I，流過管M3b與管M4b的電流均為sk2I，可通過調(diào)節(jié)k1與k2的值來調(diào)節(jié)流過電阻R4的電流，改進的帶隙基準電路可以更好的調(diào)節(jié)電路中各支路電流的大小，從而可以更精確的得到需要的基準電流值和基準電壓值?；鶞孰娏鱅ref和基準電壓Vrer分別表示為：
   
    由式(10)和(11)可知，基準電壓Vref和基準電流Iref有不同的溫度補償方式，如果要求Vref和Iref同時與溫度零相關，必須滿足以下條件：
   
    式中VbG0約為1．25 V，對于設計所需要的基準電流值，根據(jù)式(15)可以更好地選擇薄膜電阻值的大小。

4 電路仿真結果
    本文設計的帶隙基準源的整體版圖如圖4所示。

    面積為148μm×120μm?；?．5μm CMOS工藝，通過spectre對圖3所示的電路進行仿真優(yōu)化。在電源電壓為3．3 V的條件下，溫度從-20～120℃變化時，得到圖5所示輸出電壓Vref隨溫度變化仿真曲線圖，溫度系數(shù)為35．6 ppm／℃。圖6是得到的輸出電流Iref隨溫度變化仿真曲線圖，溫度系數(shù)為37．8 ppm／℃。這說明了電路可以同時提供溫度補償?shù)牡蜏仄鶞孰妷汉突鶞孰娏??；鶞孰妷旱腜SRR特性如圖7所示，在直流情況下，PSRR為-68dB。

5 結語
    基于低電壓帶隙基準源的基本原理，提出一個可以同時提供溫度補償?shù)?strong>低壓基準電壓和基準電流的電路設計。設計中用具有正溫度系數(shù)的薄膜電阻對基準電流進行溫度補償，通過改進帶隙基準電路中的帶隙負載結構對基準電壓進行補償，同時得到了低溫漂的基準電流和基準電壓。仿真結果表明，在-20～120℃的溫度范圍內(nèi)，基準電壓和基準電流的溫度系數(shù)均小于40 ppm／℃，具有較好溫度特性，直流時的電源抑制比為-68 dB。此電路設計結構簡單，可以廣泛應用于各種集成電路中。