宜普電源轉換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應晶體管及集成電路的領先供應商，基于eGaN®FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器，而在接收端無論是采用什么標準，也可以實現(xiàn)無線充電。

我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無線充電應用中，如何選擇放大器的拓撲結構，從而滿足客戶在產品設計上的要求。

近年來，配備無線充電功能的消費產品推動了無線充電的快速發(fā)展。無線充電的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM頻段工作。共振式系統(tǒng)在該頻段允許高效率和高空間自由度，可同時對不同功率級的設備及對多個設備同時充電。在這些高頻率下，傳統(tǒng)的MOSFET技術已經接近其性能極限。作為硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增強型eGaN® FET的開關轉換速度在亞納秒范圍內，可以在高頻、高壓下工作，因此是無線電源應用的理想器件。

EPC的解決方案是在高度共振式無線功率系統(tǒng)、工作在6.78 MHz頻率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓撲結構、經過實驗驗證的比較，并且根據AirFuel™ Class 4標準，可對負載提供最大33 W的功率。實驗結果表明，在25°C環(huán)境溫度下，這兩種拓撲結構都使得放大器可以在整個功率負載范圍內實現(xiàn)超過85%的效率，而場效應晶體管(FET)并不會超過80%的額定電壓或超過100°C器件溫度。

EPC公司推出了第五代eGaN FET器件，包括EPC2046(200 V、RDS(on) 最大值為25 mΩ、55 A 脈沖輸出電流))和EPC2047eGaN FET (10 mΩ、200 V)，并備有開發(fā)板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持無線充電應用。