ROHM集團旗下藍碧石半導體面向需要高速高頻率的日志數(shù)據(jù)獲取和緊急時高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表/計量設(shè)備/醫(yī)療設(shè)備/金融終端等，開發(fā)出1Mbit鐵電存儲器(以下簡稱“FeRAM”注1)“/MR44V100A”，并即將于2017年12月開始量產(chǎn)銷售。

“”作為SPI注2總線產(chǎn)品，在1.8V～3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)均實現(xiàn)40MHz的高速工作。這使得該款產(chǎn)品作為大容量的1MbitFeRAM，在諸如不穩(wěn)定的電源環(huán)境下的電壓急劇下降時也可高速穩(wěn)定工作，其高速數(shù)據(jù)備份功能有助于提高配套應(yīng)用的可靠性。而“MR44V100A”作為不同的串行總線I2C注3總線產(chǎn)品，則非常適用于不需要速度的應(yīng)用。

另外，為了滿足移動應(yīng)用需求，改進了待機(待機)模式，同時還首次在藍碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式，以限制數(shù)據(jù)量增加導致的功耗増加。在1MbitFeRAM中分別實現(xiàn)了業(yè)界最小級別※的待機電流10μA(平均)和睡眠電流0.1μA(平均)，使產(chǎn)品還可用于重視電池驅(qū)動時間的支付終端和數(shù)據(jù)記錄儀等手持終端和移動設(shè)備/終端。

目前本LSI的樣品正在銷售中，預計于2017年12月開始量產(chǎn)并批量供貨。前期工序的生產(chǎn)基地為總部(日本京都)，后期工序的生產(chǎn)基地為ElectronicsPhilippines,Inc.(菲律賓)。

<背景>

非易失性存儲器FeRAM與EEPROM和FLASH存儲器等非易失性存儲器相比，具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”“耐擦寫性能優(yōu)異”“低功耗”等特點。

藍碧石半導體凝聚ROHM的鐵電存儲器制造技術(shù)和藍碧石的存儲器開發(fā)技術(shù)優(yōu)勢，從2011年開始致力于各種容量和接口的FeRAM開發(fā)。產(chǎn)品已被需要非易失且高速高頻率數(shù)據(jù)擦寫的多功能打印機、汽車配件、FA(FactoryAutomation)設(shè)備等廣為采用。

近年來，電子設(shè)備對于數(shù)據(jù)規(guī)模增加、更低功耗、移動應(yīng)用、瞬間停電等緊急情況下的數(shù)據(jù)安全性提升要求越來越高。藍碧石半導體為滿足這些需求，致力于實現(xiàn)更大容量、更寬電源電壓范圍和高速工作兼?zhèn)洹⒏凸?包括待機/休眠時在內(nèi))的產(chǎn)品，并成功開發(fā)出有望應(yīng)用到電池驅(qū)動的移動設(shè)備/終端等的FeRAM。

<特點>

1.可在1.8V～3.6V的更寬范圍內(nèi)40MHz工作

FeRAM與EEPROM、FLASH存儲器等非易失存儲器相比，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)擦寫并低電壓工作，因而具有即使在寫入過程中發(fā)生瞬間電壓下降或停電，數(shù)據(jù)丟失風險也較低的特點。

“”作為SPI總線產(chǎn)品，與藍碧石以往產(chǎn)品64KbitFeRAM“MR45V064B”同樣在1.8V～3.6V的整個電源電壓范圍內(nèi)確保40MHz工作，性能同等，但容量更大，達1Mbit。因而在要求高安全性的應(yīng)用中，可直接處理更大規(guī)模的數(shù)據(jù)。

2.作為大容量FeRAM，實現(xiàn)業(yè)界最小級別的待機/休眠電流

在電子設(shè)備中，低功耗要求越來越高，一般采用比如使系統(tǒng)運轉(zhuǎn)過程中無需工作的部件轉(zhuǎn)入低電流模式，以降低設(shè)備整體平均功耗等手法來實現(xiàn)低功耗。

在這種背景下，MR45V100A/MR44V100A通過以下特點來降低電子設(shè)備的系統(tǒng)功耗，抑制數(shù)據(jù)量增加導致的功耗増加。

①改進待機模式，實現(xiàn)1MbitFeRAM中業(yè)界最小級別的10μA待機電流

待機(Standby)模式時徹底關(guān)斷無需工作的電路的電源，當工作恢復時僅所需部分快速初始化，從而有效抑制住電流消耗。由此實現(xiàn)了平均10μA的1MbitFeRAM中業(yè)界最小級別※的待機電流。

②搭載睡眠模式，實現(xiàn)業(yè)界最小級別的0.1μA睡眠電流和最短睡眠模式恢復時間

※截至2017年11月藍碧石半導體調(diào)查數(shù)據(jù)

藍碧石首家搭載了比傳統(tǒng)待機(Standby)模式功耗低幾個數(shù)量級的的睡眠(休眠)模式，而且睡眠模式下的平均消耗電流僅為0.1μA，屬于業(yè)界最小級別※。不僅如此，從睡眠模式的恢復時間僅為100μs，為業(yè)界最短※，從而在希望休眠時間要短的應(yīng)用中也可適用睡眠模式。

【規(guī)格概要】

【銷售計劃】

-商品名：MR45V100A/MR44V100A

-樣品出售時間：樣品銷售中

-樣品價格(參考)：700日元(不含稅)

-量產(chǎn)出貨計劃：2017年12月開始

【應(yīng)用領(lǐng)域】

OA設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、廣播設(shè)備、汽車配件、醫(yī)療設(shè)備、電池驅(qū)動設(shè)備

【術(shù)語解說】

(注1)　FeRAM(FerroelectricRandomAccessMemory)

鐵電存儲器。一種即使斷電也可保存存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，存儲元件采用鐵電電容。具有高速數(shù)據(jù)擦寫、耐擦寫性能優(yōu)異、低功耗的特點。

(注2)　SPI(SerialPeripheralInterface)

一種使用3條線(時鐘線、輸入數(shù)據(jù)線、輸出數(shù)據(jù)線)進行通信的串行通信標準。數(shù)據(jù)格式和原理更簡單，因此可進行高速通信。

(注3)　I2C(Inter-IntegratedCircuits)

一種使用2條線(時鐘線和輸入輸出兼用數(shù)據(jù)線)進行通信的串行通信標準。因輸入輸出兼用而相應(yīng)引腳數(shù)較少，但速度不及SPI。