上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。

宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。閃存單元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上最小的單元尺寸，其卓越的性能還能支持最大到的SoC設(shè)計(jì)，在業(yè)內(nèi)十分具有競(jìng)爭(zhēng)力。

這一最小的單元同時(shí)還滿足了編程效率高和無過度擦除的需求，能讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)出更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的嵌入式閃存單元。此新技術(shù)還具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫10萬次，數(shù)據(jù)可保留100年。

宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程為客戶提供了兩種。Dual-gate特別適合SIM 的客戶，由于其光罩層數(shù)少，模塊尺寸小等優(yōu)勢(shì)，在市場(chǎng)上已經(jīng)成為性價(jià)比最高的。而Triple-gate適用于通用和低壓產(chǎn)品，應(yīng)用范圍廣泛，包括MCU、U盤、智能卡以及市場(chǎng)。

宏力半導(dǎo)體經(jīng)過大量生產(chǎn)驗(yàn)證的0.13微米嵌入式閃存制程與其0.13微米通用和低壓邏輯制程完全匹配，因此易于遷移。對(duì)客戶而言，良好的兼容特性保證了現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和IP能夠與新制程無縫銜接。

“自2008年起，宏力半導(dǎo)體已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬片0.18微米的嵌入式閃存晶圓，極小的單元尺寸和極少的光罩?jǐn)?shù)，在業(yè)內(nèi)極具優(yōu)勢(shì)，也讓宏力半導(dǎo)體宏力迅速在智能卡市場(chǎng)占據(jù)了份額。與此同時(shí)，我們還始終保持著95%以上的良率，因而贏得了客戶對(duì)我們的信賴。” 宏力半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)服務(wù)單位資深副總衛(wèi)彼得博士表示，“宏力半導(dǎo)體將于今年年底完成基于0.13微米節(jié)點(diǎn)的單元縮小的研發(fā)工作，這個(gè)全新且極具競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式閃存制程將針對(duì)高容量的產(chǎn)品應(yīng)用。”