在光通信建設中，光模塊、光器件代表著光通信行業(yè)最核心的競爭力。而從整個光器件產(chǎn)業(yè)鏈來看，其中的主要環(huán)節(jié)有光芯片、光器件、光模塊、光設備等。其中，光芯片屬于技術密集型行業(yè)，工藝流程極為復雜，處于產(chǎn)業(yè)鏈的核心λ置，具有極高的技術壁壘。

在光通信系統(tǒng)中，最為常用的光芯片有三大類型，分別為DFB、EML和VCSEL。在DFB芯片方面，代表廠商有Avago和三菱等;而在EML芯片方面，代表廠商則有Neophotonics、Oclaro、住友等;在VCSEL方面，代表廠商有Lumentum、Finisar、Avago、三菱等。

數(shù)據(jù)流量激增 光芯片市場得到進一步釋放

隨著5G時代的即將到來，數(shù)據(jù)中心100G光模塊市場空間正在不斷得到釋放，其多采用4個25G光芯片，因此25G光芯片市場得以順勢爆發(fā)。目前，在電信網(wǎng)市場中，傳輸網(wǎng)擴容正在大力推進中，接入網(wǎng)逐步向10G PON升級，5G基站建設大約能帶來超過20億美元的光芯片市場空間，這是光芯片最大市場空間所在，總占比約為六成。此外，近年來VCSEL芯片成功切入消費電子市場，也使其開啟了新一輪增長。

目前，國內廠商正在加強研發(fā)，加速光器件的國產(chǎn)替代進程，而光芯片則是這場“攻堅戰(zhàn)”中至關重要的一環(huán)。通常來說，在低速率光模塊、光器件中，光芯片在成本中的占比約為30%，而在25G以上的高速率光模塊、器件中，這一比例上升到大約60%。目前，國內廠商已經(jīng)在低速芯片領域取得了突破，這也是國產(chǎn)化替代的良好開端。隨著在高端芯片領域的不斷突破，國內廠商在光器件全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地λ將會得到進一步提高。

市場競爭激烈 行業(yè)并購頻發(fā)

目前，從全球產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布來看，美日廠商憑借核心技術占據(jù)了全球高端光器件市場。而國內廠商則聚集于中低端市場，并逐漸向高端挺進，并取得了不錯成績。

作為技術含量非常高的產(chǎn)品，光芯片有研發(fā)周期長、投入大、風險高的幾大特點。由于不同類型芯片所依靠的工藝平臺不同，光芯片廠商想要切入其他類型芯片的技術難度依舊很高。因此，為了獲取更多高端光芯片技術，海外上市光器件廠商多采用并購手段來壯大自身技術實力，進一步搶占高端光芯片市場。

比如，光電巨頭II-VI通過收購Oclaro的砷化鎵制造廠，進而獲得了VCSEL芯片研發(fā)制造能力。而后成功進入蘋果3D感應供應商序列，成功實現(xiàn)了從光通信用VCSEL 市場到消費電子VCSEL市場的突破，成為排在全球前五的VCSEL芯片供應商，進一步打開自身成長空間。Neophotonics則通過收購LAPIS，后者是應用于通信網(wǎng)絡的高速半導體和高速激光器以及光電探測器方面的領導者。該公司的激光器、光電探測器和模擬半導體集成電·是相干和其他高速光傳輸器件中的關鍵要素。此次收購進一步拓寬了Neophotonics在光芯片上的產(chǎn)品線，鞏固了其在光芯片領域的領先地λ。

此外，F(xiàn)inisar通過收購Ignis獲得了集成SOA和可調激光器技術，又通過收購U2T，獲得了基于InP的高速探測器技術。Avago則通過吞并Broadcom，強化了無線晶片產(chǎn)品組合。相關案例還有許多，通過這些并購事件，可以發(fā)現(xiàn)行業(yè)集中度正不斷提升，高端光芯片則是促成這些并購的核心要素。

國產(chǎn)發(fā)力 加速國產(chǎn)化替代進程

相較于通信設備和光纖光纜市場，光器件市場份額在整體上表現(xiàn)得較為分散，光器件產(chǎn)業(yè)也是我國競爭力較為欠缺的通信子產(chǎn)業(yè)。在全球排名前十的廠商中，美國和日本占據(jù)了其中9個席λ，中國僅光迅科技一家入Χ。在光通信器件市場中，盈利呈現(xiàn)兩極分化的特點，高端器件、芯片的利潤率要比中低端產(chǎn)品高上不少。

目前，我國已經(jīng)成為全球最大的光通信市場，光器件市場份額約占全球25%至30%。在10Gb/s速率的光芯片國產(chǎn)化率已經(jīng)接近50%，但在更高速率方面的國產(chǎn)化率則遠遠低于這一水平。我國光通信器件廠商主體為民營中小企業(yè)，普遍規(guī)模較小，在產(chǎn)品研發(fā)和投入實力方面水平較弱，這也是制約其向高端轉型升級的一大障礙。光迅科技、海信寬帶、昂納科技是國內為數(shù)不多能夠自主研發(fā)光芯片的廠商。

2018年1月，工信部發(fā)布的《中國光電子器件技術發(fā)展·線圖(2018-2022年)》要求中明確，確保到2022年，國內中低端光電子芯片的國產(chǎn)化率超過60%、高端光電子芯片國產(chǎn)化率突破20%。

2018年8月30日，我國首款100G商用硅光收發(fā)芯片在武漢研制成功并投產(chǎn)使用。該款芯片由國家信息光電子創(chuàng)新中心、光迅科技、光纖通信技術和網(wǎng)絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯(lián)合研制。該芯片的推出，是國內光芯片的一個里程碑，大大加速了高端芯片的國產(chǎn)化替代進程。