據(jù)外媒相關(guān)媒體近期報(bào)道，美國(guó)政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子計(jì)算機(jī)、3D 打印及 GAA 晶體管技術(shù)等在內(nèi)，這其中 GAA 晶體管技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的新一代技術(shù)關(guān)鍵，這意味著國(guó)內(nèi)不可能獲得國(guó)外技術(shù)授權(quán)了，好在國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體公司也早就認(rèn)識(shí)到技術(shù)研發(fā)要以自己為主，加大投資、吸引更多人才自主研發(fā)才是解決問(wèn)題的關(guān)鍵。

據(jù)報(bào)道，特朗普政府目前正在敲定一套 “縮小范圍” 的規(guī)則，以便更為具體地限制向中國(guó)及其他國(guó)家出口先進(jìn)技術(shù)。

這對(duì)美國(guó)的工業(yè)界來(lái)說(shuō)，或許是一個(gè)福音，因?yàn)樵撔袠I(yè)在過(guò)去很長(zhǎng)一段時(shí)間里，一直在擔(dān)憂美國(guó)政府對(duì)海外銷(xiāo)售的嚴(yán)厲打擊。

據(jù)悉，目前美國(guó)商務(wù)部正在制訂的新規(guī)則是基于 2018 年涉及量子計(jì)算和 3D 打印技術(shù)等產(chǎn)品的五項(xiàng)規(guī)則的進(jìn)一步完善。這項(xiàng)法規(guī)在去年被提出時(shí)，其目的就是避免敏感技術(shù)受到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的控制。

在起草新規(guī)則之前，美國(guó)商務(wù)部從去年開(kāi)始，就該法規(guī)可能涵蓋的包括人工智能、通信技術(shù)和機(jī)器人技術(shù)等眾多的高科技領(lǐng)域向業(yè)界征求評(píng)論。而來(lái)自各個(gè)高科技企業(yè)的回復(fù)，加劇了美國(guó)商務(wù)部對(duì)制定一套 “廣泛且嚴(yán)格” 的法規(guī)的擔(dān)憂，因?yàn)橐坏┬乱?guī)則涉及范圍廣泛將阻礙美國(guó)許多高科技企業(yè)的大量出口。

這或許從早些時(shí)候美國(guó)政府開(kāi)始發(fā)放允許向華為供貨的豁免許可上就得以體現(xiàn)。11 月 21 日，有媒體報(bào)道美國(guó)商務(wù)部批準(zhǔn)了從各公司收到的近 300 份許可申請(qǐng)中的大約四分之一，這些公司可以恢復(fù)與華為的貿(mào)易往來(lái)。這也是美國(guó)政府繼 11 月 18 日延長(zhǎng)對(duì)華為臨時(shí)銷(xiāo)售許可證 90 天之后的最新動(dòng)作。

對(duì)外披露的信息也表示，商務(wù)部正在完善的第一批規(guī)則中僅涉及將在法規(guī)生效之前向國(guó)際機(jī)構(gòu)提出的幾種技術(shù)，這對(duì)美國(guó)公司來(lái)說(shuō)是一個(gè)暫緩措施。

“根據(jù)新規(guī)則的標(biāo)題來(lái)看，這些條款似乎是為了應(yīng)對(duì)特定的國(guó)家安全問(wèn)題而量身定制的。這樣一來(lái)，就應(yīng)該可以大大緩解業(yè)內(nèi)人士對(duì)政府將對(duì)廣泛使用的技術(shù)實(shí)施控制的擔(dān)憂。” 前負(fù)責(zé)出口管理的商務(wù)助理部長(zhǎng)凱文 · 沃爾夫(Kevin Wolf)說(shuō)。

商務(wù)部目前拒絕證實(shí)任何的細(xì)節(jié)，但表示在審查過(guò)程中有許多擬議規(guī)則。

不過(guò)，我們?nèi)匀恍枰陀^冷靜地看待這項(xiàng)新規(guī)則。盡管如今有明顯的 “緩期執(zhí)行” 的意味，但美國(guó)商務(wù)部也可能會(huì)在未來(lái)發(fā)布更多的規(guī)則來(lái)管理高精尖科技產(chǎn)品在美國(guó)國(guó)外的銷(xiāo)售。該文件也未能概述何時(shí)公開(kāi)規(guī)則提案，或針對(duì)特定國(guó)家 / 地區(qū)、購(gòu)買(mǎi)者和用途的具體控制措施。

同時(shí)，為了避免業(yè)界公司對(duì)美國(guó)政府可能 “出爾反爾” 的不信任。這些新規(guī)定將提交國(guó)際機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)，以便在海外落實(shí)，而不只是由美國(guó)實(shí)施具體措施。該舉措應(yīng)該會(huì)增加美國(guó)企業(yè)對(duì)新規(guī)則的信任，也將為美國(guó)企業(yè)在海外建立一個(gè)公平的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境;但也需要更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)評(píng)估和實(shí)施，最早可能要等到 2021 年的年中。

而在 2020 年將迎來(lái)美國(guó)的“頂級(jí)選秀節(jié)目”——總統(tǒng)大選，下一任的美國(guó)政府將由哪個(gè)黨派領(lǐng)導(dǎo)還未有定論，因此這對(duì)于一項(xiàng)橫跨 2020 年的相關(guān)政策法規(guī)也是一個(gè)極大的“不確定因素”。

還有消息人士對(duì)外透露，預(yù)計(jì)美國(guó)商務(wù)部將在提交新規(guī)則之前再次征求業(yè)界的意見(jiàn)與建議。但這位消息人士還表示，涉及人工智能的新規(guī)則將直接在美國(guó)生效實(shí)行，而無(wú)需任何置評(píng)期。

在這些消息被相繼披露之際，共和黨與民主黨立法者因新規(guī)則實(shí)施緩慢，而挫敗感日盛。參議院少數(shù)黨領(lǐng)袖查克 · 舒默(Chuck Schumer)敦促美國(guó)商務(wù)部加快這一進(jìn)程。

但對(duì)新規(guī)則仍有許多不同的聲音，在共和黨參議院湯姆 · 科頓(Tom Cotton)給路透社提供的一份聲明中，他明確表示，“對(duì)美國(guó)商務(wù)部缺乏政治使命感而感到十分失望，并指責(zé)商務(wù)部缺乏對(duì)這些令人擔(dān)憂領(lǐng)域的緊迫性。”

根據(jù)不斷更新的消息顯示，美國(guó)商務(wù)部計(jì)劃對(duì)量子稀釋(Quantum diluted)冰箱的出口進(jìn)行管制，這些冰箱用于使某些量子設(shè)備中的元件保持低溫。生產(chǎn)該制冷設(shè)備的主要制造商包括英國(guó)的 ICE Oxford、芬蘭的 Bluefors 和美國(guó)的 Janis Research 公司。

該規(guī)則將適用于從美國(guó)出口的貨物，以及在國(guó)外制造的、包含大量美國(guó)技術(shù)或組件的物品的裝運(yùn)。有消息稱(chēng)，該規(guī)定已于 11 月 19 日發(fā)送給美國(guó)商務(wù)部的政策與戰(zhàn)略規(guī)劃辦公室，并附有另一項(xiàng)涉及爆炸物 3D 打印的規(guī)定。

另一項(xiàng)關(guān)于出口“環(huán)繞閘極(GAA)場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)”(用于制造半導(dǎo)體)的法規(guī)正在等待其他機(jī)構(gòu)在 12 月 5 日給予反饋意見(jiàn)。預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)將在臺(tái)積電、三星電子和英特爾公司正在開(kāi)發(fā)的新型的、更快的半導(dǎo)體中發(fā)揮重要作用。

此外，還有兩項(xiàng)關(guān)于化學(xué)用品以用于化學(xué)反應(yīng)的一次性實(shí)驗(yàn)設(shè)備的規(guī)則將發(fā)布，而這些化學(xué)用品和器材涉及用于制造俄羅斯神經(jīng)毒劑 Novichok 的反應(yīng)過(guò)程。

由此可見(jiàn)，盡管 12 月 13 日第一階段協(xié)議的達(dá)成對(duì)于中美經(jīng)貿(mào)關(guān)系，乃至世界經(jīng)濟(jì)形勢(shì)都是一個(gè)利好消息，讓美國(guó)和 A 股在上周都得以上漲。但打鐵仍需自身硬，中國(guó) 40 年改革開(kāi)放帶來(lái)的最大啟示——發(fā)展才是硬道理，無(wú)論什么時(shí)候，辦好自己的事情最重要。

最新消息稱(chēng)臺(tái)積電的 5nm 工藝良率已經(jīng)達(dá)到了 50%，比當(dāng)初 7nm 工藝試產(chǎn)之前還要好，最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能 5 萬(wàn)片，隨后將逐步增加到 7-8 萬(wàn)片。

不過(guò)初期 5nm 產(chǎn)能會(huì)被蘋(píng)果、華為包下，蘋(píng)果吃下了大約 70%的第一期 5nm 產(chǎn)能，AMD 的 Zen4 處理器要等到明年底或者 2021 年初的中科 Fab 18B 工廠量產(chǎn)之后才能拿到 5nm 產(chǎn)能了。

再往后，臺(tái)積電就要進(jìn)入深水區(qū)了，迎來(lái)晶體管結(jié)構(gòu)大改的 3nm 工藝，三星會(huì)啟用 GAE 環(huán)繞柵極晶體管取代目前的 FinFET 晶體管，臺(tái)積電預(yù)計(jì)也會(huì)有類(lèi)似的技術(shù)，不過(guò)官方并沒(méi)有透露詳細(xì)的技術(shù)細(xì)節(jié)。

對(duì)于 3nm 工藝，臺(tái)積電官方表示其進(jìn)展“令人欣慰”，言下之意對(duì) 3nm 工藝的發(fā)展情況很滿意。

在 3nm 工藝之后，臺(tái)積電也在積極進(jìn)軍 2nm 節(jié)點(diǎn)，這個(gè)工藝目前來(lái)說(shuō)還是在技術(shù)規(guī)劃階段，還是在開(kāi)發(fā)階段，臺(tái)積電只表示 2nm 工藝每天都有新點(diǎn)子問(wèn)世，不過(guò)這也意味著 2nm 工藝離完成研發(fā)還早，現(xiàn)在還是紙上談兵階段。

不過(guò)臺(tái)積電的目標(biāo)是 2024 年量產(chǎn) 2nm 工藝，也就是最多還有 4 年左右的時(shí)間。