[導(dǎo)讀]『中國家電網(wǎng)訊』記者獲悉,三菱電機半導(dǎo)體制作所與捷敏電子(合肥)有限公司達成合作,在肥建立生產(chǎn)基地。據(jù)了解,新建的合肥生產(chǎn)基地將成為三菱電機半導(dǎo)體制作所繼上海之后的中國第二個生產(chǎn)基地,主要為變頻空調(diào)、
『中國家電網(wǎng)訊』記者獲悉,三菱電機半導(dǎo)體制作所與捷敏電子(合肥)有限公司達成合作,在肥建立生產(chǎn)基地。據(jù)了解,新建的合肥生產(chǎn)基地將成為三菱電機半導(dǎo)體制作所繼上海之后的中國第二個生產(chǎn)基地,主要為變頻空調(diào)、冰箱、洗衣機等家電產(chǎn)品提供主要零件,預(yù)計今年12月將進行設(shè)備安裝,明年1月份試生產(chǎn)。
三菱電機是一家以重型電機系統(tǒng)、工業(yè)自動化系統(tǒng)、信息與通信系統(tǒng)、生活家電、電子器件等領(lǐng)域為中心,進行制造與生產(chǎn)的企業(yè)。其位于福岡的半導(dǎo)體制作所主要產(chǎn)品——功率半導(dǎo)體是組成節(jié)能產(chǎn)品的主要零件,其中,IGBT功率半導(dǎo)體居世界市場占有率的首位。
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近年來,日本制造業(yè)企業(yè)數(shù)據(jù)造假屢見不鮮。日本引以為傲的工匠精神也在不斷的造假風(fēng)波中走下神壇。
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三菱電機
機械制造
汽車
日本三菱電機公司(Mitsubishi Electric)20日就一系列檢查違規(guī)問題,公布了外部專家組成的調(diào)查委員會的最終報告,透露稱自今年5月公布第3份報告以后,在11個生產(chǎn)據(jù)點新發(fā)現(xiàn)了總計70起違規(guī)。累計違規(guī)數(shù)達到1...
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三菱電機
MITSUBISHI
IC
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長,尤其是在高功率時。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個問題...
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電力電子
MOSFET
IGBT
8月22日,A股收盤后,士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告,公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元,同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元,同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈...
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IGBT
士蘭微
PIM
2022中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(以下簡稱“智博會”)于2022年8月22日至24日召開。三菱電機(中國)有限公司(以下簡稱“三菱電機”)以“云發(fā)布”的形式亮相本屆智博會,這也是三菱電機第四次出展智博會。三菱電機株式會社執(zhí)...
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三菱電機
2022中國智博會
大數(shù)據(jù)
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機,因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作,以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動。...
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IGBT
低功率直流電機
在本系列的第 1 部分中,我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次,您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。
IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)...
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IGBT
IGBT驅(qū)動
IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件,它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點,在電壓電流轉(zhuǎn)換,電能輸出領(lǐng)域用的非常多,特別是在高壓大電流領(lǐng)域,IGBT占主導(dǎo)地位,是人類控制電能,利用電能的核心半...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET,的通用 IGBT 橫截面所示。(PT IGBT 有一個額外的 n+ 層,將在后面說明。)因此,IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
所謂PT(PunchThrough,穿通型),是指電場穿透了N-漂移區(qū),電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985),但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早,所以...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息,用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是,測試結(jié)果非常依賴于電路,尤其是寄...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息,用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是,測試結(jié)果非常依賴于電路,尤其是寄...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
一個等效的 IBGT 模型,其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果,熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻,是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測溫升。
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
與低功率同類產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...
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MOSFET
IGBT
冷卻系統(tǒng)
是德科技公司(NYSE:KEYS)近日宣布,發(fā)布具有增強功能的下一代雙脈沖測試儀(DPT)——功率動態(tài)參數(shù)分析儀PD1550A,使客戶能夠比以往更快、更簡單地測試功率模塊。是德科技提供先進的設(shè)計和驗證解決方案,旨在加速創(chuàng)...
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是德科技
功率半導(dǎo)體
功率動態(tài)參數(shù)分析儀
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力車輛開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機的設(shè)計具有較小的容積、較高的發(fā)動機轉(zhuǎn)速,并且能夠以較不濃的燃料混合物運行。
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IGBT
熱性能