LED半導體照明網訊 在經歷近十年的發(fā)展后，Glo的納米線LED定于明年年初進軍市場。盡管Glo生產的納米線LED已進入市場很長一段時間，但明年年初將可買到高亮度的納米線LED。在經歷近十年的研究后開發(fā)后，位于瑞典的隆德大學子機構Glo于2005年成立，而Glo的3D LED似乎已準備好挑戰(zhàn)現(xiàn)有的平面LED。

“客戶手頭已經有我們的產品，而我們期望在接下來幾個季度正式啟動”，美國Glo的首席技術官Nathan Gardner說道?！拔覀兤谕商峁┍绕矫嬖O備更好的綠色LED以及性能更高的藍色LED。接下來將是紅色的納米設備。因此，我們將完全依賴氮化半導體系統(tǒng)建立RGB方案?！?/p>

但是為什么會關注到納米線呢？相較傳統(tǒng)的平面LED的異質結構，這些垂直的3D結構具有若干優(yōu)勝之處。首先，在基片上安裝垂直的納米線可避免晶片壓力的累積（這種情通常在放置平面層時出現(xiàn)）。各種材料的膨脹系數之間的差異會導致裝配時晶格的不匹配，而有缺陷的晶片會降低設備的產能及性能。

更重要的是，由于有較大的面積體積比率，垂直結構可增加光線的輸出效率，并可與低成本大面積的硅襯底兼容。

正如Gardner所解釋，Glo的LED產品包括透過MOCVD在GaN（氮化鎵）／寶藍石模板上安裝的選擇區(qū)域增長膜上垂直排列的GaN納米線列。透過光刻及干蝕方法印在膜上的小孔可帶動納米線的生長。

二極管的實際結構包括M面sidewalls 的N型GaN納米電纜基InGaN活動區(qū)域。該活動區(qū)域下依次為p類AlGaN層、p類GaN層及重參雜p型GaN接觸層。

“TEM分析顯示n型GaN模板存在的錯位現(xiàn)象很少會傳導到納米線上”，他說道?！癧因此]該活動區(qū)域是安置在無缺陷的m面模板上?！?/p>