美國《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站2月28日報(bào)道 原題：經(jīng)過長時(shí)間研發(fā)，國防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達(dá))

美國國防工業(yè)及政府官員表示，新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。

美國國防部高級研究項(xiàng)目局負(fù)責(zé)微系統(tǒng)技術(shù)的副局長馬克·羅斯克表示，基于氮化鎵的電子芯片已經(jīng)達(dá)到了一定程度的可靠性和產(chǎn)量。這種新一代芯片將在很大程度上取代昔日的砷化鎵芯片，特別是在各種高性能的用途中。

他還指出，這種技術(shù)將會越來越成熟，甚至能最終幫助研制出功能更為強(qiáng)大的硬件。

來自克里、雷神等芯片制造商的業(yè)內(nèi)官員表示，向新型芯片的過渡進(jìn)程已經(jīng)開始。

洛克希德-馬丁公司采用這種新型芯片的雷達(dá)系統(tǒng)部負(fù)責(zé)研究項(xiàng)目的高級經(jīng)理湯姆·麥內(nèi)利斯認(rèn)為：“氮化鎵有望使芯片的價(jià)格更為合理、效率更高且系統(tǒng)性能更為強(qiáng)大。”

業(yè)內(nèi)及政府官員表示，與砷化鎵相比，這種新型技術(shù)將使芯片的生產(chǎn)成本、外形尺寸、功率及效率得到大大改進(jìn)。氮化鎵還可以具有比砷化鎵材料高出7倍的熱導(dǎo)率，這就意味著它的冷卻要求較低，但可以具有更大的功率。

總的來說，氮化鎵功率放大器對于手機(jī)電話基站、干擾發(fā)射臺、戰(zhàn)術(shù)射頻、衛(wèi)星通信站、配電系統(tǒng)以及軍用雷達(dá)系統(tǒng)等高輸出、高頻率設(shè)備特別有用。

然而，對于手機(jī)及其他低功率用途的設(shè)備來說，砷化鎵可能仍是最好的選擇，因?yàn)檫@種材料在這個功率水平上性能表現(xiàn)非常出色。

雷神公司研究氮化鎵技術(shù)的工程師柯林·惠蘭認(rèn)為，采用氮化鎵材料的主動電子掃描相控陣?yán)走_(dá)搜索能力相當(dāng)于類似尺寸砷化鎵雷達(dá)的5倍，或者說搜索范圍可以擴(kuò)大50%。甚至可以使雷達(dá)的尺寸縮小一半，但仍能具有更強(qiáng)大的性能。