四合一封裝產(chǎn)品集尺寸、重量、功率和成本優(yōu)勢(shì)與高RF生存性于一體

21IC訊 Qorvo, Inc.近日宣布推出針對(duì)下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達(dá)設(shè)計(jì)的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM)--- QPM2637 和 QPM1002。這些符合出口標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品也符合任務(wù)關(guān)鍵型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

預(yù)計(jì)到 2022 年，適合雷達(dá)應(yīng)用的 RF 前端組件的需求量將超過(guò) 10 億美元，未來(lái)五年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 9%。由于 GaN 普及率明顯超過(guò)其他技術(shù)選項(xiàng)，因此預(yù)計(jì)未來(lái)五年，國(guó)防應(yīng)用的 RF GaN 器件市場(chǎng)(如雷達(dá)、電子戰(zhàn)和通信)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 24%。

Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的創(chuàng)新 GaN 技術(shù)構(gòu)建，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時(shí)可縮減尺寸、重量和成本。

GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括 RF 開(kāi)關(guān)、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到 100mW 的輸入功率條件下都會(huì)受損，與之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的輸入功率，且不會(huì)造成永久損壞。

Qorvo 高性能解決方案總經(jīng)理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的 GaN 技術(shù)，客戶可解決許多 AESA 雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)相關(guān)挑戰(zhàn)，包括提高功率輸出和可靠性。新推出的 GaN 模塊符合出口要求，提升了我們交付最高級(jí)別集成產(chǎn)品(四合一產(chǎn)品)的能力，有助于客戶針對(duì)任務(wù)關(guān)鍵性雷達(dá)系統(tǒng)選擇尺寸最小但性能最高的 FEM。”

符合資格的客戶現(xiàn)在可索取這些符合 EAR99 出口要求的新產(chǎn)品樣品。