
自美方對中國進行制裁之后,越來越多的企業(yè)開始意識到人才隊伍建設(shè)的重要性。
長期以來,資本市場既是半導(dǎo)體行業(yè)資金融通的蓄水池,也是發(fā)展趨勢和行業(yè)景氣程度的風(fēng)向標(biāo)??苿?chuàng)板設(shè)立、創(chuàng)業(yè)板改革并試點注冊制等,進一步淡化了對于擬上市企業(yè)營收、凈利潤等指標(biāo)要求,更加強化和強調(diào)企業(yè)成長性、研發(fā)投入、自主創(chuàng)新能力、估值等指標(biāo),不再“凈利潤至上”,提升了資本市場對創(chuàng)新經(jīng)濟的包容度,成為加快半導(dǎo)體等硬科技產(chǎn)業(yè)與資本市場深度融合,引領(lǐng)經(jīng)濟發(fā)展向創(chuàng)新驅(qū)動轉(zhuǎn)型的重大舉措,也引發(fā)了大量優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體企業(yè)加快涌向資本市場。根據(jù)半導(dǎo)體企業(yè)申報IPO數(shù)據(jù),截止2021年7月13日,共有96家半導(dǎo)體企業(yè)準(zhǔn)備走向資本市場,覆蓋從開展上市輔導(dǎo)到已注冊等待上市全階段,主營業(yè)務(wù)包括從EDA及IP、材料設(shè)備、設(shè)計、制造到封測全產(chǎn)業(yè)鏈。從已公開的相關(guān)數(shù)據(jù),我們觀察到了如下信息:
雖然資本魔術(shù)越發(fā)讓人眼花繚亂,財報美容方法持續(xù)創(chuàng)新,但秘密都還在數(shù)字之中。為支持科技創(chuàng)新而設(shè)立的科創(chuàng)板,給半導(dǎo)體行業(yè)資本打了興奮劑,據(jù)《百家半導(dǎo)體企業(yè)沖刺IPO,能觀察到什么》,近期走上市流程的半導(dǎo)體公司接近百家,而芯片設(shè)計公司有60家,加上已經(jīng)上市的二十多家,將來滬深股市芯片設(shè)計業(yè)出現(xiàn)百家爭鳴不是幻象。
在盛陵海的預(yù)測中,到2025年,國內(nèi)半導(dǎo)體市場份額將比當(dāng)前(15%)翻一番,達到30%。而通過華為等頂級設(shè)備商認證后,也為本土芯片公司征戰(zhàn)海外市場做好了鋪墊,越來越多的本土芯片公司獲得了海外客戶設(shè)計立項的機會。
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于迭代升級的關(guān)鍵期,新技術(shù)、新領(lǐng)域不斷加速拓展,供需關(guān)系等關(guān)鍵因素進一步推動產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu),全球市場風(fēng)險機遇并存。
5月26日,Arm公司舉行產(chǎn)品發(fā)布會,發(fā)布多款產(chǎn)品,包括首批Armv9 Cortex CPU內(nèi)核、新款圖像處理器Mali內(nèi)核,以及互連技術(shù)CoreLink的最新版本。籍此“史上最大產(chǎn)品發(fā)布會”(Paul Williamson語)推出的系列產(chǎn)品,Arm也正式推出首款全面計算(total compute)解決方案,希望借助移動生態(tài)系統(tǒng)帶來的巨大規(guī)模優(yōu)勢,為開發(fā)者提供從IP、軟件到開發(fā)工具的全面解決方案,讓Arm技術(shù)在云計算中心、筆記本和臺式機,以及移動設(shè)備中無縫對接,在依靠半導(dǎo)體工藝升級提升性能程度日益走低的背景下,Arm也將帶動開發(fā)者更多地從系統(tǒng)角度來提升SoC(系統(tǒng)級芯片)性能,打造性能更優(yōu)、可擴展性更佳、安全性更一致的全面計算生態(tài)。
6月5日,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式,宣布英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式進入量產(chǎn)階段。該項目位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū),一期投資80億元,用地213畝,按當(dāng)前計劃,到2021年底,產(chǎn)能可達6000片每月。項目全部達產(chǎn)后,預(yù)計將實現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓,年產(chǎn)值120億元,利稅15億元以上。
“綜合各個預(yù)測機構(gòu)對今年成長的展望,基本上就是漲漲漲。預(yù)計今年全球半導(dǎo)體行業(yè)會有15-20%的增長,這個季度到下個季度增長20%是極有可能的,下半年零庫存會有一些放緩。全球半導(dǎo)體市場超過5000億美元,今年應(yīng)該可以達成,本來我們預(yù)測是明年或者后年,但是今年會到達一個新的里程碑。半導(dǎo)體非常有前途,成長快速而且會引領(lǐng)全球經(jīng)濟增長?!?/p>
半導(dǎo)體已經(jīng)進入原子級加工水平,在這個精度上進行半導(dǎo)體器件制造,需要集合50多個學(xué)科的知識與技術(shù)。而且,加工精度只是一個維度,良率對半導(dǎo)體制造生死攸關(guān),因此均勻性、穩(wěn)定性、重復(fù)性、可靠性和潔凈性都很重要,先進半導(dǎo)體加工環(huán)節(jié)超過1000個,哪個環(huán)節(jié)出了問題,都難以制造出符合產(chǎn)品性能與良率要求的芯片。
6月9日至11日,2021世界半導(dǎo)體大會暨南京國際半導(dǎo)體博覽會在南京國際博覽中心舉辦,金陣微電子技術(shù)有限公司(JLSemi 景略半導(dǎo)體)首席營銷官鄭聯(lián)群(Lance Zheng)和網(wǎng)絡(luò)ASIC 事業(yè)部總監(jiān)阮召崧(Michael Ruan)接受了探索科技(techsugar訪。
安森美半導(dǎo)體和艾邁斯半導(dǎo)體都用紅外技術(shù)和dToF測距;而Sense和艾邁斯半導(dǎo)體又不約而同采用了VCSEL;三家公司都采用面陣閃光;只有SiPM是個唯一,那就是安森美半導(dǎo)體。值得一提的是,安森美半導(dǎo)體的激光雷達探測器單點、線陣和面陣都有,客戶可以各取所需。
臺積電總裁魏哲家透露,升級版3nm(N3E)制程將于2023年第三季度量產(chǎn),預(yù)估今年3nm及升級版3nm將合計貢獻約4%-6%的營收。對此,有人提出質(zhì)疑,認為臺積電3nm工藝的性價比太低,或?qū)⒃獾娇蛻舻臈売谩?/p>
作為一家致力于為當(dāng)前及未來5G射頻設(shè)備打造經(jīng)濟高效測試解決方案的供應(yīng)商,泰瑞達正攜手集成設(shè)備制造商(IDM)、無晶圓半導(dǎo)體設(shè)計商(fabless)和半導(dǎo)體封測外包商(OSAT),共同搭建5G發(fā)展新生態(tài)。
縱觀AMD的發(fā)展歷史,多次落敗多次觸底反彈,看起來性價比是普通消費者的首選,但不管是“AMD YES”還是“Intel YES”,技術(shù)才是反敗為勝的鑰匙。
據(jù)中國臺灣《工商時報》等媒體報道,5月5日,鴻海精密(富士康)與國巨集團聯(lián)手,宣布成立國瀚半導(dǎo)體,新公司有望于第三季度開始運作。國瀚半導(dǎo)體將以半導(dǎo)體重鎮(zhèn)新竹作為基地,結(jié)合雙方的資源與優(yōu)勢,未來可與半導(dǎo)體大廠在產(chǎn)品設(shè)計、制程產(chǎn)能、銷售通路上展開多元合作,進一步構(gòu)建完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,初期目標(biāo)鎖定平均單價低于2美元的功率、模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品,簡稱小IC,目前正和多家世界級半導(dǎo)體公司展開討論,近期將宣布相關(guān)半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作案例。
工業(yè)4.0時代,無論是發(fā)展智能化工廠,還是構(gòu)建萬物互聯(lián)體系,半導(dǎo)體將會在未來成為世界爭奪的科技要地。探索科技(techsugar)此前文章提及,一直以來傲慢的美國開始敦促臺積電等在美國建廠,一方面反映了美國人對失去芯片制程技術(shù)主控優(yōu)勢的焦慮,一方面也透視出未來芯片產(chǎn)能或?qū)⒊蔀閲抑g較量的重要武器之一。而今全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈大部分集中在歐美國家,歐洲的ASML、ARM、意法半導(dǎo)體,美國的英特爾、高通、AMD等,其中掌握高端芯片制造技術(shù)的企業(yè)卻是寥寥。芯片代工廠每年需要向這些企業(yè)輸送大量產(chǎn)能,去年第四季度左右開始的缺貨潮便直接引爆晶圓代工廠產(chǎn)能供需問題。
這是極海第三次參加慕尼黑電子展,據(jù)曾豪向探索科技(techsugar)介紹,極海本次重點展示了應(yīng)用于中高端工業(yè)領(lǐng)域的32位通用MCU及安全主控SoC芯片產(chǎn)品;另外,面對不斷涌現(xiàn)的產(chǎn)業(yè)需求,極海推出了面向不同應(yīng)用方向的服務(wù)方案。在產(chǎn)品運營上,極海建立一站式的MCU/SoC技術(shù)平臺,打造敏捷的產(chǎn)品供應(yīng)平臺。
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。
碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性,因此其在工藝設(shè)計上有很多難點。相較于第一代半導(dǎo)體——硅,碳化硅的硬度非常大,其材料硬度為9.5,僅次于金剛石。這就意味著碳化硅的切割難度非常大,在做刻蝕、溝槽等工藝流程時難度很大。在磨削加工時也很容易引起材料脆性斷裂或產(chǎn)生嚴重表面損傷,影響加工的精度。如何攻克碳化硅技術(shù)難點對提高生產(chǎn)效率,減少成本有很大意義。