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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實證明P1
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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實證明P1
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Intel有望2013年引入14nm工藝 5nm工藝七年后駕到
在本屆IDF上，Intel高管MarkBohr對他們的14nm工藝進程進行了介紹，并闡述了公司近年來工作制程的發(fā)展。據(jù)悉，Intel有望在2013年晚些時候引入14nm工藝——P1272，以滿足下一代Broadwell大批量生產(chǎn)。事實上，
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr向與會的記著和專家們重點闡述了Intel在過去幾年以及未來幾年在制成工藝上的總結和展望。從公布的PPT來看，Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、
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單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應用
1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應用進行簡要介紹。單色光LED最早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應用
1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應用進行簡要介紹。單色光LED最早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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富士通半導體交付55nm創(chuàng)新方案
解本土IC設計之“渴”近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少
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富士通半導體交付55nm創(chuàng)新方案
富士通半導體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設計之“渴” 近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導體(MStar)宣布合并?！癕兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸
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富士通半導體交付55nm創(chuàng)新方案，解本土IC設計之“渴”
近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導體（MStar）宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設計公司
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如何提高G652D光纖宏彎損耗測試效率
光纖宏彎損耗測試，在國家標準GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應不超過0.1dB。而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈
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英特爾開始7nm和5nm制程工藝研究
英特爾制程工藝路線圖。北京時間5月17日消息，英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開始對7納米和5納米制程技術的研究。此外，英特爾目前計劃在美國俄勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的工廠中部
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
IntelCEOPaulOtellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年?！卑凑章肪€圖，2
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm制程
Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年?！卑凑章肪€圖
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年。”
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年。”
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
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中芯國際：2013年中28nm工藝基本完成
問：貴公司的工藝計劃是什么？ 答：在先進制程方面，中芯也有人也在自問：我們是不是不再搞先進工藝？這是不對的。先進工藝我們還要搞，28nm正在做，準備在2013年第二季度末、第三季度初就把28nm工藝基本完成。然后
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臺積電：10年內微縮至5nm沒問題
摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨，將是半導體產(chǎn)業(yè)兩項大革命，全球半導體廠都在思索未來趨勢，臺積電技術長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆
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光纖宏彎損耗測試方法介紹
光纖宏彎損耗測試，在國家標準GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應不超過0.1dB。 而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替
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