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力旺加速布局65/55nm制程 攻高階CE市場(chǎng)
力旺電子(eMemory)日前宣布，其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過(guò)可靠度驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)階段；另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步
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力旺加速布局65/55nm制程 攻高階CE市場(chǎng)
力旺電子(eMemory)日前宣布，其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過(guò)可靠度驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步
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55nm創(chuàng)新工藝震動(dòng)消費(fèi)類終端ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)市場(chǎng)
近日，在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)上，富士通半導(dǎo)體宣布其ASIC/COT業(yè)務(wù)部將在明年陸續(xù)推出兩套創(chuàng)新的55nm標(biāo)準(zhǔn)單元，可幫助中國(guó)便攜消費(fèi)類終端IC設(shè)計(jì)公司以65nm的成本水平實(shí)現(xiàn)功耗大幅降
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55nm創(chuàng)新工藝震動(dòng)消費(fèi)類終端ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)市場(chǎng)
兼容65nm IP、功耗大幅降低堪比40nm，富士通半導(dǎo)體ASIC/COT業(yè)務(wù)部明年將推出兩套創(chuàng)新的55nm工藝模型，對(duì)成本、上市時(shí)間和功耗極其敏感的消費(fèi)終端ASIC設(shè)計(jì)意義重大。近日，在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路
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55nm創(chuàng)新工藝震動(dòng)消費(fèi)類終端ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)市場(chǎng)
兼容65nm IP、功耗大幅降低堪比40nm，富士通半導(dǎo)體ASIC/COT業(yè)務(wù)部明年將推出兩套創(chuàng)新的55nm工藝模型，對(duì)成本、上市時(shí)間和功耗極其敏感的消費(fèi)終端ASIC設(shè)計(jì)意義重大。近日，在西安舉辦的2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路
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世界最小！爾必達(dá)已量產(chǎn)25nm內(nèi)存芯片
近日如同計(jì)劃中的一樣，日本企業(yè)爾必達(dá)成功在七月份完成了25nm內(nèi)存顆粒產(chǎn)品的生產(chǎn)。它們也因此生產(chǎn)出了世界上最小的DDR3芯片，2Gb 1866MHz頻率的顆粒，電壓為1.35V或1.5V。 爾必達(dá)表示，2Gb 25nm內(nèi)存芯片要比當(dāng)
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很炫改裝Golf R酷裝登場(chǎng)
Siemoneit Racing近日發(fā)布了一套針對(duì)大眾高爾夫R開(kāi)發(fā)的全新性能增強(qiáng)套件。為了讓高爾夫R擁有更為強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)性，他們?yōu)槠涓鼡Q了全新的進(jìn)氣(449歐元)，重新制定的ECU和一副不銹鋼運(yùn)動(dòng)排氣系統(tǒng)。得益于此，該車引擎輸出
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NVIDIA遭遇滑鐵盧 Intel 48億發(fā)展15nm
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Intel計(jì)劃將對(duì)以色列南部的芯片制造廠Fab 28進(jìn)行技術(shù)改造，目前正向當(dāng)?shù)卣暾?qǐng)部分補(bǔ)貼。 以色列工業(yè)和貿(mào)易部表示，Intel將投資48億美元對(duì)Fab 28制造廠進(jìn)行技術(shù)改造以進(jìn)行15nm制程芯片的生產(chǎn)工作
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IBM晶圓篩選技術(shù)可降低15%生產(chǎn)成本
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)成立的半導(dǎo)體研究公司(Semiconductor Research Corp.)，最近提出一種新的芯片制程篩選技術(shù)，據(jù)稱可降低15%的芯片生產(chǎn)成本，并將每芯片收益提升最多達(dá)12%。 目前，這種新的篩選技術(shù)正由
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IBM晶圓篩選技術(shù)降低15%晶片生產(chǎn)成本
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)成立的半導(dǎo)體研究公司(Semiconductor Research Corp.)，最近提出一種新的晶片制程篩選技術(shù)，據(jù)稱可降低15%的晶片生產(chǎn)成本，并將每晶片收益提升最多達(dá)12%。 目前，這種新的篩選技術(shù)正由IBM公
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爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)
日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過(guò)小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來(lái)應(yīng)對(duì)
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爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)
日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過(guò)小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日
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Calibre方案助力上海華力65/45nm工藝研發(fā)生產(chǎn)
明導(dǎo)國(guó)際日前宣布，由中國(guó)政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹（集團(tuán)）有限公司、上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采用了Calibre RET和
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泰鼎機(jī)頂盒SoC被選用于下一代廣播電視試部署
機(jī)頂盒和電視半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商泰鼎微系統(tǒng)(NASDAQ: TRID)日前宣布，其機(jī)頂盒片上系統(tǒng) (SoC) 將驅(qū)動(dòng)中國(guó)下一代廣播電視 (Next Generation Broadcasting, NGB) 首批部署試點(diǎn)之一。這再次印證了泰鼎致力于把最
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Calibre方案助力上海華力65/45nm工藝研發(fā)生產(chǎn)
明導(dǎo)國(guó)際日前宣布，由中國(guó)政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹（集團(tuán)）有限公司、上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采用了Calibre RET和
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銳迪科微電子與中芯國(guó)際達(dá)成高端 55nm 量產(chǎn)里程碑
上海和新竹2011年3月9日電 /美通社亞洲/ -- 銳迪科微電子（Nasdaq：RDA），中國(guó)最領(lǐng)先的射頻 IC公司，與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約證券交易所：SMI 和香港聯(lián)交所：0981.HK）今天共同宣布銳
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銳迪科RDA5802N芯片采用中芯國(guó)際達(dá)55nm低漏電工藝平臺(tái)
銳迪科微電子中國(guó)射頻IC公司與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”)日前共同宣布銳迪科RDA5802N調(diào)頻接收器(RF Receiver)芯片，一個(gè)采用中芯國(guó)際的55納米低漏電(LL)工藝平臺(tái)以及寅通科技IP解決方案的產(chǎn)品已于日
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半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對(duì)于邏輯電路，STMicro的ThomasSkotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理
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半導(dǎo)體技術(shù)評(píng)析：通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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美光基于25nm閃存的SSD助筆記本電腦實(shí)現(xiàn)更輕薄體驗(yàn)
關(guān)鍵字： 25nm 閃存 固態(tài)硬盤 C400 輕薄便攜的筆記本電腦正在成為時(shí)下的市場(chǎng)潮流，這種
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