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2015年15nm GF將用EUV光刻技術(shù)造芯片
在最近的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries公司對外宣布，將會在15nm制程時開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。Global Foundries公司高級副總裁Greg Bartlett表示，在紐約Fab 8工廠建成之后的2012
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英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)
LSI的基本元件CMOS晶體管長期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點(diǎn)。全球最大代工廠商臺積電（TSMC）于今年夏季動工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體
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英特爾25nm閃存量產(chǎn) 演繹新固態(tài)硬盤時代
據(jù)國外媒體報道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費(fèi)者供貨。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二
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英特爾25nm閃存量產(chǎn)演繹新固態(tài)硬盤時代
據(jù)國外媒體報道，英特爾證實(shí)它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費(fèi)者供貨。IMFT（Intel-MicronFlashTechnologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二月
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Kilopass完成臺積電認(rèn)證
半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財（IP）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass Technology Inc.宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程（OTP）非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)率先在臺積電40nm及45nm低功率制程技術(shù)中完成臺積電IP-9000 Level 4
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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ST發(fā)布55nm嵌入式閃存制造工藝
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前，意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級換代工作
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美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND
在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
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三星賽靈思共同宣布45nm Spartan-6全面量產(chǎn)供貨
三星電子有限公司和全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司共同宣布，賽靈思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星電子旗下晶圓代工廠三星代工（Samsung Foundry）的 45nm 工藝技術(shù)的全面生產(chǎn)認(rèn)證。這種先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)技
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Intel、IBM 22/15nm制程部分關(guān)鍵制造技術(shù)前瞻
半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個問題，業(yè)界已經(jīng)討論了很久?，F(xiàn)在，決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點(diǎn)即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發(fā)展方式上會有
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美國應(yīng)用材料發(fā)布面向45nm以后工藝的激光退火裝置
美國應(yīng)用材料公司（Applied Materials）發(fā)布了能夠以ms為單位進(jìn)行退火的激光退火裝置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工藝以后邏輯LSI的鎳硅（NiSi）接觸時使用。臺灣臺積電（Taiwan Semiconductor Manufa
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中芯國際深圳8/12英寸廠舉行完工慶典
剛剛從與臺積電的專利官司漩渦中脫身，大陸芯片廠商中芯國際旗下兩座深圳芯片廠便于日前舉行了完工慶典，這兩間工廠分別具備200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生產(chǎn)能力.中芯公司新任CEO王寧國還參加了于11月19日舉辦的這
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中芯國際45nm制程今年12月試產(chǎn)
“中芯國際第一個45nm產(chǎn)品今年12月試產(chǎn)。”中芯國際總裁兼執(zhí)行長張汝京在10月23日上海舉辦的第九屆技術(shù)研討會上透露，“中芯深圳的200mm生產(chǎn)廠今年年底將建設(shè)好，明年第一季度設(shè)備進(jìn)場，安裝調(diào)試，第二季度開始試產(chǎn)。
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解放60GHz，無線市場將發(fā)生巨大變化
坦白說，我在幾年前一點(diǎn)也不推崇60GHz無線通信技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)存在著嚴(yán)重的信號衰減問題，其設(shè)計(jì)也具有相當(dāng)程度的不確定性，所以我當(dāng)時認(rèn)為超寬帶(UWB)無線技術(shù)應(yīng)該能輕易打敗這項(xiàng)技術(shù)，成功上市。 即使60GHz技術(shù)在理
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解放60GHz，無線市場將迎來巨大變化
坦白說，我在幾年前一點(diǎn)也不推崇60GHz無線通信技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)存在著嚴(yán)重的信號衰減問題，其設(shè)計(jì)也具有相當(dāng)程度的不確定性，所以我當(dāng)時認(rèn)為超寬帶(UWB)無線技術(shù)應(yīng)該能輕易打敗這項(xiàng)技術(shù)，成功上市。 即使60GHz技術(shù)在理
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