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通向14/15nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)
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寅通科技(Innopower)實(shí)現(xiàn)卓越業(yè)務(wù)里程碑
2010年重要的里程碑和成就自2009年12月IP業(yè)務(wù)從智原科技轉(zhuǎn)移出來后，已有超過75個(gè)新的licensee被添加到寅通科技的客戶群。2009年12月以來，已創(chuàng)建超過6個(gè)新的65/55nm平臺IP解決方案。這些IP在超過6家65/55nm的Fou
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通向14nm和5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，
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通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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通向14nm、5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的挑戰(zhàn)
當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Muk
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25nm閃存固態(tài)硬盤容量縮水問題浮現(xiàn)
制造工藝的更新?lián)Q代可以給閃存帶來性能提升和成本的下降，這在玩家心目中幾乎是公認(rèn)的事實(shí)。然而大多數(shù)人可能忽略了事情的另一面，即閃存制造工藝升級帶來的壽命問題。隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，NAND閃存的可靠性會(huì)明
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中低密度FPGA需求巨大
為了實(shí)現(xiàn)FPGA進(jìn)入有線/無線網(wǎng)絡(luò)核心高容量市場的應(yīng)用，賽靈思推出了創(chuàng)新的SSI（堆疊硅片互聯(lián)）技術(shù)將多顆FPGA芯片封裝在一起以擴(kuò)大目前最先進(jìn)工藝（28nm）下FPGA的容量；但是另方面，低密度的FPGA也仍是非常受歡迎，
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Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃是否會(huì)按部就班？
按ITRS工藝路線圖，在2009年進(jìn)入32納米，英特爾做到了。但是實(shí)現(xiàn)工藝，出產(chǎn)樣品，到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時(shí)間。按英特爾計(jì)劃，2011 Q1時(shí)32nm的出貨比升至35%，Q2時(shí)達(dá)50%，到Q3時(shí)32nm才超過70%，表示
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Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃32nm半年后過半
編者點(diǎn)評：按ITRS工藝路線圖,在2009年進(jìn)入32納米,英特爾做到了。但是實(shí)現(xiàn)工藝,,出產(chǎn)樣品,到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時(shí)間。按英特爾計(jì)劃，,2011 Q1時(shí)32nm的出貨比升至35％，Q2時(shí)達(dá)50％，到Q3時(shí)32nm才超過
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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國
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G652D光纖宏彎損耗測試方法
光纖宏彎損耗測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB?！ 《?中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代
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《國際電子商情》10月熱門產(chǎn)品匯總
關(guān)鍵字： LTE PA 云手機(jī) CDMA GPU LTE云手機(jī)將促使市場全面洗牌
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Intel斥資80億美元意在15nm及更小芯片
據(jù)外電報(bào)道，英特爾宣布建立新的工廠和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。投資預(yù)計(jì)達(dá)80億美元。英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計(jì)明年下半年將
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Intel投資8億美元欲開發(fā)小于15nm芯片
英特爾宣布它將會(huì)投入8億美元建立新的工廠和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。 英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計(jì)明年下半年將推出應(yīng)用22納米
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EV Group推出軟UV納米壓印光刻技術(shù) 尺寸可達(dá)12.5nm
領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商EV Group發(fā)布了一項(xiàng)新的技術(shù)Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨圖形?；贓VG的UV-NIL系統(tǒng)，SMS-NIL為客戶提供可重復(fù)的、具成本效益的工
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英特爾已在規(guī)劃22nm、15nm Atom大軍
舊金山IDF 2010上，Intel不僅宣布了面向嵌入式系統(tǒng)的Atom E610、面向消費(fèi)電子設(shè)備視的Atom CE4200處理器，還展示了Atom家族的未來路線圖。 在不斷升級的半導(dǎo)體工藝支撐下，Atom家族也會(huì)日益龐大。從現(xiàn)在開始，Int
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中芯國際最新技術(shù)路線圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進(jìn)行
作為中國本土最大的芯片制造商，中芯國際的技術(shù)動(dòng)向無疑是業(yè)界的焦點(diǎn)。中芯國際已走過10個(gè)年頭，9月16日舉辦的的技術(shù)研討會(huì)恰逢其成立10周年，新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等，成為了此
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中國Foundry本土化是必然趨勢
“未來10年，中國Foundry將迎來新的發(fā)展階段，在國際合作的前提下，本土化將是必然的趨勢，即資金本土化、管理本土化、市場本土化、人才本土化?！边@是首次在公眾面前亮相的上海華力微電子有限公司總裁資深顧問兼銷
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