DRAM

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傳爾必達(dá)或并購(gòu)茂德

日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后，日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德，根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商，希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過(guò)，茂德指出，完全沒(méi)聽(tīng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-16

爾必達(dá) DRAM 集成存儲(chǔ)器
爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR

彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來(lái)臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來(lái)臺(tái)發(fā)行TDR的日本

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-13

制程技術(shù) PID 爾必達(dá) DRAM
2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)

2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：1.DRAM市場(chǎng)走下坡Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫?/p>
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2011-02-12

三星美光爾必達(dá) DRAM
三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。集邦科技指出，廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝

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2011-02-11

三星內(nèi)存 DDR3 DRAM
三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。集邦科技指出，廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝

智能硬件
2011-02-11

三星內(nèi)存 DDR3 DRAM
爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元

存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月)，受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累，爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A，較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A

消費(fèi)電子
2011-02-10

計(jì)算機(jī) 爾必達(dá) DRAM 存儲(chǔ)器
記憶體封測(cè) 元月?tīng)I(yíng)收不妙

雖然1月下旬DRAM現(xiàn)貨價(jià)出現(xiàn)大漲行情，但記憶體封測(cè)廠似乎沒(méi)有感受到DRAM市場(chǎng)回春，華東（8110）、福懋科（8131）昨（8）日公布1月?tīng)I(yíng)收，均較去年12月大跌14％至15％；龍頭大廠力成（6239）尚未公告營(yíng)收，但法人預(yù)估恐

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2011-02-09

平板電腦 MOBILE DRAM
力成指標(biāo)仍向上續(xù)攻堅(jiān)可期

力成（6239）去年第4季營(yíng)收100.57億元再創(chuàng)新高，單季每股凈利為2.5元，2010年全年?duì)I收達(dá)378.3億元，稅后凈利76.47億元，每股凈利10.53元，如預(yù)期再賺進(jìn)一個(gè)股本。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭指出，需求仍未見(jiàn)起色，但已看到DRA

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2011-01-30

平板電腦 NAND MOBILE DRAM
力晶考察佛山LED照明投資環(huán)境

日前，臺(tái)灣力晶集團(tuán)董事鄭素芬一行應(yīng)廣東省佛山高新委的邀請(qǐng)，到佛山高新區(qū)考察投資環(huán)境，以及深入了解佛山LED照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況，并努力尋求與佛山市 LED照明企業(yè)的進(jìn)一步合作。佛山電器照明股份有限公司、佛山國(guó)

顯示光電
2011-01-29

晶圓照明產(chǎn)業(yè) LED照明 DRAM
iSuppli：今年平板電腦出貨量將達(dá)5760萬(wàn)臺(tái)

北京時(shí)間1月28日凌晨消息，市場(chǎng)研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，平板電腦DRAM內(nèi)存的出貨量今年將從去年的3780萬(wàn)GB增長(zhǎng)至3.53億GB。這一數(shù)字將在2012年達(dá)到10億GB，2014年達(dá)到35億GB。蘋(píng)果去年推出iPad平板電腦并大獲成功，其他

通信技術(shù)
2011-01-28

平板電腦 GB ISUPPLI DRAM
美新內(nèi)存技術(shù)號(hào)稱(chēng)可替代DRAM/flash

美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)(North Carolina State University)最近宣布開(kāi)發(fā)出一種“通用(universal)”內(nèi)存技術(shù)，號(hào)稱(chēng)結(jié)合了DRAM的速度，同時(shí)具備閃存的非揮發(fā)特性與密度優(yōu)勢(shì)。研究人員表示，這種新內(nèi)存技術(shù)采用了

消費(fèi)電子
2011-01-27

內(nèi)存計(jì)算機(jī) Flash DRAM
三星權(quán)五鉉：DRAM價(jià)于第1季觸底回升

三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見(jiàn)面會(huì)時(shí)曾表示，DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌，價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。DRAM價(jià)格

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2011-01-27

三星芯片 DRAM 存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體廠商高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)布戰(zhàn)略演講

“世界半導(dǎo)體峰會(huì)@東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長(zhǎng)宣言～”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開(kāi)，《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長(zhǎng)赤尾泰以&l

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-27

半導(dǎo)體廠商 MCU EUV DRAM
DRAM價(jià)跌破0.9美元防線

韓國(guó)主要出口產(chǎn)品DRAM和液晶顯示器(LCD)面板價(jià)格，近期皆再度出現(xiàn)跌幅。其中，自2009年3月以來(lái)，歷經(jīng)22個(gè)月之后，DRAM價(jià)格又再度跌破0.9美元防線。韓國(guó)媒體引述市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)表示，1Gb DDR3 DRAM交易價(jià)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-27

LG GB LCD面板 DRAM
力成受匯損拖累　上季毛利率降至25.1%

胡皓婷／臺(tái)北記憶體封測(cè)大廠力成科技25日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，該公司董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，受惠于智慧型手機(jī)(Smartphone)和平板電腦(Tablet)的帶動(dòng)，Mobile DRAM需求十分強(qiáng)勁，第2季起將增溫。針對(duì)2011年的規(guī)畫(huà)，蔡篤恭表示，2

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2011-01-26

Flash GB MOBILE DRAM
力成資本支出下修16%

記憶體封測(cè)龍頭力成（6239）昨（25）日公布，去年第四季受匯損影響，每股稅后純益2.5元，毛利率下滑至25.1%，不如預(yù)期強(qiáng)勁，全年每股稅后純益10.53元；力成董事長(zhǎng)蔡篤恭預(yù)估首季營(yíng)收將比上季減少約3%，比預(yù)期好些。蔡

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2011-01-26

Flash NAND MOBILE DRAM
瑞薩及TSMC高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)表戰(zhàn)略演講

“世界半導(dǎo)體峰會(huì)＠東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長(zhǎng)宣言～”（2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開(kāi)，《日經(jīng)電子》主辦）隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長(zhǎng)赤尾泰以“面

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2011-01-26

半導(dǎo)體 EUV TSMC DRAM
力成去年?duì)I收、EPS均創(chuàng)新高，Q4有匯損侵蝕

全球最大記憶體封測(cè)廠力成(6239)今日舉行第四季法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，2010年，力成不論是營(yíng)收以及獲利表現(xiàn)均創(chuàng)下歷年來(lái)新高，EPS達(dá)10.53元，而單就第四季來(lái)看，受到匯率因素影響，毛利率下滑至25.1%，稅后凈

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2011-01-25

Flash EPS MCP DRAM
DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底二季度回漲

來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱(chēng)，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲。本月初，2GBDDR3內(nèi)存價(jià)格下降5-6%，平均價(jià)格在17美元，最低16美元。雖然價(jià)

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2011-01-25

內(nèi)存 PC OEM DRAM
DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底二季度回漲

來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱(chēng)，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲。本月初，2GB DDR3內(nèi)存價(jià)格下降5-6%，平均價(jià)格在17美元，最低16美元。雖然價(jià)

智能硬件
2011-01-25

內(nèi)存 PC OEM DRAM

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傳爾必達(dá)或并購(gòu)茂德

爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR

2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元

記憶體封測(cè) 元月?tīng)I(yíng)收不妙

力成指標(biāo)仍向上續(xù)攻堅(jiān)可期

力晶考察佛山LED照明投資環(huán)境

iSuppli：今年平板電腦出貨量將達(dá)5760萬(wàn)臺(tái)

美新內(nèi)存技術(shù)號(hào)稱(chēng)可替代DRAM/flash

三星權(quán)五鉉：DRAM價(jià)于第1季觸底回升

半導(dǎo)體廠商高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)布戰(zhàn)略演講

DRAM價(jià)跌破0.9美元防線

力成受匯損拖累　上季毛利率降至25.1%

力成資本支出下修16%

瑞薩及TSMC高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)表戰(zhàn)略演講

力成去年?duì)I收、EPS均創(chuàng)新高，Q4有匯損侵蝕

DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底二季度回漲

DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底二季度回漲

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