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去年獲利創(chuàng)新高+DRAM景氣Q1落底，華東漲停慶祝

記憶體封測(cè)廠華東科技(8110)昨天召開法說會(huì)，為封測(cè)廠頭一場(chǎng)，格外引人關(guān)注，華東總經(jīng)理于鴻祺公布去年每股賺1.9元，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，并透露DRAM景氣將于首季落底反彈，今天華東股價(jià)一掃陰霾，盤中攻上漲停板。

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2011-01-22

DRAM MOBILE 平板電腦
晶圓代工廠強(qiáng)勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)

國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）昨（21）日公布，去年12月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比（B/B值）0.9，連續(xù)第五個(gè)月滑落，為近17個(gè)月新低，但出現(xiàn)出貨與訂單金額雙雙反彈，顯示半導(dǎo)體廠持續(xù)買進(jìn)設(shè)備，尤以晶圓代工廠

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2011-01-22

晶圓代工臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備 DRAM
瑞薩通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS實(shí)現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)

瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過該項(xiàng)技術(shù)，

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2011-01-21

電容器 CMOS LSI DRAM
瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過該項(xiàng)技術(shù)，把由外

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-21

電容器 LSI DRAM
華東于鴻祺：記憶體封測(cè)全年先蹲后跳

李洵穎／臺(tái)北記憶體封測(cè)廠華東科技20日率先召開法人說明會(huì)，總經(jīng)理于鴻祺表示，第1季因季節(jié)性效應(yīng)，加上價(jià)格下滑，因而面臨亂流，將比上季衰退個(gè)位數(shù)幅度。但自第2季起轉(zhuǎn)趨樂觀，他認(rèn)為2011年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)將呈現(xiàn)先蹲后跳

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2011-01-21

PC DRAM MOBILE 平板電腦
晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)+DRAM漲聲高，崇越今年?duì)I運(yùn)旺

崇越(5434)今年第一季因工作天數(shù)少，再加上工程入帳少，營收估小幅季減5%。而晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作積極，外資看好臺(tái)積電(2330)今年資本支出上看80億美元，再加上DRAM價(jià)格漲勢(shì)聲浪高，崇越半導(dǎo)體事業(yè)營收可望有優(yōu)于先前預(yù)期

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2011-01-20

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠 DRAM
爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格漲幅約10%

日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價(jià)，據(jù)國內(nèi)外PC業(yè)者的說法，其要求的漲幅約10%。先前PC用DRAM因需求趨緩，每顆跌破1美元，價(jià)格降至僅1年前的3分之1左右。為不讓獲利狀況持續(xù)惡

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2011-01-19

爾必達(dá) PID ELECTRONICS DRAM
2011年DRAM市場(chǎng)銷售額恐縮減11.8%

2010年DRAM市場(chǎng)銷售額沖到4.3億美元，然而自2011年開始出現(xiàn)下跌，預(yù)估至2013年為止，都會(huì)維持下跌趨勢(shì)。據(jù)韓國電子新聞引述市調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，2011年DRAM市場(chǎng)銷售額與2010年相比，將縮減11.8%，約為355億美元。接著，

智能硬件
2011-01-19

計(jì)算機(jī) BSP PHONE DRAM
爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格　漲幅約10%

日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價(jià)，據(jù)國內(nèi)外PC業(yè)者的說法，其要求的漲幅約10%。先前PC用DRAM因需求趨緩，每顆跌破1美元，價(jià)格降至僅1年前的3分之1左右。為不讓獲利狀況持續(xù)惡

智能硬件
2011-01-19

爾必達(dá) BSP ELECTRONICS DRAM
2011年DRAM市場(chǎng)銷售額恐縮減11.8%

外電2010年DRAM市場(chǎng)銷售額沖到4.3億美元，然而自2011年開始出現(xiàn)下跌，預(yù)估至2013年為止，都會(huì)維持下跌趨勢(shì)。據(jù)南韓電子新聞引述市調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，2011年DRAM市場(chǎng)銷售額與2010年相比，將縮減11.8%，約為355億美元。接

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2011-01-18

SMART PHONE TABLE DRAM
DRAM內(nèi)存芯片今年將現(xiàn)供大于求售價(jià)下滑?

2010年全球電腦和手機(jī)市場(chǎng)顯示了明顯增長，內(nèi)存芯片市場(chǎng)也因電腦和手機(jī)的增長而受益，全球芯片市場(chǎng)2010年預(yù)計(jì)增長率將達(dá)到31.5%。據(jù)1月14日國外消息報(bào)道，iSuppli市場(chǎng)研究公司分析師警告稱，經(jīng)過幾年繁榮的發(fā)展之后，

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2011-01-18

電腦內(nèi)存芯片 ISUPPLI DRAM
iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會(huì)。2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美

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2011-01-18

智能手機(jī) ISUPPLI DRAM 平板電腦
iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會(huì)。2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美

智能硬件
2011-01-18

智能手機(jī) ISUPPLI DRAM 平板電腦
臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電12日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外界認(rèn)為

消費(fèi)電子
2011-01-17

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
臺(tái)積電買下力晶12寸晶圓廠

臺(tái)積電12日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外界認(rèn)為

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-17

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
矽品日KD未過熱續(xù)攻堅(jiān)有望

矽品精密（2325）去年2月時(shí)公告加碼南茂股權(quán)，近期最后一筆款項(xiàng)正式入帳，矽品對(duì)南茂持股增加至15.77％，成為南茂最大單一股東。矽品雖將LCD驅(qū)動(dòng)IC及DRAM封測(cè)設(shè)備售予南茂，但所獲得的資金用來加碼投資南茂，雙方有效

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2011-01-16

NVIDIA 晶片 KD DRAM
五大趨勢(shì)，2011年DRAM市場(chǎng)走低

2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：1.DRAM市場(chǎng)走下坡Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫?/p>
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2011-01-14

三星美光爾必達(dá) DRAM
DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

爾必達(dá)（Elpida）社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)進(jìn)DDR32Gb制造并

消費(fèi)電子
2011-01-14

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

據(jù)外國媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)分析師警告稱，經(jīng)過幾年繁榮的發(fā)展之后，今年DRAM廠商面臨著需求的嚴(yán)重下滑?；谀壳暗臄?shù)字，iSuppli 預(yù)測(cè)DRAM全球平均銷售價(jià)將會(huì)下降到了$35.5bn，與去年相比下降11.8%。該研究公司警告，在未

智能硬件
2011-01-14

內(nèi)存電腦 ISUPPLI DRAM
臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

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2011-01-13

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM

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DRAM

去年獲利創(chuàng)新高+DRAM景氣Q1落底，華東漲停慶祝

晶圓代工廠強(qiáng)勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)

瑞薩通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS實(shí)現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

華東于鴻祺：記憶體封測(cè)全年先蹲后跳

晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)+DRAM漲聲高，崇越今年?duì)I運(yùn)旺

爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格漲幅約10%

2011年DRAM市場(chǎng)銷售額恐縮減11.8%

爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格　漲幅約10%

2011年DRAM市場(chǎng)銷售額恐縮減11.8%

DRAM內(nèi)存芯片今年將現(xiàn)供大于求售價(jià)下滑?

iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電買下力晶12寸晶圓廠

矽品日KD未過熱續(xù)攻堅(jiān)有望

五大趨勢(shì)，2011年DRAM市場(chǎng)走低

DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

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