DRAM

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯

半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅

模擬
2010-12-13

半導(dǎo)體封裝 DRAM 封裝技術(shù) 爾必達(dá)
封測廠11月營收跌多漲少，記憶體相關(guān)最強(qiáng)勢

時(shí)序即將邁入年終之際，IC封測廠的營運(yùn)表現(xiàn)也開始轉(zhuǎn)弱，11月的營收跌多漲少，其中表現(xiàn)較為逆勢的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369)，均較上月出現(xiàn)反升，而記憶體封測廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則

模擬
2010-12-11

Flash IC MOBILE DRAM
三家FPGA公司面臨侵權(quán)指控

由微軟前CTO Nathan Myhrvold創(chuàng)辦的美國知識風(fēng)險(xiǎn)公司，日前針對半導(dǎo)體專利侵權(quán)一案展開了多項(xiàng)行動，包括兩家內(nèi)存商及三家FPGA供應(yīng)商。美國知識風(fēng)險(xiǎn)公司,成立于2000年,Myhrvold表示,公司已向特拉華州聯(lián)邦法院提交了多

半導(dǎo)體
2010-12-10

FPGA 專利侵權(quán) BSP DRAM
金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢

據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場份額。 2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%

消費(fèi)電子
2010-12-10

金士頓 ISUPPLI SPACE DRAM
封測業(yè)11月營收兩樣情　內(nèi)存有撐　邏輯IC疲軟

封測業(yè)11月營收陸續(xù)出爐。整體來說，依舊以內(nèi)存封測業(yè)營收表現(xiàn)較佳，包括力成、福懋科和華東等單月實(shí)績?nèi)詣?chuàng)歷史新高紀(jì)錄。在邏輯IC封測業(yè)相對疲弱，日月光、京元電呈現(xiàn)下滑，硅格持平，硅品和欣銓逆勢微幅揚(yáng)升。觀察

模擬
2010-12-10

內(nèi)存 IC MOBILE DRAM
IBM首席技術(shù)官：相變存儲技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入實(shí)用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術(shù)專利，不過專利開發(fā)完

智能硬件
2010-12-08

IBM 存儲技術(shù) PCM芯片 DRAM
中國芯片行業(yè)如何實(shí)現(xiàn)突破

曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨(dú)有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的

電子設(shè)計(jì)自動化
2010-12-08

三星中國芯片芯片產(chǎn)業(yè) DRAM
基于YMl2864R點(diǎn)陣式液晶顯示模塊的IVC監(jiān)控系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)動物獨(dú)立通氣籠盒(Individual Ventilated Cages，IVC)(閉環(huán))監(jiān)控系統(tǒng)，由微控制器實(shí)現(xiàn)對籠盒風(fēng)扇的通氣量、籠盒內(nèi)部的氨含量等參數(shù)采集，并根據(jù)這些參數(shù)來調(diào)整通氣風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，以調(diào)整籠盒的換氣率，從而確?；\盒內(nèi)

單片機(jī)
2010-12-07

監(jiān)控系統(tǒng) 點(diǎn)陣式液晶顯示模塊 DRAM
戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警

曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨(dú)有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的

半導(dǎo)體
2010-12-07

三星新能源芯片產(chǎn)業(yè) DRAM
戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警

曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨(dú)有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的

電源-LED驅(qū)動
2010-12-04

三星新能源芯片產(chǎn)業(yè) DRAM
1Gb DDR3摜破1.3美元　DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%，1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元；DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過7%，其實(shí)只是以補(bǔ)跌來

智能硬件
2010-12-03

GB BSP DDR3 DRAM
應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長

針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。

智能硬件
2010-12-03

Flash NAND CE DRAM
VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測

按VLSI市場調(diào)研公司的最新報(bào)告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價(jià)格下降。同時(shí)，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為24

電子設(shè)計(jì)自動化
2010-12-02

半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 LSI DRAM
應(yīng)用材料計(jì)劃重返硅蝕刻領(lǐng)域，投放新型裝置

美國應(yīng)用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，為了重返硅蝕刻領(lǐng)域，開發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蝕刻領(lǐng)域的市場份額方面，

模擬
2010-12-02

晶圓自動校準(zhǔn) CE DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤潮

全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī)，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價(jià)格再度面臨崩盤窘境，時(shí)至

智能硬件
2010-12-01

時(shí)序 BSP DDR3 DRAM
應(yīng)用材料推出全新刻蝕系統(tǒng)

應(yīng)用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蝕系統(tǒng)，主要針對45nm以下存儲和邏輯芯片市場。結(jié)構(gòu)緊湊的Centris系統(tǒng)裝配了8個反應(yīng)腔，即6個刻蝕反應(yīng)腔和2個刻蝕后清潔腔，每小時(shí)可

電子設(shè)計(jì)自動化
2010-12-01

TE CE ADV DRAM
產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下滑

根據(jù)分析師和市場研究人員表示，個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價(jià)格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測，2011年中期DRAM市場仍將供過于求，但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示，DRAM季度收入將可能在

模擬
2010-11-29

電腦 PC EXCHANGE DRAM
DRAM供需待調(diào)整2011年下半走向平衡

南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報(bào)價(jià)激勵未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿，

模擬
2010-11-26

計(jì)算機(jī) GB DRAM 爾必達(dá)
DRAM供需待調(diào)整　2011年下半走向平衡

南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報(bào)價(jià)激勵未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿，

智能硬件
2010-11-26

計(jì)算機(jī) GB DRAM 爾必達(dá)
朝鮮半島交鋒　臺DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過60%市占率，NANDFlash則合計(jì)有超過50%市占，加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被韓

模擬
2010-11-25

海力士 NANDFLASH FAB DRAM

首頁上一頁 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 下一頁尾頁

DRAM

半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目

封測廠11月營收跌多漲少，記憶體相關(guān)最強(qiáng)勢

三家FPGA公司面臨侵權(quán)指控

金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢

封測業(yè)11月營收兩樣情　內(nèi)存有撐　邏輯IC疲軟

IBM首席技術(shù)官：相變存儲技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

中國芯片行業(yè)如何實(shí)現(xiàn)突破

基于YMl2864R點(diǎn)陣式液晶顯示模塊的IVC監(jiān)控系統(tǒng)

戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警

戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警

1Gb DDR3摜破1.3美元　DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長

VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測

應(yīng)用材料計(jì)劃重返硅蝕刻領(lǐng)域，投放新型裝置

DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤潮

應(yīng)用材料推出全新刻蝕系統(tǒng)

產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下滑

DRAM供需待調(diào)整2011年下半走向平衡

DRAM供需待調(diào)整　2011年下半走向平衡

朝鮮半島交鋒　臺DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻