DRAM

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內(nèi)存第4季景氣混沌　封測代工價下滑壓力增

隨著時序即將進(jìn)入第4季，各廠的封測代工價格陸續(xù)洽談中，但DRAM客戶因景氣因素，要求封測廠降價的壓力較前3季明顯，尤以臺廠降幅較大，幅度為2~3%左右。平均而言，第4季整體代工平均單價(ASP)降幅大于第3季。由于下

模擬
2010-09-30

內(nèi)存 DRAM 驅(qū)動IC PC
爾必達(dá)30納米制程DRAM邁入量產(chǎn)

日廠爾必達(dá)(Elpida)將自2010年12月開始導(dǎo)入30納米前半制程量產(chǎn)DRAM，與同年7月早一步投入30納米前半制程DRAM量產(chǎn)的三星電子(SamsungElectronics)較勁。據(jù)悉，新的制程技術(shù)可撙節(jié)約30%的生產(chǎn)成本。爾必達(dá)另計劃2011年

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2010-09-30

晶圓爾必達(dá) 制程技術(shù) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報 9月市場已呈現(xiàn)弱勢

目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。 VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的

消費電子
2010-09-29

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報9月市場已呈現(xiàn)弱勢

目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。VLSI的總裁DanHutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的再次下

模擬
2010-09-28

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報 9月市場已呈現(xiàn)弱勢

目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的再次下

半導(dǎo)體
2010-09-28

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
分析師：2010年后芯片市場將回歸正常

目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上皆

電子設(shè)計自動化
2010-09-28

芯片市場 LSI RESEARCH DRAM
揮別激情2010，分析師：芯片將回歸正常

目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退；那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退？對此市場研究機構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上

半導(dǎo)體
2010-09-27

芯片 LSI RESEARCH DRAM
晶圓級封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級封裝（WLP）技術(shù)正在穩(wěn)步向小芯片應(yīng)用繁衍。對大尺寸芯片應(yīng)用如DRAM和flash存儲器而言，批量生產(chǎn)前景還不明朗，但理想的WLP可靠性高，且能高頻運行，有望改變這種大尺寸芯片無法應(yīng)用的現(xiàn)狀。WLP一般擁有良好的

消費電子
2010-09-27

芯片晶圓封裝 DRAM
晶圓級封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級封裝（WLP）技術(shù)正在穩(wěn)步向小芯片應(yīng)用繁衍。對大尺寸芯片應(yīng)用如DRAM和flash存儲器而言，批量生產(chǎn)前景還不明朗，但理想的WLP可靠性高，且能高頻運行，有望改變這種大尺寸芯片無法應(yīng)用的現(xiàn)狀。WLP一般擁有良好的

模擬
2010-09-26

芯片晶圓封裝 DRAM
三星35納米4Q出貨

三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵

消費電子
2010-09-26

三星 GB DRAM PC
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%

9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司（AMD）、ARM集團(tuán)（ARMH）、AT&；T公司（T

半導(dǎo)體
2010-09-23

電腦 NAND閃存 DRAM
三星35納米4Q出擊臺DRAM廠以卵擊石

三星電子(SamsungElectronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊

模擬
2010-09-21

三星 GB DRAM PC
DRAM價15天爆跌10%恐跌至2美元線

韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1GbDDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1GbDDR

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2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DDR3 DRAM
DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb

智能硬件
2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DDR3 DRAM
半導(dǎo)體業(yè)明年資本支出保守

設(shè)備業(yè)者表示，8月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比(B/B值)出現(xiàn)回調(diào)，已透露景氣高檔回調(diào)的走勢，礙于景氣暫時轉(zhuǎn)緩，國內(nèi)半導(dǎo)體相關(guān)公司明年資本支出恐趨于保守。臺積電、聯(lián)電、日月光、硅品、力晶、南科、力成等半導(dǎo)體大廠

電子設(shè)計自動化
2010-09-20

先進(jìn)制程臺積電 DRAM
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級今年料增長16%

在9月9日出版的《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》為投資者及行業(yè)管理人員提供了及時的信息回顧。涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：

半導(dǎo)體
2010-09-17

電腦 NAND閃存 DRAM
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%

9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(tuán)(ARMH)、AT&;T公司(T)、Al

電子設(shè)計自動化
2010-09-17

電腦 NAND閃存 DRAM
細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場

市場調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測，2010年增長一倍以上，達(dá)122%，但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%，速度明顯的放慢。然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse，它對2011年的設(shè)備看法，

電子設(shè)計自動化
2010-09-16

三星半導(dǎo)體設(shè)備 SE DRAM
DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測價

景氣復(fù)蘇情況未如預(yù)期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近來開始彌漫供過于求的利空氣氛，不論是DRAM以及Flash價格都未見到止跌。據(jù)悉，業(yè)界傳出，獲利表現(xiàn)較為不佳的 DRAM廠商為維持獲利，回頭砍后段封測廠的第四季的接單價格，跌幅落在

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2010-09-15

晶圓爾必達(dá) 封裝 DRAM
日圓強升內(nèi)存廠更仰賴臺廠

日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá)(Elpida)今年第2季在全

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2010-09-15

東芝爾必達(dá) 內(nèi)存 DRAM

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內(nèi)存第4季景氣混沌　封測代工價下滑壓力增

爾必達(dá)30納米制程DRAM邁入量產(chǎn)

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報 9月市場已呈現(xiàn)弱勢

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報9月市場已呈現(xiàn)弱勢

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分析師：2010年后芯片市場將回歸正常

揮別激情2010，分析師：芯片將回歸正常

晶圓級封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級封裝向大尺寸芯片發(fā)展

三星35納米4Q出貨

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%

三星35納米4Q出擊臺DRAM廠以卵擊石

DRAM價15天爆跌10%恐跌至2美元線

DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

半導(dǎo)體業(yè)明年資本支出保守

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級今年料增長16%

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%

細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場

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日圓強升內(nèi)存廠更仰賴臺廠

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