隨著科技的飛速發(fā)展,尤其是物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、人工智能等領(lǐng)域的蓬勃興起,對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器如DRAM和Flash雖已占據(jù)市場(chǎng)主流,但其在性能、功耗、耐久性和可靠性等方面已逐漸接近物理極限。因此,新興存儲(chǔ)器技術(shù)如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)開(kāi)始嶄露頭角,特別是在嵌入式市場(chǎng)中展現(xiàn)出巨大的潛力。
Aug. 15, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng),2024年第二季整體DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元,季增24.8%。價(jià)格方面,合約價(jià)于第二季維持上漲,第三季因國(guó)際形勢(shì)等因素,預(yù)估Conventional DRAM(一般型內(nèi)存)合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。
Jun. 27, 2024 ---- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度,第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。
Jun. 25, 2024 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購(gòu)高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群,以作為L(zhǎng)LM及AI建?;A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發(fā)展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI server,促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。
Jun. 13, 2024 ---- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大,帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%,達(dá)183.5億美元,推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。
May 7, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小,約10%。
May 6, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍,相較DDR5價(jià)差大約五倍,加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大,推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面,2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%,至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面,2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%,至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。
雙核心,出色安全性功能、內(nèi)部堆棧DRAM、豐富的外圍
業(yè)內(nèi)消息,近日韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK 海力士宣布,為應(yīng)對(duì)用于 AI 的半導(dǎo)體需求劇增,決定擴(kuò)充 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(Infra)的核心產(chǎn)品即 HBM 等新一代 DRAM 的生產(chǎn)能力(Capacity) 。
Apr. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢于403震后對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查,各供貨商所需檢修及報(bào)廢晶圓數(shù)量不一,且廠房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果,因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等,均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線運(yùn)作,其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程,多為1alpha與1beta nm,預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比;其余DRAM廠仍停留在38、25nm,產(chǎn)出占比相對(duì)小。整體而言,預(yù)期本次地震對(duì)第二季DRAM產(chǎn)出位元影響仍可控制在1%以內(nèi)。
2024年3月27日上午,美光西安新封測(cè)廠奠基儀式成功召開(kāi)。
美光首個(gè)可持續(xù)發(fā)展卓越中心彰顯了公司對(duì)中國(guó)運(yùn)營(yíng)及本地社區(qū)的不懈承諾
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道
Mar. 26, 2024 ---- 目前觀察DRAM供應(yīng)商庫(kù)存雖已降低,但尚未回到健康水位,且在虧損狀況逐漸改善的情況下,進(jìn)一步提高產(chǎn)能利用率。不過(guò),由于今年整體需求展望不佳,加上去年第四季起供應(yīng)商已大幅度漲價(jià),預(yù)期庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能將逐漸走弱。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估, 第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售價(jià)高昂、獲利高,進(jìn)而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估,截至2024年底,整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m,占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%,供給位元年成長(zhǎng)約260%。此外,2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%,至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。
Mar. 5, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,受惠于備貨動(dòng)能回溫,以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn),主流產(chǎn)品的合約價(jià)格走揚(yáng),帶動(dòng)2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)174.6億美元,季增29.6%。目前觀察2024年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢(shì),原廠目標(biāo)仍為改善獲利,漲價(jià)意圖強(qiáng)烈,促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成,然出貨位元?jiǎng)t面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。
Jan. 8, 2024 ---- TrendForce集邦咨詢表示,2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%,其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要,以維持存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。
Dec. 19, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估,2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均價(jià)季漲幅將擴(kuò)大至18~23%。同時(shí),不排除在寡占市場(chǎng)格局或是品牌客戶恐慌追價(jià)的情況下,進(jìn)一步墊高漲幅。
Dec. 4, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2023年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計(jì)營(yíng)收達(dá)134.80億美金,季成長(zhǎng)率約18.0%。由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動(dòng)能,使得各原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)。展望第四季,供給方面,原廠漲價(jià)態(tài)度明確,預(yù)估第四季DRAM合約價(jià)上漲約13~18%;需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季。整體而言,買方雖有備貨需求,但以目前來(lái)說(shuō),服務(wù)器領(lǐng)域因庫(kù)存水位仍高,拉貨態(tài)度仍顯得被動(dòng),第四季DRAM產(chǎn)業(yè)的出貨成長(zhǎng)幅度有限。
美光基于 1β 先進(jìn)制程的 DRAM 速率高達(dá) 8,000 MT/s,為生成式 AI 等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案