據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。
2022年11月2日——中國(guó)上海——內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升,將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用,基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點(diǎn),能夠支持智能汽車和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和沉浸式體驗(yàn)。
結(jié)合并收入10.9829萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.6556萬(wàn)億韓元,凈利潤(rùn)1.1027萬(wàn)億韓元 由于存儲(chǔ)器需求和價(jià)格下降,銷售額和利潤(rùn)環(huán)比下降 明年的投資規(guī)模將減少至今年的一半以上, 將以收益性較低的產(chǎn)品為中心減產(chǎn) 將致力于服務(wù)器用DRAM,做好量產(chǎn)最新產(chǎn)品的準(zhǔn)備,...
(全球TMT2022年10月26日訊)SK海力士發(fā)布截至2022年9月30日的2022財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2022財(cái)年第三季度結(jié)合并收入為10.9829萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.6556萬(wàn)億韓元,凈利潤(rùn)為1.1027萬(wàn)億韓元。2022財(cái)年第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為15%,凈利潤(rùn)率...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,韓國(guó)的半導(dǎo)體巨頭SK海力士表示近日開發(fā)出存儲(chǔ)領(lǐng)域的首款DDR5 6400 Mbps速度的32GB UDIMM以及SODIMM,同時(shí)向其用戶提供樣品。
根據(jù) IC Insights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,從2020年下半年開始并持續(xù)到2022年5月的DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁回暖已經(jīng)結(jié)束。DRAM銷量在5月份創(chuàng)下兩年多來(lái)的最高月度銷量后,6月份和7月份分別暴跌36%和21%。市場(chǎng)崩潰的速度是如此之快,以至于7月份的DRAM市場(chǎng)規(guī)模只有5月份的一半(圖1)。對(duì)通貨膨脹和經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂削減了消費(fèi)者在新智能手機(jī)、電腦、電視和其他電子產(chǎn)品上的支出。反過來(lái),系統(tǒng)制造商也縮減了新的 DRAM 訂單,理由是需要消耗他們積累的現(xiàn)有庫(kù)存。
據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示,今年二季度(4~6月)期間,三星電子拿下了DRAM市場(chǎng)43.4%的市場(chǎng)份額,已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。與此同時(shí),緊隨其后的SK海力士份額為28.1%,環(huán)比增加1%,美光23.6%,環(huán)比下滑1.2%。
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示,明年服務(wù)器整機(jī)出貨量預(yù)估僅年增3.7%,低于今年的5.1%,且考量成本,服務(wù)器DRAM平均搭載容量年增幅也僅7%,為2016年以來(lái)首度降至10%以下。
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境,三星超過了自身在今...
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)商為求增加市占的策略不變,市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形,皆是導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至13~18%的原因。
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為L(zhǎng)PDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Sn...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。
據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAND市場(chǎng)都將出現(xiàn)暫時(shí)反彈,不過需求增速預(yù)期將分別從此前17%、...
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)商為求增加市占的策略不變,市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形,皆是導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至13~18%的原因。
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月份數(shù)據(jù)縮水約50%。該機(jī)構(gòu)分析稱,DRAM銷售急劇下滑同時(shí),...
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長(zhǎng),電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動(dòng)DRAM模組的出貨增長(zhǎng),據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì),2021年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷售額達(dá)181億美元,年成長(zhǎng)約7%,由于各模組廠的經(jīng)營(yíng)策略不同,使得各模組廠的營(yíng)收出現(xiàn)分歧。
8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。盡管存儲(chǔ)器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)的角度來(lái)看,DRAM和Flash(NAND、NOR)的營(yíng)收占比超95%。
JSR株式會(huì)社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進(jìn)程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進(jìn)的DRAM芯片。Inpria擁有廣泛專利的EUV金屬氧化物光刻膠平臺(tái)使客戶能夠高效地對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)備架構(gòu)進(jìn)行制版。