飛思卡爾單片機(jī)RAM與flash相關(guān)問(wèn)題

最近在做飛思卡爾16位單片機(jī)的在線升級(jí)bootloader程序。有2個(gè)問(wèn)題不太清楚，請(qǐng)教下論壇里的高人。1.bootloader程序中，對(duì)存放應(yīng)用程序的flash空間進(jìn)行擦除和寫(xiě)入新的應(yīng)用程序以完成升級(jí)。比較特別的是，

STM32中的程序在RAM還是FLASH里運(yùn)行？

各變量在MCU中的存放位置ram or flash

閑來(lái)無(wú)事，研究了下變量在MCU中存儲(chǔ)位置ps：MCU中能存放數(shù)據(jù)的地方有三處：register、rom、ram涉及標(biāo)準(zhǔn)C關(guān)鍵字：register：定義和申請(qǐng)一個(gè)register級(jí)變量 auto：：定義自動(dòng)變量，缺省時(shí)為編譯器

STM32F103使用內(nèi)部Flash保存參數(shù)

在我們應(yīng)用開(kāi)發(fā)時(shí)，經(jīng)常會(huì)有一些程序運(yùn)行參數(shù)需要保存，如一些修正系數(shù)。這些數(shù)據(jù)的特點(diǎn)是：數(shù)量少而且不需要經(jīng)常修改，但又不能定義為常量，因?yàn)槊颗_(tái)設(shè)備可能不一樣而且在以后還有修改的可能。將這類

stm32 中怎樣把變量定義到flash中

目的:將變量定義到flash中其實(shí)寫(xiě)這個(gè)是相當(dāng)于一個(gè)記錄而已，突然在做字模顯示問(wèn)題，想到如果將字模數(shù)據(jù)放到內(nèi)存中的話，難免多了很容易出問(wèn)題，不如就放在flash中，這樣就可以不去改變他int a;a在內(nèi)存中

為什么STM32從Flash地址0x08000000的啟動(dòng)重映射

在初寫(xiě)STM32程序時(shí)，遇到一個(gè)困惑，STM32的Flash在MDK里被設(shè)置為起始地址0x0800 0000，而CM3手冊(cè)規(guī)定芯片復(fù)位時(shí)要從0x0000 0000地址開(kāi)始取出中斷向量 ，那STM32怎么樣執(zhí)行代碼呢？地址重映射？或者在0x

嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)之：實(shí)驗(yàn)內(nèi)容——使用JTAG燒寫(xiě)Nand Flash

通過(guò)使用JTAG燒寫(xiě)Flash的實(shí)驗(yàn)，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下良好的基礎(chǔ)。本書(shū)以優(yōu)龍的FS2410及Flash燒寫(xiě)工具為例進(jìn)行講解，不同廠商的開(kāi)發(fā)板都會(huì)提供相應(yīng)的Flash燒寫(xiě)工具，并有相應(yīng)的說(shuō)明文檔，請(qǐng)讀者在了解基本原理之后查閱相關(guān)手冊(cè)。

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本文所設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器能夠?qū)崿F(xiàn)高速圖像數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)存儲(chǔ)及轉(zhuǎn)發(fā)，碼率可達(dá)40 Mbyte/s，具有高寫(xiě)入帶寬和工作穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)。本設(shè)計(jì)已在相關(guān)項(xiàng)目中得到應(yīng)用，工作性能良好，具有一定的參考價(jià)值。

基于STC單片機(jī)的硬件電路設(shè)計(jì)

本文提出了一種基于STC單片機(jī)學(xué)習(xí)平臺(tái)的硬件電路設(shè)計(jì)，采用了一款新型的單片機(jī)型號(hào)一STC12C5410AD，在學(xué)習(xí)平臺(tái)中加入了一些串行接口的芯片，接口標(biāo)準(zhǔn)包括RS-232、SPI、IIC、1-wire等。學(xué)習(xí)平臺(tái)的設(shè)計(jì)目標(biāo)：ISP可編程、液晶屏顯示、日歷時(shí)鐘(IIC接口芯片)、溫度測(cè)量(1-wire接口芯片)、FLAH存儲(chǔ)器(SPI接口芯

基于芯片堆疊式的3D技術(shù)

從SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的傳統(tǒng)意義上來(lái)講，凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D，因?yàn)樵赯軸上有了功能和信號(hào)的延伸，無(wú)論此堆疊是位于IC內(nèi)部還是IC外部。

大容量存儲(chǔ)的NOR FLASH的原理及應(yīng)用

VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時(shí)給出了一個(gè)系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計(jì)方案。

SSD將取代HDD成主流

隨著NAND Flash產(chǎn)能開(kāi)出，市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)松動(dòng)，刺激市場(chǎng)搭載SSD的需求大增，業(yè)者認(rèn)為，2018年下半NAND Flash價(jià)格將一路走跌，將促使SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂，目前SSD價(jià)差逐步縮小至3~3.5倍，兩者價(jià)差替換的黃金交叉點(diǎn)即將到來(lái)，推動(dòng)SSD取代效益顯現(xiàn)，而PCIe SSD價(jià)格跌幅也將擴(kuò)大，未來(lái)躍升為市場(chǎng)主流將指日可待。

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)對(duì)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

引言嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開(kāi)發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用

基于微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實(shí)現(xiàn)

本文介紹了嵌入式Linux操作系統(tǒng)下基于三星微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實(shí)現(xiàn)方法。操作系統(tǒng)采用Linux 2．6．28版本，平臺(tái)為飛凌OK6410-A開(kāi)發(fā)板。采用的方案是通過(guò)添加一個(gè)512 MB的NAND

H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash

1. 打開(kāi)H-Jtag-ServerInit->load，選擇初始化腳本“FriendlyARM2440.his”->"打開(kāi)"2. 菜單中選擇“Settting”->"USB/LPT Selectiojn"，選擇 LPT3. 菜單中選擇“Settting”->"LPT JTAG Setting"，做如下

單片機(jī)的Flash E2prom Ram區(qū)別

存儲(chǔ)器分為兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明

STM32 flash操作

對(duì)芯片內(nèi)部flash進(jìn)行操作的函數(shù)，包括讀取，狀態(tài)，擦除，寫(xiě)入等等，可以允許程序去操作flash上的數(shù)據(jù)?；A(chǔ)應(yīng)用1，F(xiàn)LASH時(shí)序延遲幾個(gè)周期，等待總線同步操作。推薦按照單片機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行頻率，0—24MHz時(shí)，

HOLTEK新推出小封裝HT68F0012 Flash MCU

Holtek小封裝Flash MCU系列繼HT68F001后，新增HT68F0012成員，最大差異在系統(tǒng)頻率由32kHz提高到512kHz，可提供需較快工作頻率的產(chǎn)品應(yīng)用，例如：簡(jiǎn)單的數(shù)據(jù)通訊，非常適用于需要準(zhǔn)確計(jì)時(shí)或簡(jiǎn)單控制的產(chǎn)品應(yīng)用。

兆易創(chuàng)新NOR Flash獲Galaxy S9采用

中國(guó)半導(dǎo)體最近幾年的快速發(fā)展使許多國(guó)外企業(yè)都開(kāi)始布局中國(guó)市場(chǎng)，在今年的SEMICON China上表現(xiàn)的尤其明顯。不管是半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商，還是材料供應(yīng)商都對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)的發(fā)展充滿信心，也都紛紛布局中國(guó)市場(chǎng)。致力于開(kāi)發(fā)和制造創(chuàng)新材料和工藝的材料提供商Brewer Science也參加了此次盛會(huì)，并與其行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴日產(chǎn)化學(xué)攜手展示了其在晶圓級(jí)封裝和前端光刻材料領(lǐng)域的產(chǎn)品與服務(wù)。

一文讀懂存儲(chǔ)器發(fā)展史

近日，國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法》等 20 項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實(shí)施。