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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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NAND Flash市場(chǎng)格局：SK和東芝聯(lián)合對(duì)抗三星？
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約，也為延宕許久的東芝半導(dǎo)體出售一案，暫時(shí)劃下句點(diǎn)。盡管SK海力士強(qiáng)調(diào)僅是投資者，但SK海力士與東芝在NAND Flash市場(chǎng)上，其實(shí)有許多復(fù)雜的競(jìng)爭(zhēng)及利害，因此未來(lái)SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動(dòng)向，格外引起業(yè)界高度關(guān)注。
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謠傳：東芝Flash產(chǎn)能損失10萬(wàn)片
近期市場(chǎng)傳出 NAND Flash 大廠東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問(wèn)題，損失 10 萬(wàn)片產(chǎn)出，經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后，東芝確實(shí)在產(chǎn)在線遭遇一些問(wèn)題，且整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少 ，但影響程度遠(yuǎn)低于外界謠傳近 10 萬(wàn)片的規(guī)模，且東芝工廠產(chǎn)線也未出現(xiàn)停擺。 對(duì)于東芝客戶來(lái)說(shuō)，在第 4 季議價(jià)時(shí)所承諾的交貨數(shù)量也沒(méi)有受到直接沖擊。
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基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA（讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間）和tBERS（塊擦除時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。
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淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)器使用壽命的研究
引言隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)
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大容量NAND FALSH的原理及應(yīng)用
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量（2Tb）NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并針對(duì)基于FPGA的應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明。
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NOR Flash再漲價(jià)，三大公司的訂單被搶空
編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)第4季合約價(jià)傳再調(diào)漲15%，這是繼第3季調(diào)漲10%~20%后，價(jià)格再向上推升，成為下半年漲勢(shì)最兇猛的存儲(chǔ)器。
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eMMC/UFS/SSD全部小漲
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲(chǔ)存研究DRAMeXchange指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3～10%的季增水平。
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NOR Flash能給旺宏創(chuàng)造新神話嗎？
今年各式內(nèi)存價(jià)格全面走揚(yáng)，尤其NOR Flash從小零件變成搶手貨，旺宏(2337)股價(jià)翻了好幾番。 旺宏因減資作業(yè)預(yù)計(jì)28日重新上市，土洋法人買超集中到華邦電(2344)，帶動(dòng)今早股價(jià)再創(chuàng)最高20.7元。
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三星、英特爾、美光、谷歌等巨頭齊聚中國(guó)•深圳，只為CFMS2017峰會(huì)而來(lái)
2017年9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國(guó)存儲(chǔ)•全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS2017(http://cfms.chinaflashmarket.com)，將在深圳華僑城洲際酒店隆重舉行，不僅邀請(qǐng)三星、
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三大內(nèi)存同時(shí)缺貨，DRAM和NAND內(nèi)存漲勢(shì)創(chuàng)紀(jì)錄
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長(zhǎng)漲勢(shì)。
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1 Tb的3D NAND芯片，這樣的三星，你愛嗎？
據(jù)外媒消息，三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級(jí)，9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，預(yù)計(jì)明年問(wèn)世。三星宣稱，這一技術(shù)是過(guò)去 10 年來(lái)存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一，本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤)上，計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
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存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)“艷陽(yáng)高照”，東芝卻是“烏云密布”
由于云端應(yīng)用帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心建設(shè)、智能手機(jī)追求更大容量和更快運(yùn)算，以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲(chǔ)器等因素，數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用的 NAND Flash，市場(chǎng)成長(zhǎng)速度均高于電腦與智能手機(jī)市場(chǎng)的成長(zhǎng)率。
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SK海力士斥巨資投資存儲(chǔ)器，被警告產(chǎn)能過(guò)剩
據(jù)海外媒體報(bào)道，從去年下半到今年上半以來(lái)，DRAM 均價(jià)飆升 17%、NAND 均價(jià)攀漲 12%，主要是由于存儲(chǔ)器進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)能大減，使得廠商無(wú)不撒錢擴(kuò)產(chǎn)。但是 IC Insights 警告，過(guò)度投資恐怕會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩。
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NOR Flash市場(chǎng)依然供不應(yīng)求，旺宏要“盤滿缽滿”了
旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2018年品牌NOR Flash市場(chǎng)需求還會(huì)增加，要不缺貨還有點(diǎn)困難，旺宏第1季全球NOR Flash市占率達(dá)26%，全年目標(biāo)30%，中長(zhǎng)期看50%市占，同時(shí)董事會(huì)也追加新臺(tái)幣17.85億元的資本支出，全年支出擴(kuò)大至40億元，全面增產(chǎn)高端55納米的NOR Flash產(chǎn)能。
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矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長(zhǎng)
據(jù)報(bào)道，矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長(zhǎng)，本季受到非蘋智能手機(jī)陣營(yíng)下單偏向保守，以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑，不過(guò)今年第四季可望因?yàn)楦黜?xiàng)產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨，全年合并營(yíng)收將沖上年成長(zhǎng)2成的高水平表現(xiàn)。
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片加快建設(shè) 嚴(yán)重依賴日韓問(wèn)題顯現(xiàn)
中國(guó)的智能手機(jī)企業(yè)飽受存儲(chǔ)芯片短期的困擾，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的暴漲導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)手機(jī)企業(yè)的利潤(rùn)下滑，加上存儲(chǔ)芯片對(duì)國(guó)家信息安全的重要性，這讓中國(guó)加速發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，
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美光認(rèn)為DRAM價(jià)格將持續(xù)高位，這是在說(shuō)電腦還要漲價(jià)？
美光2017年第3季財(cái)報(bào)營(yíng)收大幅優(yōu)于預(yù)期，這要因DRAM、NAND Flash價(jià)格上漲，美光認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定，價(jià)格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示，國(guó)內(nèi)相關(guān)個(gè)股中，華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K，估下半年 DRAM價(jià)格維持高檔，2018年上半年在供給改善后將趨緩，因此維持族群中立建議。
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3D NAND Flash與ReRAM新制程之間的“戰(zhàn)爭(zhēng)”，究竟鹿死誰(shuí)手
莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…
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