Holtek推出高整合性兩線通訊MCU HT45F2002,特別適合需遠(yuǎn)距離傳輸、具有多子機(jī)的產(chǎn)品系統(tǒng)應(yīng)用
受工業(yè)4.0、中國(guó)制造2025趨勢(shì)的影響,在智能制造、物聯(lián)網(wǎng)等形式下,半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸變得重要。我國(guó)為了適應(yīng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),推出了一系列政策來助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。愛德萬測(cè)試為推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體在全球市場(chǎng)中
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃來看,3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出,明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。
面對(duì)大陸的積極追趕,三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進(jìn)行西安工廠的相關(guān)投資,同時(shí)也加緊興建位于南韓的平澤工廠,欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線,用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。
據(jù)報(bào)道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱,將于2017年上半年開始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程,相對(duì)落后于NAND Flash市占王三星。
Holtek在充電器產(chǎn)品領(lǐng)域,繼HT45F5Q之后再度推出HT45F5R,能應(yīng)用于更多按鍵或LCD/LED顯示需求產(chǎn)品,如多功能鉛酸電池充電器、電動(dòng)機(jī)車充電器、工具機(jī)鋰電池充電器等。
Holtek小型封裝Flash Type MCU系列新增HT66F0025,此顆MCU為HT66F002的延伸產(chǎn)品。與HT66F002最主要功能差別在于HT66F0025俱備更大的2K Word Flash Memory size,堆棧也增加至4層。針對(duì)想使用HT6xF002并且希望有
Holtek Enhanced A/D Flash Type MCU系列新增HT66F0176,此顆MCU為HT66F0175的延伸產(chǎn)品。HT66F0176內(nèi)建的UART功能,可輕易與藍(lán)牙/WiFi模塊鏈接,快速實(shí)現(xiàn)廚房小家電、居家與個(gè)人生活小家電智能化,提升家居安全性
Holtek新推出HT45F3820、HT45F3830系列Flash MCU面向霧化器領(lǐng)域應(yīng)用,與傳統(tǒng)方案相比,HT45F3820/3830系列提升MCU資源,并新增霧化器控制模塊單元,方便MCU對(duì)霧化器進(jìn)行追頻與缺水檢測(cè)控制,在缺水保護(hù)/檢測(cè)時(shí)可省
據(jù)報(bào)道,18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因?yàn)楣收隙鸨ㄆ鸹?,火光沖天照亮夜空,幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電,附近商店窗戶玻璃被震碎,汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像,
Holtek低電壓Flash MCU新增HT66F302/303新成員。
Holtek推出HT98F069為雙向無線電產(chǎn)品專用SoC Flash MCU,合適于FRS、MURS、GMRS具音頻處理的產(chǎn)品,是繼HT98R068 OTP MCU產(chǎn)品的延伸。
Flash存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上,F(xiàn)las
紫光旗下同方國(guó)芯提出私募800億元人民幣的增資案,用于Flash產(chǎn)業(yè),而同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模6成,可看出推動(dòng)Flash產(chǎn)業(yè)是高度資本集中。
虛擬化領(lǐng)域的一個(gè)技術(shù)熱點(diǎn)是桌面PC的虛擬化,即虛擬桌面架構(gòu)(VDI)。虛擬桌面架構(gòu)解決方案正在幫助企業(yè)將其Windows桌面和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成類似云的資源,最終用戶能夠在任何設(shè)備上
我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我們下面要講到的。這二種存
數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP電路板設(shè)計(jì)的復(fù)雜性
Flash存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對(duì)它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)。
FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲(chǔ)器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器,而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作的。提供的代碼