摘要:介紹了ARM-μCLinux嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)組成,重點(diǎn)分析了ARM--μCLinux嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)引導(dǎo)的過(guò)程實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)啟動(dòng)引導(dǎo)的技術(shù)難點(diǎn),提出了一種有效的啟動(dòng)引導(dǎo)方案。 關(guān)
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開(kāi)10納米時(shí)代,DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問(wèn)題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開(kāi)10納米時(shí)代,DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問(wèn)題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,NAND Flash供貨商為了追求利潤(rùn)極大化,開(kāi)始重新配置產(chǎn)能,透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿(mǎn)足系統(tǒng)OEM客戶(hù)訂單需求,帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤(rùn)極大化,開(kāi)始重新配置產(chǎn)能,透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿(mǎn)足系統(tǒng)EM客戶(hù)訂單需求,帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)
繼現(xiàn)有的TinyPowerTM A/D with LCD型Flash MCU HT67Fxx系列,Holtek再推出HT67F60A、HT67F70A,除承襲原有多樣完整的功能外,并將程序空間推展到32KWords,同時(shí)使用Holtek新推出的加強(qiáng)型MCU核心,增加跨Bank內(nèi)存的存
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)上分道揚(yáng)鑣嗎?一位市場(chǎng)分析師斷言,美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論,表示該分析師
摘要:通過(guò)JTAG實(shí)現(xiàn)對(duì)Flash在線編程。首先,介紹JTAG的定義、結(jié)構(gòu)及引腳的定義,并闡述JTAG狀態(tài)機(jī)的工作原理。然后,介紹JTAG口的邊界掃描寄存器,給出實(shí)現(xiàn)JTAG在線寫(xiě)Flash
21ic訊 Holtek推出全新的Enhanced Flash Voice MCU HT66FV140。HT66FV140是一款應(yīng)用在語(yǔ)音產(chǎn)品的單片機(jī)。由于愈來(lái)愈多的家電或消費(fèi)性產(chǎn)品需要加入語(yǔ)音功能,HT66FV140 Flash MCU經(jīng)由硬件SPI接口搭配外掛SPI Flash
21ic訊 繼BS82C16A-3之后,Holtek再度推出新一代內(nèi)建LED/LCD Driver的Flash觸控MCU BS82D20A-3,支持高達(dá)20個(gè)觸控按鍵,除了保有上一代的優(yōu)點(diǎn)之外還比上一代觸控MCU更省電、觸控偵測(cè)的更新率更高,并且抗干擾的能力
據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道,全球非揮發(fā)性?xún)?nèi)存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子宣布,由于制程技術(shù)研發(fā)成果順利,其生產(chǎn)制造的NOR型閃存(NOR Flash Memory),將跳過(guò)90納米制程,直接導(dǎo)入至75納米,并
作者Email: jinyuhe@163.com 摘要: 本文主要介紹VxWorks系統(tǒng)在MPC860系列處理器的開(kāi)發(fā)中怎么實(shí)現(xiàn)去掉BOOT Flash,直接從Flash引導(dǎo)VxWorks的BootRom。 關(guān)鍵詞:BOOT Flash
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智能型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%。展望第三季,
華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞DRAM廠華邦電子(2344)昨(17)日順利召開(kāi)股東常會(huì)并順利改選董監(jiān),董事長(zhǎng)焦佑鈞表示,今年下半年產(chǎn)業(yè)景氣不錯(cuò),總體經(jīng)濟(jì)也不錯(cuò),DRAM廠經(jīng)過(guò)幾年整并后已不再盲目擴(kuò)產(chǎn),市場(chǎng)可望安定。另外,焦佑
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上 NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲
T-Flash(microSD)卡憑借高性能,小體積,大容量,適中的價(jià)格迅速在數(shù)碼市場(chǎng)中普及開(kāi)來(lái),目前已成為手機(jī)中最流行的擴(kuò)展卡類(lèi)型。手機(jī)設(shè)計(jì)中常用的TF卡座有Push和 Hinge兩種類(lèi)
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣精實(shí)新聞的消息,全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智能手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NAND Flash合約
1.集邦:6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4% Q3可望續(xù)漲;2.告袁帝文刑事不起訴 聯(lián)發(fā)科遭對(duì)手大挖角;3.Gartner:2013年eMCP銷(xiāo)售成長(zhǎng)超越eMMC;4.中國(guó)留學(xué)生在美買(mǎi)傳感器遭釣魚(yú)執(zhí)法;5.大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器,DRAM供貨
【導(dǎo)讀】供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當(dāng)紅 受惠于國(guó)際大廠如三星、海力士等將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND FLASH,DRAM產(chǎn)業(yè)今年供給吃緊,報(bào)價(jià)維持高檔,不像過(guò)去明顯受到PC淡季效應(yīng)影響,加上第 4季PC傳統(tǒng)旺季來(lái)臨,需求明