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詳解嵌入式中參數(shù)存儲(chǔ)的一種方式
如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫入一次呢? 將參數(shù)存
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供不應(yīng)求 存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格依然在上漲
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。
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兆易創(chuàng)新的“并購(gòu)”之路越走越遠(yuǎn)，“終點(diǎn)”在哪里
兆易創(chuàng)新是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)龍頭，公司董秘李紅表示，在國(guó)家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)及芯片進(jìn)口替代加快的趨勢(shì)下，集成電路行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期，兆易創(chuàng)新將充分受益于行業(yè)景氣周期。公司在原有NOR Flash市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，增添了NAND和MCU等新的成長(zhǎng)點(diǎn)，并將通過收購(gòu)北京矽成完善公司存儲(chǔ)器版圖。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼
如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫入一次呢? 將參數(shù)存
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新興內(nèi)存技術(shù)搶占市場(chǎng)，抗衡DRAM、NAND Flash還是太嫩？
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。
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最大NOR Flash制造商美光/Cypress為啥在減量
繼美光后，全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場(chǎng)，專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息，加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入OLED面板，同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度，明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)供不應(yīng)求 NOR Flash的春天或?qū)砼R
有數(shù)據(jù)顯示，到2020年，全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到40ZB。而存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)的基石，市場(chǎng)規(guī)模也隨之不斷擴(kuò)大。存儲(chǔ)器行業(yè)屬于周期性行業(yè)從歷史表現(xiàn)上看，存儲(chǔ)器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲(chǔ)器行業(yè)周期特征明顯主
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HOLTEK推出HT45F0084無線吸塵器ASSP Flash MCU
Holtek推出全新的無線吸塵器ASSP Flash MCU - HT45F0084，內(nèi)建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護(hù)，針對(duì)電機(jī)與電池提供完整的保護(hù)，也可節(jié)省外圍零件，非常適合開發(fā)無線吸塵器中的直流有刷電機(jī)機(jī)種。
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HOLTEK推出HT66FB572/HT66FB574 USB RGB LED Flash MCU
Holtek推出專門應(yīng)用于多彩RGB LED產(chǎn)品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574，除適用于一般計(jì)算機(jī)外設(shè)與消費(fèi)性產(chǎn)品外，其最大的特點(diǎn)是以內(nèi)建定電流源分別配合15 / 24個(gè)PWM輸出.
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華為P10閃存混著用因供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨？
余承東日前爆料稱，P10系列手機(jī)混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因，就是供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨，華為的存儲(chǔ)至今還處于缺貨之中。那么，NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何?缺貨問題何時(shí)能夠得到緩解?
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存儲(chǔ)器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲(chǔ)器龍頭大廠針對(duì)3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測(cè)業(yè)者表示，估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價(jià)格漲勢(shì)回穩(wěn)，而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后，存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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5G來臨 帶動(dòng)內(nèi)存大需求
力晶集團(tuán)執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，第五代行動(dòng)通訊(5G)快速興起，將啟動(dòng)大量影像傳輸需求，加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長(zhǎng)，將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強(qiáng)勁需求，但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸，預(yù)料明年DRAM還是會(huì)缺貨。
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你以為NAND Flash降價(jià)了，手機(jī)就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。
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NOR Flash漲價(jià)將持續(xù)一年 需求旺盛 供貨不足是主因
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出，受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機(jī)數(shù)量大幅增加，以及 TDDI 技術(shù)所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動(dòng)，加上如美光、兆
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2017年全年硬盤供貨吃緊！英特爾將繼續(xù)以供應(yīng)企業(yè)級(jí) SSD 硬盤為主
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體龍頭英特爾(intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知，預(yù)計(jì) 2017 年全年 SSD 硬盤因?yàn)楣?yīng)吃緊，這也迫使得英特爾未來將優(yōu)先以供應(yīng)數(shù)
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HOLTEK新推出BH66F2470/BH67F2470血糖儀Flash MCU
Holtek在血糖儀產(chǎn)品上，繼第一代HT45F65/HT45F66/HT45F67之后再推出高度整合的BH66F2470及BH67F2470。
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采用PCI-e接口的SSD要進(jìn)軍汽車領(lǐng)域？
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等
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2017年整體TLC-SSD出貨比重將超過75%
固態(tài)硬盤(Solid State Drives)，簡(jiǎn)稱固盤，固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。
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東芝半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)白熱化，海力士備重金欲入主
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競(jìng)爭(zhēng)即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評(píng)價(jià)。
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NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
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