TrendForce集邦咨詢(xún)：HBM3e產(chǎn)出放量帶動(dòng)，2024年底HBM投片量預(yù)估占先進(jìn)制程比重35%

May 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究，三大原廠(chǎng)開(kāi)始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲(chǔ)器合約價(jià)翻揚(yáng)后，公司資金投入開(kāi)始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來(lái)看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。

TrendForce集邦咨詢(xún)：2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

May 6, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。

TrendForce集邦咨詢(xún)：DRAM廠(chǎng)陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)，預(yù)估對(duì)第二季總DRAM位元產(chǎn)出影響低于1%

Apr. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)于403震后對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查，各供貨商所需檢修及報(bào)廢晶圓數(shù)量不一，且廠(chǎng)房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果，因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)作，其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程，多為1alpha與1beta nm，預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比;其余DRAM廠(chǎng)仍停留在38、25nm，產(chǎn)出占比相對(duì)小。整體而言，預(yù)期本次地震對(duì)第二季DRAM產(chǎn)出位元影響仍可控制在1%以?xún)?nèi)。

TrendForce集邦咨詢(xún)：2024全年HBM供給位元年增預(yù)估高達(dá)260%，產(chǎn)能將占DRAM產(chǎn)業(yè)14%

Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售價(jià)高昂、獲利高，進(jìn)而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%，供給位元年成長(zhǎng)約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。

TrendForce集邦咨詢(xún)：HBM3原由SK海力士獨(dú)供，三星獲AMD驗(yàn)證通過(guò)將急起直追

Mar. 13, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市場(chǎng)主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規(guī)格則為最新HBM3e產(chǎn)品。不過(guò)，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。

傳HBM良率僅為65%，存儲(chǔ)大廠(chǎng)力爭(zhēng)通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠(chǎng)商提出挑戰(zhàn)，因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。

TrendForce集邦咨詢(xún)：量?jī)r(jià)齊揚(yáng)，2023年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增近三成

Mar. 5, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，受惠于備貨動(dòng)能回溫，以及三大原廠(chǎng)控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價(jià)格走揚(yáng)，帶動(dòng)2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)174.6億美元，季增29.6%。目前觀(guān)察2024年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)，原廠(chǎng)目標(biāo)仍為改善獲利，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈，促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成，然出貨位元?jiǎng)t面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。

美光發(fā)布第二代HBM3，加速AI計(jì)算應(yīng)用

AI應(yīng)用爆發(fā)促進(jìn)了數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)構(gòu)架的發(fā)展，而HBM市場(chǎng)也將受益于此，據(jù)悉未來(lái)三年HBM的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)50%。目前HBM技術(shù)最新已經(jīng)發(fā)展到了HBM3e，而預(yù)期明年的大規(guī)模AI計(jì)算系統(tǒng)商用上，HBM3和HBM3e將會(huì)成為主流。

TrendForce集邦咨詢(xún)：大型云端業(yè)者積極建置AI 服務(wù)器，加速推升AI芯片與HBM需求，預(yù)估2024年先進(jìn)封裝產(chǎn)能將提升3~4成

TrendForce集邦咨詢(xún)：AI服務(wù)器需求帶動(dòng)， HBM供應(yīng)龍頭SK海力士今年市占率將逾五成

Apr. 18, 2023 ---- AI服務(wù)器出貨動(dòng)能強(qiáng)勁帶動(dòng)HBM(high bandwidth memory)需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2022年三大原廠(chǎng)HBM市占率分別為SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。此外，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠(chǎng)也已規(guī)劃相對(duì)應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶(hù)導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士作為目前唯一量產(chǎn)新世代HBM3產(chǎn)品的供應(yīng)商，其整體HBM市占率可望藉此提升至53%，而三星、美光則預(yù)計(jì)陸續(xù)在今年底至明年初量產(chǎn)，HBM市占率分別為38%及9%。

扎根中國(guó)，瑞薩電子看好數(shù)據(jù)需求和CASE領(lǐng)域

瑞薩電子本著扎根中國(guó)、服務(wù)中國(guó)的原則，一直致力于推動(dòng)在中國(guó)的本土化活動(dòng)。瑞薩電子比較看好的有數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)中心相關(guān)領(lǐng)域以及對(duì)數(shù)據(jù)需求的爆炸式增長(zhǎng)，提供從網(wǎng)絡(luò)核心，從內(nèi)存和接口、光學(xué)產(chǎn)品到低延遲HBM（一直到網(wǎng)絡(luò)端點(diǎn)）的所有解決方案。此外，還將擴(kuò)展模擬和電源產(chǎn)品到xEV（BMIC / IGBT），ADAS/自動(dòng)駕駛傳感器（Lidar / Radar）領(lǐng)域，這一戰(zhàn)略也已經(jīng)通過(guò)Intersil/IDT的收購(gòu)付諸實(shí)踐。

臺(tái)積電宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封裝12顆HBM

除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進(jìn)展和規(guī)劃，臺(tái)積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù)，畢竟隨著高性能計(jì)算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜，單靠升級(jí)制程工藝已經(jīng)不能解決所有問(wèn)題。 臺(tái)積電的CoW

從HBM到HBM2E，推動(dòng)超高速存儲(chǔ)器半導(dǎo)體發(fā)展

雖然封裝不易，但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 稱(chēng)為 Flashbolt，SK海力士方面只用 HBM2E 來(lái)稱(chēng)呼它。

DDR內(nèi)存會(huì)很快被HBM內(nèi)存淘汰嗎？

這一年來(lái)有關(guān)國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會(huì)推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國(guó)際主流水平。但是放眼整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)，DDR5內(nèi)存很快就要來(lái)了，更可怕的是未來(lái)即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來(lái)需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會(huì)有HBM 3內(nèi)存，2024年則會(huì)有HBM 4內(nèi)存，屆時(shí)帶寬可達(dá)8TB/s，單插槽容量可達(dá)512GB。

HBM顯存大升級(jí)：?jiǎn)晤w容量8GB 帶寬256GB/s

AMD Fiji系列顯卡已經(jīng)首發(fā)用上了HBM高帶寬顯存，而在今年，AMD、NVIDIA的新一代顯卡都會(huì)用上第二代的HBM2。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，JESD235 HBM DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范升級(jí)為新版“JESD235A”。新版充分融入了