MOSFET
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CMOS耗盡模式技術具有許多優(yōu)勢，第一部分
傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷，因此不適合數字開關。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當柵極控制電壓在電源和地之間變化時，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。
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柵極驅動器的重要性，第二部分
為了最大限度地減少開關階段的功耗，必須盡快對柵極電容器進行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅動器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會降低，因為功率瞬態(tài)的峰值會更短。一般來說，柵極驅動器執(zhí)行以下任務：
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采用高可信度的MOSFET模型進行基于模型的功率轉換器設計
在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型在多個設計維度之間進行權衡。使用有源器件的簡易開關模型可以進行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設計中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉換器設計人員該如何結合使用系統(tǒng)級模型和精細模型，探索設計空間，并帶來高可信度結果。本文使用MathWorks的系統(tǒng)級建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細的英飛凌車規(guī)級MOSFET SPICE子電路），對該過程進行示范性展示。
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意法半導體推出符合 VDA 標準的LIN 交流發(fā)電機穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車電氣系統(tǒng)的性能和靈活性
該穩(wěn)壓器內置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當勵磁關閉時，續(xù)流二極管負責提供轉子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應控制 (LRC)和回路LRC控制，當車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸出電壓保持穩(wěn)定不變。
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新品推薦：-60V SGT介紹
2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產品,性能達到行業(yè)領先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨特的柵極負壓開啟機制，使其成為高端開關的理想選擇。P 溝道MOSFET特性的優(yōu)勢在于可簡化柵極驅動技術，降低應用的設計復雜度，從而降低整體成本。
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電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關損耗是不可接受的。由于采用了“場效應”技術，使用稱為 Power-mos 或場效應功率晶體管的開關器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。
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評估 SiC 在汽車行業(yè)之外的潛力
碳化硅 (SiC) 因其更高的開關頻率和更高的結溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過去五年中，汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗場。事實證明，通過 SiC 轉換器實現(xiàn) DC 到 AC 的基本轉換比硅 (Si) 轉換器更小、更輕且更高效，因此寬帶隙器件在汽車行業(yè)的潛力將顯著增長。
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使用 SiC MOSFET 提高工業(yè)驅動能效
工業(yè)電源應用基于強大的電動機，可以在風扇、泵、伺服驅動器、壓縮機、縫紉機和冰箱中找到。三相電動機是最常見的電動機類型，它由適當的基于逆變器的驅動器驅動。它可以吸收一個行業(yè)高達 60% 的全部電力需求，因此對于驅動器提供高效率水平至關重要。
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從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術的發(fā)展
本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。
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溫度監(jiān)控系統(tǒng)優(yōu)化電源設計中的冷卻系統(tǒng)
與低功率同類產品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產生大量熱量。因此，有效的熱管理對于確保電力電子設備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導體材料制成的設備。
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使用新型預驅動器和 MOSFET 的汽車功率負載控制
今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置，使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外，傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動力轉向和自動變速箱)正在被電動等效系統(tǒng)取代，以幫助減輕整體重量并提高燃油經濟性。
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說明 SiC MOSFET 在電力電子中的優(yōu)勢
電力設計是由市場需求驅動的，以提高效率和生產力，同時符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導體設計的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長期以來一直在功率半導體中占據主導地位的地方，寬帶隙 (WBG) 技術，尤其是碳化硅 (SiC) 技術的最新進展正在為電力電子系統(tǒng)的設計人員帶來額外的好處，提高效率和更高的電壓能力，從而減少形式因素。
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新增國產耗盡型MOSFET，世強硬創(chuàng)全線代理方舟微消費/工業(yè)類產品線
2022年3月24日，世強硬創(chuàng)平臺與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議，方舟微授權世強硬創(chuàng)平臺代理旗下耗盡型MOSFET、增強型MOSFET和保護器件等全線產品。
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國際碳化硅專利布局報告出爐，MOSFET量產公司派恩杰受關注
在幾家造車新勢力高調推出搭載碳化硅芯片模組的主驅逆變器大功率平臺電動汽車后，中國功率半導體上車進程開始進入白熱化，電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應晶體管，可實現(xiàn)最高功率密度
宜普電源轉換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2066)，為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。
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Diodes 公司 PowerDI8080 封裝的 MOSFET 提升現(xiàn)代汽車應用功率密度
【2022 年 05 月 26 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動車 (EV) 產品應用需求的功率封裝 PowerDI?8080-5。PowerDI?8080-5 封裝的首款產品為 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 閘極驅動下，此款符合汽車規(guī)格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 僅為 0.54mΩ，閘極電荷為 117nC。如此領先業(yè)界的效能使汽車高功率 BLDC 馬達驅動器、DC-DC 轉換器及充電系統(tǒng)的設計人員能大幅提升系統(tǒng)效率，同時確保將功耗維持在絕對最低水平。
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。
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意法半導體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
2022 年 5 月 18日，中國 – 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。
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在電池保護應用中如何選擇 MOSFET器件
在這篇文章中，我們將研究 MOSFET 用于電池保護。 每年，越來越多的電子設備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。高功率密度、低自放電率和易于充電使其成為幾乎所有便攜式電子產品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機到每天數以百萬計開車上班的電動汽車，應有盡有由鋰離子電池供電。盡管它們具有許多優(yōu)點，但這些電池也帶來了一定的風險和設計挑戰(zhàn)，如果不成功緩解這些風險和設計挑戰(zhàn)，可能會導致災難性的后果。我認為沒有人會很快忘記 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 設備平板電腦和隨后的召回。
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負載開關的應用如何選擇 MOSFET器件
MOSFET 被用作負載開關的次數超過了在任何其他應用中的使用量，一次數量為數億個。我可能應該從我在這里定義“負載開關”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故，考慮負載開關任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (
