MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

使用 30V 柵極驅(qū)動器管理電源噪聲

世界是一個嘈雜的地方——電源也不例外。為了追求更高的效率，電源轉(zhuǎn)換器以越來越快的速度切換會產(chǎn)生意想不到的問題，包括增加系統(tǒng)對瞬態(tài)和噪聲的敏感性。在選擇如何設(shè)計電源以及使用哪些組件來設(shè)計電源時，考慮到這種敏感性很重要。

電源電路
2022-02-14

電源噪聲 MOSFET
沒有輸入電壓檢測是否可以實現(xiàn)功率因數(shù)校正 (PFC) ？

功率因數(shù)校正 (PFC) 強制輸入電流跟隨輸入電壓 (V IN )，因此任何電氣負載看起來都像一個電阻器。此操作需要感測輸入電壓并基于該感測調(diào)制電流參考。電流環(huán)路將強制輸入電流跟隨參考。

電源電路
2022-02-12

功率因數(shù)校正 (PFC) MOSFET
固態(tài)繼電器設(shè)計的現(xiàn)代方法

固態(tài)繼電器 (SSR) 是一種基于半導(dǎo)體的設(shè)備，用于對負載進行開/關(guān)控制。SSR中通常使用的半導(dǎo)體包括兩種類型的功率晶體管和兩種類型的晶閘管。功率晶體管包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。晶閘管包括可控硅整流器 (SCR) 和三極交流開關(guān) (TRIAC)。

電源電路
2022-02-12

固態(tài)繼電器 (SSR) MOSFET
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

詳細介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理！

半導(dǎo)體基礎(chǔ)
2022-02-10

電子功率器件 MOSFET
使用 PowerStack 封裝堆疊電流以獲得更高功率的 POL

電壓調(diào)節(jié)器，尤其是帶有集成 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，已經(jīng)從簡單的、由輸入電壓、輸出電壓和電流定義的低功率電源發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高的功率、監(jiān)控它們運行的環(huán)境和適應(yīng)因此。

功率器件
2022-01-12

PowerStack 封裝 MOSFET
高級控制器和 NexFET? 電源塊在高功率 POL 應(yīng)用中的靈活性

高性能電源設(shè)計繼續(xù)要求在日漸縮小的板上空間中提供更高的功率。更高的電源密度對電源設(shè)計師提出了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計必須具有高于 90% 的轉(zhuǎn)換效率，以限制功耗和電源中的溫升。由于 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換的損耗和有限的氣流，使得散熱空間非常狹小，因此熱性能的設(shè)計尤其重要。

功率器件
2022-01-12

高性能電源 MOSFET
如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件

如何為開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用選擇最合適的場效應(yīng)晶體管 (FET) ，是非常困難的。根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格預(yù)測電路性能是一個乏味的過程?，F(xiàn)在，借助在線設(shè)計工具團隊，TI 提供了一個基于網(wǎng)絡(luò)的選擇工具，可幫助我們權(quán)衡各種 MOSFET 的成本和性能權(quán)衡。該工具使用上述應(yīng)用筆記中的公式，因此僅專門涵蓋同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲。然而，由于這種拓撲絕對是用于實現(xiàn)分立 FET 的最流行的非隔離 DC/DC 拓撲，因此它仍然支持大量的電源終端應(yīng)用。

功率器件
2021-12-14

器件 SD MOSFET
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器

電動汽車、商業(yè)運輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)設(shè)計人員可從碳化硅協(xié)議棧解決方案中獲益，提高性能和成本效率，可使產(chǎn)品最多提前6個月上市

Microchip
2021-12-09

Microchip 電源碳化硅 MOSFET
安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

新器件提供卓越的開關(guān)特性，使電源能符合80 PLUS Titanium能效標準

安森美(onsemi)
2021-12-08

電信安森美 SUPER MOSFET
新品發(fā)布?|?高性能、低損耗的SUPERFET?V?MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

點擊藍字?關(guān)注我們領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發(fā)布新的600VSUPERFET??VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80PLUSTitanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600VSU...

安森美
2021-12-08

電信 RF SUPER MOSFET
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。

派恩杰半導(dǎo)體
2021-12-07

封裝 SIC IC模塊 MOSFET
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

概述：MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當，容易造成器...

21ic電子網(wǎng)
2021-12-07

電路電流柵極 MOSFET
意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗

點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國——STPOWERMDmeshK6新系列超級結(jié)晶體管改進多個關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應(yīng)用，例如，LED驅(qū)動器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...

意法半導(dǎo)體
2021-12-07

意法半導(dǎo)體 MESH POWER MOSFET
SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個P區(qū)域之間，當電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過時，將產(chǎn)生JF...

松哥電源
2021-11-29

MOSFET
全球MOSFET制造商名錄

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件?；旧?，功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件(PowerDiscrete)與功率積體電路(PowerIC)二大類，其中，功率...

滿天芯
2021-11-29

MOSFET
如何選擇 MOSFET去對鋰電池進行保護？

每年，越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。. 高功率密度、低自放電率和易于充電使它們成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機到電動汽車，每天都有數(shù)百萬人開車上班由鋰離子電池供電。

功率器件
2021-11-24

電池保護 MOSFET
如何選擇合適的MOSFET作為電子開關(guān)

MOSFET 被用作負載開關(guān)的次數(shù)比它們在任何其他應(yīng)用中的使用量都要多，其數(shù)量一次達到數(shù)億。我可能應(yīng)該從我在這里如何定義“負載開關(guān)”開始。為了這篇文章，考慮負載開關(guān)任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (

功率器件
2021-11-24

電子開關(guān) MOSFET
如何為用于設(shè)備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件

當電源突然與其負載斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生劇烈的電壓尖峰，這可能對電路上的電子元件有害。與電池保護應(yīng)用類似，這里的 MOSFET 用于將輸入電源與電路的其余部分隔離。

電源電路
2021-11-24

熱插拔 MOSFET
如何正確的為電機控制選擇合適的MOSFET

這篇文章我們將開始研究特定終端應(yīng)用需要考慮哪些具體注意事項，首先從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動電機的 FET 開始。電機控制是 30V-100V 分立式 MOSFET 的一個巨大（且快速增長）市場，特別是對于驅(qū)動直流電機的許多拓撲。在這里，我將重點介紹如何選擇正確的 FET 來驅(qū)動有刷、無刷和步進電機。雖然硬性規(guī)則很少，而且可能有無數(shù)種不同的方法，但我希望這篇文章能夠讓我們根據(jù)我們的最終應(yīng)用程序從哪里開始。

功率器件
2021-11-24

電機控制 MOSFET
如何為開關(guān)模式電源選擇合適的MOSFET

也許當前市場上高性能功率 MOSFET 最常見的用途也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比在開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用 MOSFET 的情況更混亂。

功率器件
2021-11-24

開關(guān)電源 MOSFET

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MOSFET

使用 30V 柵極驅(qū)動器管理電源噪聲

沒有輸入電壓檢測是否可以實現(xiàn)功率因數(shù)校正 (PFC) ？

固態(tài)繼電器設(shè)計的現(xiàn)代方法

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

使用 PowerStack 封裝堆疊電流以獲得更高功率的 POL

高級控制器和 NexFET? 電源塊在高功率 POL 應(yīng)用中的靈活性

如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件

Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器

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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗

SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

全球MOSFET制造商名錄

如何選擇 MOSFET去對鋰電池進行保護？

如何選擇合適的MOSFET作為電子開關(guān)

如何為用于設(shè)備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件

如何正確的為電機控制選擇合適的MOSFET

如何為開關(guān)模式電源選擇合適的MOSFET

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