基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計方案

　　1.概述　　功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的，它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓，從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動。功率MOSFET已大量應用于電力電子，消費電子、

適用于小功率電機驅(qū)動的MOSFET逆變模塊設(shè)計

　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計的MOSFET和

如何選擇最佳的開關(guān)式DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　利用電容、電感的儲能的特性，通過可控開關(guān)（MOSFET等）進行高頻開關(guān)的動作，將輸入的電能儲存在電容（感）里，當開關(guān)斷開時，電能再釋放給負載，提供能量就是開關(guān)電源

采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的電路

如何優(yōu)化PCB設(shè)計以最大限度提高超級結(jié)MOSFET的性能

　　基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比

如何為電源系統(tǒng)開關(guān)控制器選擇合適的MOSFET？

　　DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導

基于漏極導通區(qū)特性來理解MOSFET的開關(guān)過程

　　MOSFET 的柵極電荷特性與開關(guān)過程　　盡管 MOSFET 在開關(guān)電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應用，但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解 MOSFET 開關(guān)過程，以

安世半導體年度產(chǎn)能超過1000億件

2月21日，全球領(lǐng)先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件制造商安世半導體通過其官方微信公眾號宣布：安世半導體被荷蘭恩智浦剝離出來作為一家獨立公司，僅用兩年時間即領(lǐng)先市場同行，實現(xiàn)收入增長超過35%，將年度產(chǎn)能擴產(chǎn)至超過1000億件。

采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測電路

MOSFET學習：N溝道MOS管和P溝道MOS管

MOS/CMOS集成電路簡介及N溝道MOS管和P溝道MOS管 在實際項目中，我們基本都用增強型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。 我們常用的是NMOS，因為其導通電阻小，且容易

Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。

意法半導體推出快速恢復的超結(jié)MOSFET，為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能

意法半導體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結(jié)構(gòu)里。

英特爾14nm CPU產(chǎn)能開出，MOSFET淡季不淡！

去年一直困擾著大中、杰力等MOSFET廠的6吋及8吋晶圓代工產(chǎn)能不足問題，今年上半年也獲得解決。 由于小尺寸面板驅(qū)動IC及微控制器(MCU)投片量明顯減少，MOSFET廠第一季可以取得更多晶圓代工產(chǎn)能支持，上半年不會再有產(chǎn)能不足情況發(fā)生。

基本半導體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導體緊跟時代步伐，采用國際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計生產(chǎn)工藝，推出國內(nèi)首款通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，助推國內(nèi)第三代半導體技術(shù)發(fā)展。

世界先進董事長：MOSFET需求仍旺盛，貿(mào)易戰(zhàn)對其影響不大！

中美貿(mào)易戰(zhàn)對金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)為主的分離式元件供需影響較小，他認為，目前MOSFET需求仍十分旺盛。

MOSFET

本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET（金氧半場效晶體管）。 當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十

8吋晶圓訂單依舊滿載，需求勝于12吋！

8吋半導體矽晶圓大廠合晶指出，8吋訂單依舊滿載，不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象，稼動率有松動的情況。據(jù)悉，8吋重摻半導體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢，漲幅可望達到10%以上，而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數(shù)附近。

貿(mào)澤開售TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品 支持新型電動機的高密度需求

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。

什么是MOSFET

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)

MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費下載！

一種能對Vishay Siliconix MOSFET的熱性能進行模擬，并號稱是第一款利用有限元分析以提高精確度的免費在線工具目前正在網(wǎng)上流行。 Vishay提供的ThermaSim讓設(shè)計者可以