MOSFET
-
LTC4366浪涌抑制器入門(mén)簡(jiǎn)介
概述：LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過(guò)控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過(guò)壓瞬變過(guò)程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過(guò)壓的情況下，負(fù)載可以
-
飛兆半導(dǎo)體的80 V MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢(shì)，能同時(shí)為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)和次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7
-
電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序
由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低壓側(cè)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟。低壓側(cè)開(kāi)啟開(kāi)關(guān)至關(guān)重要，
-
隔離式3.3V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)換器的分立設(shè)計(jì)
隔離式3.3V到5V轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)，這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個(gè)3.3V電源工作以節(jié)省電量，而總線電壓為5V,以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過(guò)程中的信號(hào)完整性并提供
-
具高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
引言 總線電壓浪涌不僅對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成危險(xiǎn)，也對(duì)負(fù)載帶來(lái)威脅。傳統(tǒng)的過(guò)壓保護(hù)方案采用熔絲，其動(dòng)作速度和可靠性均未必足以保護(hù)諸如FPGA、ASIC和微處理器等負(fù)載。一種
-
為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士
歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專(zhuān)欄，就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。該專(zhuān)欄面向各級(jí)設(shè)計(jì)工程
-
IR推出100V集成MOSFET方案
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFETMOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱(chēng)PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針
-
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專(zhuān)門(mén)驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
-
憑借對(duì)SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商
近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商獎(jiǎng)”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。
-
ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驅(qū)動(dòng)兩級(jí)外部 N 溝道功率 MOSFET
LTC7840 的一種典型應(yīng)用是利用第一個(gè)通道將 12V 輸入電壓提升到 48V，第二個(gè)通道將 48V 升壓至240V 并提供高達(dá) 700mA 的輸出電流，因而使其非常適合汽車(chē)、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
-
IR推出新型DirectFET MOSFET
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類(lèi)解決方案減少30%。 單個(gè)采用SO-8封裝的IRF6648
-
一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)稱(chēng)功率300W的逆變電源，用于家庭電風(fēng)扇、電視機(jī)，以及日常照明等是不成問(wèn)題的。300W逆變器，利用12V/60AH蓄電池向上述家用電器供電，一次充滿電后，可使用近5小時(shí)。不過(guò)，
-
ROHM株式會(huì)社小型大功率封裝MOSFET MPT6
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總社設(shè)在京都市）最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率
-
從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
-
功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)采用的長(zhǎng)延時(shí)熱脫扣試驗(yàn)方案是通過(guò)變壓器直接對(duì)斷路器施加一個(gè)電壓以獲得測(cè)試電流。在測(cè)試過(guò)程中，由于電網(wǎng)電壓的波動(dòng)、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電
-
利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
-
MOSFET安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
-
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車(chē)自動(dòng)空調(diào)的電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及分立元件等方案
在當(dāng)今的汽車(chē)設(shè)計(jì)中，空調(diào)已是標(biāo)準(zhǔn)的舒適性配置。從功能上講，當(dāng)今的汽車(chē)空調(diào)實(shí)際上是將加熱、制冷及通風(fēng)等功能一體化，成為汽車(chē)加熱、通風(fēng)空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡(jiǎn)稱(chēng)為&ld
-
NexFETTM：新一代功率MOSFET
對(duì)于理想開(kāi)關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開(kāi)關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開(kāi)關(guān)。作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)
-
電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常
- AMD 2026技術(shù)日4月2日登陸北京，21ic邀你來(lái)報(bào)名
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期：工業(yè)自動(dòng)化中的AI視覺(jué)系統(tǒng)
- 歐姆龍電子樣品商城小程序來(lái)襲，找樣品不用等！現(xiàn)貨供應(yīng)+全場(chǎng)包郵
- Littelfuse應(yīng)用學(xué)習(xí)社第一期：打造更穩(wěn)定與安全的數(shù)據(jù)中心解決方案
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗(yàn)
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
