MOSFET
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具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
引言 總線電壓浪涌不僅對DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成危險，也對負載帶來威脅。傳統(tǒng)的過壓保護方案采用熔絲，其動作速度和可靠性均未必足以保護諸如FPGA、ASIC和微處理器等負載。一種
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為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設計小貼士
歡迎來到電源設計小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。該專欄面向各級設計工程
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IR推出100V集成MOSFET方案
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFETMOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針
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隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專門驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅(qū)動強度和隔離度。
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憑借對SiC MOSFET的大力推廣 世強獲Littelfuse最佳市場開發(fā)代理商
近日，全球排名第一的電路保護品牌Littelfuse向世強頒發(fā)了“最佳市場開發(fā)代理商獎”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場開發(fā)方面所作出的杰出貢獻。
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ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驅(qū)動兩級外部 N 溝道功率 MOSFET
LTC7840 的一種典型應用是利用第一個通道將 12V 輸入電壓提升到 48V，第二個通道將 48V 升壓至240V 并提供高達 700mA 的輸出電流，因而使其非常適合汽車、工業(yè)和醫(yī)療應用。
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IR推出新型DirectFET MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導電損耗可比同類解決方案減少30%。 單個采用SO-8封裝的IRF6648
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一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設計與制作
標稱功率300W的逆變電源，用于家庭電風扇、電視機，以及日常照明等是不成問題的。300W逆變器，利用12V/60AH蓄電池向上述家用電器供電，一次充滿電后，可使用近5小時。不過，
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6
半導體制造商ROHM株式會社（總社設在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率
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從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
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功率穩(wěn)壓逆變電源的設計與應用
目前國內(nèi)大多數(shù)采用的長延時熱脫扣試驗方案是通過變壓器直接對斷路器施加一個電壓以獲得測試電流。在測試過程中，由于電網(wǎng)電壓的波動、載流電路中引線電阻變化、負載本身電
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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡及存儲服務器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
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MOSFET安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
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安森美半導體應用于汽車自動空調(diào)的電源、電機驅(qū)動及分立元件等方案
在當今的汽車設計中，空調(diào)已是標準的舒適性配置。從功能上講，當今的汽車空調(diào)實際上是將加熱、制冷及通風等功能一體化，成為汽車加熱、通風空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡稱為&ld
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
對于理想開關的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時
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電源設計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常
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利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務、學術和政府體系等眾多領域發(fā)揮著重要的作用。不過，與此同時，數(shù)據(jù)中
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電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱
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MOSFET陷缺貨潮，大中或借漲價提升毛利率
法人預期，MOSFET市場在缺貨效應加持下，大中可望借由產(chǎn)品漲價提升毛利率，第三季獲利相較上季有機會明顯提升。
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電源設計小貼士28：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升——第1部分
在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的
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