MOSFET
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厲害了！MOSFET 驅動器，可提供100%的占空比
亞德諾半導體 (Analog Devices， Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7001，該器件以高達 150V 電源電壓運行。其內部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關，使其能夠保持無限期接通。LTC7001 強大的 1Ω 柵極驅動器可憑借非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅動柵極電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關和靜態(tài)開關應用。
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安森美先進的同步整流控制器FAN6248提高能效和可靠性并簡化設計
在電源設計中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導通損耗，提供更高的電流能力，實現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉換器時，會有不少的技術挑戰(zhàn)，如：1) 由于不同工作頻率造成最小導通時間設置的困難;2) 由于雜散電感造成過早的同步整流關斷，導通損耗增加;3) 輕載條件下由于電容電流尖峰導致同步整流電流反向，最終對系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響。安森美半導體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于
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美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶設計和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 和全球領先的高性能模擬技術提供商Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅(SiC)驅動器參考設計解決方案，其基礎為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅動器。這款雙碳化硅MOSFET驅動器參考設計提供用戶友好的設計指南，并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。
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Linear 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7000/-1
亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7000/-1，該器件采用高達
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管
21IC訊 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出面向多種應用的EPC2046功率晶體管，包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
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TI推出用于電機控制的業(yè)界最小柵極驅動器和功率MOSFET解決方案
設計人員可以將空間有限的電機驅動器的功率密度提高一倍近日，德州儀器 (TI) 推出兩款新型器件，有助于減小電機驅動應用的尺寸和重量。當兩者結合使用時，DRV832x無刷直流
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ST推出新款MDmesh MOSFET內置快速恢復二極管 提升高能效轉換器的功率密度
意法半導體推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，內部增加一個快速恢復二極管的甚高壓(VHV)超結晶體管，這樣結構有助于設計人員最大限度提升各種功率轉換拓撲的能效，包括零
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Diodes 推出閘極驅動器 簡化馬達和電源供應器中 MOSFET 與 IGBT 的切換
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 閘極驅動器，皆為浮點高側驅動器，簡化了半橋組態(tài)下兩部 N 溝道 MOSFET 或兩部 IGBT 的切換。這些驅動器產(chǎn)品適合工業(yè)自動
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Diodes 推出 50V MOSFET 閘極驅動ICs 可滿足電池供電 BLDC 馬達的驅動需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅動 ICs，專門設計用于驅動半橋組態(tài)下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿足各種馬達驅動需求，特別是無刷直流 (
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用
英飛凌科技股份公司壯大現(xiàn)有的CoolMOS 技術產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。
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意法半導體(ST)同級領先的900V MOSFET管 提升反激式轉換器的輸出功率和能效
意法半導體最新的900V MDmesh™ K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。900V擊穿電壓確
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面向高功率密度應用的集成化MOSFET調壓器可減少外圍器件數(shù)量
英飛凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一種簡單易用的全集成型高效直流-直流調壓器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散熱管理的高密度負載點應用。該器件非常適合用于網(wǎng)絡、電信、服務器和存儲解決方案。該調壓器搭載穩(wěn)定性增強引擎，在簡化設計的同時，只需要純陶瓷電容就可以確保穩(wěn)定性。比較而言，其他解決方案需要額外配備用于保證穩(wěn)定性和紋波注入的外圍器件。因此，IR3883可減少多達5個外圍器件，可簡化尺寸小于100平方毫米的電路板布局設計。
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功率MOSFET關斷損耗計算攻略
本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式，供大家參考。
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Allegro發(fā)布第二代汽車級三相隔離器MOSFET驅動器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N溝道功率MOSFET驅動器產(chǎn)品，可以通過控制相內(in-phase)隔離MOSFET器件來隔離三相負載。Allegro的A6862電機驅動器IC適用于需要滿足
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Nexperia成為分立器件、邏輯器件與MOSFETs市場新勢力
前身為恩智浦 (NXP) 標準產(chǎn)品業(yè)務的Nexperia今天宣布，該公司已正式成為一家獨立公司。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，在北京建廣資產(chǎn)管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(簡稱：智路資本)聯(lián)合投資下，擁有前恩智浦部門所累積的專業(yè)知識、制造資源和主要員工，并致力于開拓產(chǎn)品新重點的承諾，成為獨立的世界級分立器件 (Discrete)、邏輯器件(Logic) 和MOSFETs 領導者。
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在
引言即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中
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8中常見電源管理IC芯片介紹
在日常生活中，人們對電子設備的依賴越來越嚴重，電子技術的更新?lián)Q代，也同時意味著人們對電源的技術發(fā)展寄予厚望，下面就為大家介紹電源管理技術的主要分類。
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淺談MOSFET驅動電路
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
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淺談MOSFET驅動電路
在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。
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