MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗

21ic電源網(wǎng)訊英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓

功率器件
2015-05-25

MOSFET 電源新品英飛凌
Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件

功率器件
2015-05-22

Vishay MOSFET 電源新品
安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣

功率器件
2015-05-22

安森美 MOSFET 電源新品
安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣

功率器件
2015-05-22

安森美 MOSFET 電源新品
IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

汽車電子
2015-05-19

電機控制 coolirfet 車身控制 MOSFET
基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計

簡單的間歇振蕩器電路可以用來借助線圈電感的屬性提升電壓(V=L di/dt)。這種電路如圖1所示，它更常見的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)電路。上述電路的輸出是電壓脈沖，可以

電源電路
2015-05-07

電源AC/DC 焦耳小偷電路 MOSFET
大功率電源中MOSFET功率計算

也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，

功率器件
2015-05-06

大功率電源技術(shù)解析功率計算 MOSFET
8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學(xué)的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此

測試測量
2015-04-06

4g 濾波器模塊電源噪聲測試 MOSFET
Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

器件是業(yè)內(nèi)首顆通過AEC-Q101認證的完全無鉛的MOSFET，占位面積8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封裝40V

功率器件
2015-04-01

Vishay MOSFET 電源新品
Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達85%可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOS

功率器件
2015-03-19

fairchild MOSFET 電源新品
Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列

全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合，為設(shè)計師提高靈活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M

功率器件
2015-03-10

fairchild MOSFET 電源新品
e絡(luò)盟進一步擴充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET，支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計

英飛凌功率MOSFET是電信、太陽能、照明及汽車電子等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS™與OptiMOS™系

電源
2015-02-26

電源資訊 MOSFET 英飛凌
Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅(qū)動和電感無線充電電路

功率器件
2015-02-26

diodes MOSFET 電源新品
意法半導(dǎo)體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列

意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢

功率器件
2015-02-10

意法半導(dǎo)體 MOSFET 電源新品
Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

21ic電源網(wǎng) Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級

功率器件
2015-02-02

diodes MOSFET 電源新品
哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意

功率器件
2015-01-26

電源技術(shù)解析熱拔插 MOSFET
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適

功率器件
2015-01-23

Vishay 開關(guān)損耗導(dǎo)通電阻 MOSFET 電源新品
德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導(dǎo)通電阻的25 V和30 V器件21ic電源網(wǎng)訊日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低

功率器件
2015-01-22

電阻 MOSFET 電源新品
讓愛車如虎添翼：被動無鑰門禁系統(tǒng)

被動無鑰門禁概述：被動無鑰門禁，可能好多業(yè)界的朋友多對此相對陌生，它的出現(xiàn)讓車輛最大限度降低功耗，實現(xiàn)最高安全性，同時賦予高LF靈敏度和最大讀取距離。最小化的鑰匙FOB設(shè)計可通過高集成度實現(xiàn)，包括3D主動LF

汽車電子
2014-12-31

門禁系統(tǒng) 電源電壓 IP MOSFET
封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？

　　I.引言　　高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)

電源
2014-12-23

封裝電感引腳 MOSFET

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MOSFET

英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗

Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET

安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計

大功率電源中MOSFET功率計算

8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列

e絡(luò)盟進一步擴充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET，支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

意法半導(dǎo)體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列

Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

讓愛車如虎添翼：被動無鑰門禁系統(tǒng)

封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？

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