MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

IR擴(kuò)充60V StrongIRFET MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多種標(biāo)準(zhǔn)和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的

功率器件
2014-07-07

MOSFET STRONG RF 封裝
德州儀器推出業(yè)界首批支持集成型MOSFET的大電流PMBus轉(zhuǎn)換器

20A 及 30A SWIFT™ DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器支持電壓、電流以及溫度監(jiān)控日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首批具有 PMBus 接口的 18V、20A 及 30A 同步 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器。該

電源
2014-06-26

轉(zhuǎn)換器電流 MOSFET
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列具備極低導(dǎo)通電阻

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變

功率器件
2014-06-19

工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 DIRECT MOSFET
盤點(diǎn)2013中國十大電路保護(hù)技術(shù)廠商（下）

　安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、

半導(dǎo)體
2014-06-19

AC-DC 電路保護(hù) I/O MOSFET
超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生

半導(dǎo)體
2014-06-18

電流基板 TE MOSFET
反激式LED驅(qū)動中的PFC原理

作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應(yīng)用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED，需要用恒定電流進(jìn)行操作，而且必須具有

顯示光電
2014-06-13

反激式 LED驅(qū)動 PFC MOSFET
保護(hù)敏感電子組件，抵御高壓瞬態(tài)

汽車和工業(yè)應(yīng)用中常常遇到持續(xù)時間從幾微秒到數(shù)百毫秒的高壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子產(chǎn)品不僅必須耐受瞬態(tài)電壓尖峰而不被損壞，而且在很多情況下還必須在出現(xiàn)電壓尖峰時

功率器件
2014-06-11

電子高壓組件 MOSFET
基于FAN6300準(zhǔn)諧振LED路燈電源的設(shè)計(jì)

近年來，LED 由于節(jié)能環(huán)保而在路燈照明方面得到廣泛應(yīng)用。為滿足大功率LED 的電氣特性，在傳統(tǒng)的反激變換器的基礎(chǔ)上，基于飛兆FAN6300 設(shè)計(jì)了一種準(zhǔn)諧振高壓恒流LED 路燈驅(qū)動電源。闡述了準(zhǔn)諧振開關(guān)電源的原理和優(yōu)點(diǎn)，給出了電路原理圖，以及關(guān)鍵元件的參數(shù)計(jì)算和選取方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了該設(shè)計(jì)的可行性和有效性。

電源-LED驅(qū)動
2014-06-09

諧振 AN LED路燈電源 MOSFET
聯(lián)電在先進(jìn)材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果

【導(dǎo)讀】聯(lián)電在先進(jìn)材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果聯(lián)電在2006超大規(guī)模集成電路技術(shù)會議中，針對先進(jìn)材料與組件研發(fā)提案報(bào)告其重要研究成果。這些重要發(fā)現(xiàn)主要針對半導(dǎo)體組件微小化，其中包括在

半導(dǎo)體
2014-06-09

聯(lián)電組件 BSP MOSFET
飛兆半導(dǎo)體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設(shè)計(jì)提供高效率等優(yōu)勢

【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設(shè)計(jì)提供高效率等優(yōu)勢飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench&

半導(dǎo)體
2014-06-09

汽車電子低壓電子設(shè)計(jì) MOSFET
安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案

【導(dǎo)讀】森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)

半導(dǎo)體
2014-06-09

器件安森美半導(dǎo)體電流 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體為智能電話背光應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率

【導(dǎo)讀】為了應(yīng)對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。 1mm2的小占位面積升壓開關(guān)可節(jié)省智能電話設(shè)計(jì)的板上占位空間高達(dá)6

半導(dǎo)體
2014-06-09

器件飛兆半導(dǎo)體智能電話 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體Ultra FRFET MOSFET榮獲2010年“年度電源產(chǎn)品獎”

【導(dǎo)讀】全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜志舉辦的2011年中國電子成就獎中，獲選為“年度電源產(chǎn)品獎”得獎

半導(dǎo)體
2014-06-06

飛兆半導(dǎo)體電源 ULTRA MOSFET
飛兆半導(dǎo)體在electronica上展示功率技術(shù)解決方案

【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會上，展示超過20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semico

半導(dǎo)體
2014-06-06

飛兆半導(dǎo)體 BSP ELECTRONIC MOSFET
Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率以達(dá)到能源之星評級

【導(dǎo)讀】Diodes公司推出同步$MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的$肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有

半導(dǎo)體
2014-06-06

控制器能源之星 DIODES MOSFET
兆半導(dǎo)體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF TO-Leadless封裝工藝許可協(xié)議;協(xié)議確保設(shè)計(jì)人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術(shù)供應(yīng)渠道

【導(dǎo)讀】2012年4月5日，德國紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)

半導(dǎo)體
2014-06-06

半導(dǎo)體英飛凌汽車 MOSFET
Mouser備貨TI公司的多款高效率NexFET MOSFET產(chǎn)品

【導(dǎo)讀】2012年10月26日 – Mouser Electronics， Inc.正在全面?zhèn)湄汿I公司的NexFET™功率MOSFET產(chǎn)品。TI公司的NexFET產(chǎn)品支持90%電源效率以及雙倍頻率的設(shè)計(jì)。摘要： 2012年10月26日 – Mouser Electronic

半導(dǎo)體
2014-06-06

NEX MOUSER MOSFET
看好LED燈具市場恩智浦拓展驅(qū)動產(chǎn)品線

【導(dǎo)讀】過去5年來，LED市場發(fā)生的變化為業(yè)者提供了新的增長點(diǎn)，比如恩智浦。過去幾年，該公司一直側(cè)重于室內(nèi)專業(yè)照明和高端消費(fèi)領(lǐng)域市場，如住宅和酒店，這些市場愿意花費(fèi)較高的成本享受先進(jìn)的燈光體驗(yàn)，所以，可調(diào)

半導(dǎo)體
2014-06-06

恩智浦 BSP LED燈具 MOSFET
華微電子：率半導(dǎo)體龍頭整裝待發(fā)

【導(dǎo)讀】近年來陸續(xù)開發(fā)并量產(chǎn)高頻開關(guān)電源用功率晶體管、高清電視機(jī)用晶體管、半導(dǎo)體保護(hù)器件、雙向晶閘管、VDMOS功率器件、IGBT等產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先，部分產(chǎn)品達(dá)到國際水平。摘要：近年來陸續(xù)開發(fā)并

半導(dǎo)體
2014-06-06

半導(dǎo)體微電子 BSP MOSFET
2012飛兆半導(dǎo)體收入14億美元同比降12%

【導(dǎo)讀】2012年飛兆半導(dǎo)體全年總收入為14億美元，相比2011年下降了12%，凈收入為2500萬美元，2011年則為1.46億，經(jīng)過調(diào)整后凈利潤為7100萬美元，2011年為1.7億。摘要： 2012年飛兆半導(dǎo)體全年總收入為14億美元，

半導(dǎo)體
2014-06-06

飛兆半導(dǎo)體電源 BSP MOSFET

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MOSFET

IR擴(kuò)充60V StrongIRFET MOSFET系列

德州儀器推出業(yè)界首批支持集成型MOSFET的大電流PMBus轉(zhuǎn)換器

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超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

反激式LED驅(qū)動中的PFC原理

保護(hù)敏感電子組件，抵御高壓瞬態(tài)

基于FAN6300準(zhǔn)諧振LED路燈電源的設(shè)計(jì)

聯(lián)電在先進(jìn)材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果

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安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案

飛兆半導(dǎo)體為智能電話背光應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率

飛兆半導(dǎo)體Ultra FRFET MOSFET榮獲2010年“年度電源產(chǎn)品獎”

飛兆半導(dǎo)體在electronica上展示功率技術(shù)解決方案

Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率以達(dá)到能源之星評級

兆半導(dǎo)體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF TO-Leadless封裝工藝許可協(xié)議;協(xié)議確保設(shè)計(jì)人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術(shù)供應(yīng)渠道

Mouser備貨TI公司的多款高效率NexFET MOSFET產(chǎn)品

看好LED燈具市場恩智浦拓展驅(qū)動產(chǎn)品線

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2012飛兆半導(dǎo)體收入14億美元同比降12%

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