MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

工程師該如何選擇電源？

由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡，能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時(shí)間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流

功率器件
2014-04-18

工程師電源 MOSFET BSP
如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

[導(dǎo)讀] 基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄

半導(dǎo)體
2014-04-17

電感 EMI PCB設(shè)計(jì) MOSFET
凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發(fā)表用于9V至72V系統(tǒng)的汽車(H等級(jí))及高可靠性軍事(MP-grade)等級(jí)的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，該元件可透過低損耗 N 通道 MOSFET 電橋取代全波橋式整流器，以降低10

半導(dǎo)體
2014-04-15

控制器凌力爾特汽車應(yīng)用 MOSFET
工程師該如何選擇電源？

[導(dǎo)讀] 在移動(dòng)系統(tǒng)的另一端，大型高可用性服務(wù)器機(jī)架內(nèi)至少有兩個(gè)電源，以在任何一個(gè)電源出故障時(shí)，保持服務(wù)器正常運(yùn)行。關(guān)鍵詞：供電處理器LTC4417LTC4370LTC4352電源

半導(dǎo)體
2014-04-11

LTC 工程師電源 MOSFET
凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表高效率二次側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉(zhuǎn)換器所須的一次側(cè)控制，透過感測(cè)二次側(cè)訊號(hào)來控制同步整流；Preactive模式不須訊號(hào)變壓器

半導(dǎo)體
2014-04-10

驅(qū)動(dòng)器凌力爾特變壓器 MOSFET
Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309 ，可透過 MOSFET取代輸出二極體，以達(dá)到10A輸出電流并無需散熱片。當(dāng)不使用散熱片時(shí)，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產(chǎn)生的熱而限

半導(dǎo)體
2014-04-09

驅(qū)動(dòng)器 Linear 同步整流器 MOSFET
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝

半導(dǎo)體
2014-04-08

電子封裝 Vishay MOSFET
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第

功率器件
2014-04-08

電子封裝 Vishay MOSFET
Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311 采用獨(dú)特的

功率器件
2014-04-03

驅(qū)動(dòng)器 Linear MIDDOT MOSFET
德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導(dǎo)通電阻 80V 及 100V 器件德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電

功率器件
2014-03-26

電流電源設(shè)計(jì) MOSFET
Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和

功率器件
2014-03-25

驅(qū)動(dòng)器 Vishay IGBT MOSFET
士蘭微為什么要自己做芯片制造?

【導(dǎo)讀】多年來，集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢(shì)，集成電路的規(guī)模、速度不斷提高。然而隨著世界范圍內(nèi)集成電路生產(chǎn)線的大量建立，集成電路的發(fā)展也呈現(xiàn)周期性趨勢(shì)。一旦大量集成電路生產(chǎn)線建立起來以后，集成電路

半導(dǎo)體
2014-03-24

芯片制造微電子 SD MOSFET
TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成電路芯片，這個(gè)系列是特別為TRINAMIC的熱門電機(jī)驅(qū)動(dòng)和預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片而設(shè)計(jì)的互補(bǔ)型產(chǎn)品。該全橋/半橋MOSFET封裝是驅(qū)動(dòng)線圈電流峰值在2.5A至5.5A，電壓30V至60V之間的步進(jìn)電機(jī)的理

模擬
2014-03-17

步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)芯片 TRINAMIC MOSFET
Vishay：開發(fā)中國重點(diǎn)市場(chǎng)

??? 近日，Vishay中國高級(jí)銷售總監(jiān)盧志強(qiáng)在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，因?yàn)橹袊袌?chǎng)相較其他國家增長速度更快，所以競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，并將繼續(xù)帶來許多挑戰(zhàn)。由于4G的興起、電動(dòng)車細(xì)分市場(chǎng)對(duì)新能源解決方案的需

模擬
2014-03-10

通信汽車 Vishay MOSFET
Linear 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320，該器件是一款理想二極管橋控制器，適用于 9V 至 72V 系統(tǒng)。

功率器件
2014-03-06

汽車 Linear MIDDOT MOSFET
Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1

功率器件
2014-03-04

Vishay 導(dǎo)通電阻 RF MOSFET
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng) 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極

功率器件
2014-02-25

器件隔離 IGBT MOSFET
用于車載USB供電的NCV8852

一前言在目前的車載娛樂系統(tǒng)中，USB接口已經(jīng)成為系統(tǒng)的標(biāo)配。隨著大電池容量的便攜設(shè)備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設(shè)備的需要。目前主流

電源-能源動(dòng)力
2014-02-17

電感 VI USB供電 MOSFET
飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

2014年2月13日 –許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在

消費(fèi)電子
2014-02-14

器件飛兆封裝 MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET® MOSFET

下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)

功率器件
2014-02-10

封裝 Vishay POWER MOSFET

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MOSFET

工程師該如何選擇電源？

如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

工程師該如何選擇電源？

凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

士蘭微為什么要自己做芯片制造?

TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

Vishay：開發(fā)中國重點(diǎn)市場(chǎng)

Linear 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320

Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總

用于車載USB供電的NCV8852

飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET® MOSFET

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