MOSFET
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術匯總
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅動 功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極
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用于車載USB供電的NCV8852
一 前言在目前的車載娛樂系統中，USB接口已經成為系統的標配。隨著大電池容量的便攜設備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設備的需要。目前主流
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飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應用
2014年2月13日 –許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在
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Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉換效率21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術
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Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術
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基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設計及仿真研究
絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨特的材料結構有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具設計一個0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件結構，并且運用Sentaurus TCAD軟件中的Sentaurus Device工具進行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真結果并得到設計的器件的閾值電壓（Vt
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熱插拔控制器在直流升壓電路中的設計應用
設計了一種利用熱插拔保護控制芯片，實現直流升壓電路的輸出過流、短路保護。本文分析了直流升壓電路以及熱插拔保護電路的工作原理及實現方式，詳細介紹了電路及參數設計、選擇過程，以及實際工作開關波形，并給出了設計實例。實驗證明，利用熱插拔保護控制芯片，有效地避免了常規(guī)直流升壓電路在輸出過流短路時的固有缺陷，提高了電源使用的可靠性。
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Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動計算21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內最低
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政策扶持重點 功率半導體產業(yè)進黃金發(fā)展期
據中國半導體行業(yè)協會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協調。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產業(yè)龍頭企業(yè)
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答疑解惑 盤點在開關電源設計中的經典問答題
如何為開關電源電路選擇合適的元器件和參數?很多未使用過開關電源設計的工程師會對它產生一定的畏懼心理，比如擔心開關電源的干擾問題，PCB layout問題，元器件的參數和類型
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產品獎
【導讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產品
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產品獎。EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內，以表彰在中國市場上的IC和相關產品在設
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瑞薩轉單效應，尼克森收復季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數字，市場看好來自瑞薩轉單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉單效應，尼克森收復季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數字，市場看好來自瑞薩轉單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉單效應，尼克森收復季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數字，市場看好來自瑞薩轉單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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Vishay推出通過AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
非對稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉換器中可節(jié)省空間21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK® SO
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Vishay推出通過AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封裝進步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設備市場提供新功能壓力的設計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術的優(yōu)勢，使用標準IC來構建領先于芯片組路線圖的新設計。簡介：移動功能市場需求移動電話滲透率在已開發(fā)市場達到了
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MOSFET封裝進步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設備市場提供新功能壓力的設計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術的優(yōu)勢，使用標準IC來構建領先于芯片組路線圖的新設計。簡介：移動功能市
