SIC

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

新日鐵增加SiC基板產(chǎn)能，2011年內(nèi)上市外延基板

新日鐵的SiC基板產(chǎn)品群（點(diǎn)擊放大）基板質(zhì)量出色（點(diǎn)擊放大）新日本制鐵（新日鐵）計(jì)劃在2012年3月底之前，將新一代功率半導(dǎo)體用4英寸（100mm）以下口徑的SiC基板產(chǎn)能增至目前約3倍的1000枚/月。為滿足SiC基

模擬
2011-04-27

基板 SIC 功率半導(dǎo)體新材料
飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)TranSiC公司試水碳化硅領(lǐng)域

為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）宣布收購(gòu)碳化硅（Silicon Carbide; SiC）功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)

智能硬件
2011-04-26

飛兆半導(dǎo)體碳化硅 ANSI SIC
飛兆收購(gòu)TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購(gòu)為飛兆半導(dǎo)體帶來(lái)獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、

模擬
2011-04-19

飛兆碳化硅 ANSI SIC
飛兆收購(gòu)TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購(gòu)為飛兆半導(dǎo)體帶來(lái)獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、

電源
2011-04-17

飛兆碳化硅 ANSI SIC
飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購(gòu)了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒(méi)有透露。飛兆半導(dǎo)體董事會(huì)主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOS

半導(dǎo)體
2011-04-15

飛兆半導(dǎo)體半導(dǎo)體收購(gòu) ANSI SIC
SiC基板專利綜合實(shí)力前三位為電裝、科銳、新日本制鐵”

Patent Result的分析結(jié)果。（點(diǎn)擊放大）從事專利分析等業(yè)務(wù)的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半導(dǎo)體元件的SiC基板相關(guān)專利的調(diào)查結(jié)果。結(jié)果顯示，日本電裝在“綜合實(shí)力排名”中位居首位，第二位是美國(guó)

模擬
2011-04-14

科銳 PATENT 基板 SIC
飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購(gòu)了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒(méi)有透露。飛兆半導(dǎo)體董事會(huì)主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOS

電源
2011-04-13

飛兆半導(dǎo)體半導(dǎo)體收購(gòu) ANSI SIC
瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體

瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-03-03

MOSFET IGBT SIC 功率半導(dǎo)體
【基板開(kāi)發(fā)最前沿（二）】科銳及羅姆展現(xiàn)的SiC基板的未來(lái)

圖：科銳的SiC基板。左為功率元件用4英寸品，右側(cè)為L(zhǎng)ED用6英寸品（點(diǎn)擊放大） “基板開(kāi)發(fā)最前沿”的第二篇介紹SiC基板廠商的舉措。目前使用SiC的功率半導(dǎo)體元件（以下稱功率元件）比IGBT等Si制功率元件更有望使逆

模擬
2011-03-02

羅姆科銳基板 SIC
預(yù)估臺(tái)積電2011年?duì)I收4811億元，毛利率48.39%，稅后EPS 6.59元

1.臺(tái)積電對(duì)1Q11合并營(yíng)收預(yù)估1,050~1,070億元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；營(yíng)業(yè)利益率35~37%。IBTSIC預(yù)估臺(tái)積電1Q11營(yíng)收1,063億元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，稅后凈利374.96億元，稅后EPS 1.45元。 2.IBTSIC預(yù)

模擬
2011-02-08

電子臺(tái)積電 EPS SIC
阿麗亞娜公司將為法意發(fā)射軍事通信衛(wèi)星

歐洲阿麗亞娜空間公司6日宣布，該公司將為意大利特萊斯帕齊奧電信公司發(fā)射一顆軍事通信衛(wèi)星。這顆名為Sicral-2的衛(wèi)星重達(dá)4.4噸，由泰雷茲阿萊尼亞宇航公司為意大利國(guó)防部和法國(guó)武器裝備總署設(shè)計(jì)制造。根據(jù)已簽署的協(xié)

通信技術(shù)
2010-12-07

電信軌道通信衛(wèi)星 SIC
羅姆豐富產(chǎn)品線亮相高交會(huì)

在第12屆高交會(huì)電子展上，羅姆（ROHM）展出了通過(guò)自身研發(fā)、收購(gòu)整合等途徑不斷變寬的產(chǎn)品線，及適用于汽車電子、LED、白色家電、IPC、手機(jī)等領(lǐng)域的系統(tǒng)解決方案。其中ROHM和OKI 半導(dǎo)體共同開(kāi)發(fā)完成的面向Intel Atom

21ic專訪
2010-11-26

Intel 芯片組羅姆 SIC
羅姆加強(qiáng)中國(guó)布局，積累三大產(chǎn)品線優(yōu)勢(shì)

上個(gè)世紀(jì)五十年代創(chuàng)立初期，ROHM（羅姆）生產(chǎn)銷售的產(chǎn)品只有電阻，六十年代末七十年代初，ROHM開(kāi)始進(jìn)入晶體管、二極管和集成電路等半導(dǎo)體領(lǐng)域，并成為了第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè)，在硅谷開(kāi)設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心。而今

21ic專訪
2010-11-25

羅姆 ROHM SIC
TriQuint在第10屆IEEE國(guó)際固態(tài)集成電路技術(shù)會(huì)議 (ICSICT) 上發(fā)表講演

全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商 TriQuint 半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克：TQNT）今日宣布，TriQuint半導(dǎo)體公司的高級(jí)射頻設(shè)計(jì)工程師 Wen Chen 女士將應(yīng)邀在2010年11月4日在上海舉行的第10屆IEEE國(guó)際固

消費(fèi)電子
2010-11-08

IEEE ICT TRIQUINT SIC
富士電機(jī)開(kāi)發(fā)出SiC功率元件用小型封裝

富士電機(jī)開(kāi)發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件（以下：功率元件）的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹，體積約為原來(lái)Si功率元件封裝的1/4。另外，通過(guò)采用無(wú)需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹(shù)脂等，實(shí)

模擬
2010-10-08

元件封裝富士電機(jī) SIC
Cree推出口徑為6英?的SiC底板

美國(guó)LED芯片龍頭Cree發(fā)?了口徑為6英?，約150mm的SiC底板，6英?產(chǎn)品的微管密度不超過(guò)10個(gè)/cm2，主要用于LED、高頻元件及功率半導(dǎo)體元件。 Cree目前SiC底板口徑以4英?為主，6英?底板不但可以提高生產(chǎn)效率，還可削減

消費(fèi)電子
2010-09-14

元件 LED芯片 CREE SIC
Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)

Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)

嵌入式教程
2010-08-21

C51 KEIL ANSI SIC
SICAS：2010年Q2的半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開(kāi)工率達(dá)95.6％

日前，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開(kāi)始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體

模擬
2010-08-20

半導(dǎo)體半導(dǎo)體廠商晶圓 SIC
解讀SICAS 2010 Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

SICAS(一家國(guó)際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu))統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片

模擬
2010-07-08

半導(dǎo)體硅片 MOS SIC
解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

SICAS是一家國(guó)際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)。它統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-07-08

半導(dǎo)體硅片 MOS SIC

首頁(yè) 上一頁(yè) 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 下一頁(yè) 尾頁(yè)

SIC

新日鐵增加SiC基板產(chǎn)能，2011年內(nèi)上市外延基板

飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)TranSiC公司試水碳化硅領(lǐng)域

飛兆收購(gòu)TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新

飛兆收購(gòu)TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新

飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

SiC基板專利綜合實(shí)力前三位為電裝、科銳、新日本制鐵”

飛兆半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司TranSiC

瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體

【基板開(kāi)發(fā)最前沿（二）】科銳及羅姆展現(xiàn)的SiC基板的未來(lái)

預(yù)估臺(tái)積電2011年?duì)I收4811億元，毛利率48.39%，稅后EPS 6.59元

阿麗亞娜公司將為法意發(fā)射軍事通信衛(wèi)星

羅姆豐富產(chǎn)品線亮相高交會(huì)

羅姆加強(qiáng)中國(guó)布局，積累三大產(chǎn)品線優(yōu)勢(shì)

TriQuint在第10屆IEEE國(guó)際固態(tài)集成電路技術(shù)會(huì)議 (ICSICT) 上發(fā)表講演

富士電機(jī)開(kāi)發(fā)出SiC功率元件用小型封裝

Cree推出口徑為6英?的SiC底板

Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)

SICAS：2010年Q2的半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開(kāi)工率達(dá)95.6％

解讀SICAS 2010 Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻