中國(guó)上海，2019 年5月22日 – 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟宣布供應(yīng)英飛凌全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 和發(fā)射極控制 EC7 二極管。這款 EasyPIM^TM IGBT7模塊采用知名Easy封裝，可有效提高功率密度、降低系統(tǒng)成本并縮減系統(tǒng)尺寸。1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 和 EC7 二極管技術(shù)基于新型微結(jié)構(gòu)溝槽技術(shù)，并針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可提供更柔性切換及增強(qiáng)可控性，同時(shí)還大幅降低了靜態(tài)損耗，以滿足能效要求。此外，通過將功率模塊中的最大允許過載結(jié)溫提升至 175℃，還可顯著提高功率密度。

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1200 V TRENCHSTOP? IGBT7可用于一系列模塊，包括:EasyPIM??1B 1200 V 10 A 或 25 A 三相輸入整流器 PIM（功率集成模塊），以及EasyPACK??2B 1200 V 100 A 六單元?IGBT 模塊。新模塊使用的引出線與TRENCHSTOP IGBT4 模塊的相同，幫助設(shè)計(jì)工程師減少了設(shè)計(jì)工作量。在相同尺寸的封裝中，新模塊可提供更高輸出電流；換言之，新模塊在更小的封裝中，也能實(shí)現(xiàn)類似的輸出電流，從而滿足用戶對(duì)更緊湊逆變器的設(shè)計(jì)需求。各類型模塊均采用英飛凌高度可靠的 PressFit 安裝技術(shù)，可降低歐姆電阻，減少處理時(shí)間。

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TRENCHSTOP? IGBT7主要優(yōu)勢(shì)特性包括：

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·???????? 低損耗 - 全新芯片技術(shù)通過優(yōu)化低 V_ce(sat) 大幅減少了損耗

·???????? 專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用將 dv/dt 優(yōu)化為 2-8kV/μs

·???????? 定制化短路設(shè)計(jì)，性能更優(yōu)，8μs @150℃ 足以滿足驅(qū)動(dòng)應(yīng)用所需

·???????? 根據(jù)應(yīng)用條件簡(jiǎn)化并優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)。僅使用柵極電阻即可實(shí)現(xiàn)控制

·???????? T_vjop增加至 175℃，功率密度更高

·???????? 同類最佳的 V_CE(sat)

·???????? 在 175℃ 下過載運(yùn)行

·???????? 針對(duì)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)一步優(yōu)化了可控性

·???????? 更高的功率密度 - 封裝縮小 35%，但功率不變

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英飛凌 1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 和發(fā)射極控制 EC7 二極管模塊可通過Farnell（歐洲、中東和非洲地區(qū)）、Newark（北美地區(qū)）和? e絡(luò)盟（亞太地區(qū)）購(gòu)買。