6月27日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“寬禁帶聯(lián)盟”）第三批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿評(píng)審會(huì)舉行，對(duì)6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿進(jìn)行評(píng)審。

據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟消息，與會(huì)專(zhuān)家一致同意以下6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿通過(guò)初審評(píng)定：

（1）《碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量自動(dòng)檢測(cè)方法》（牽頭單位：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司）

（2）《碳化硅單晶片表面質(zhì)量和微管密度的測(cè)試方法》（牽頭單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所）

（3）《半絕緣SiC電阻率非接觸測(cè)量方法》（牽頭單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所）

（4）《半導(dǎo)體單晶殘余應(yīng)力檢測(cè)方法》（牽頭單位：北京聚睿眾邦科技有限公司）

（5）《導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測(cè)試方法》（牽頭單位：中科鋼研節(jié)能科技有限公司）

（6）《功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置測(cè)試方法》（牽頭單位：中國(guó)科學(xué)院電工研究所）