日前，合肥安海半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱安海半導(dǎo)體）宣布，其研發(fā)的6.5kV/40mΩ與10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片獲浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院實驗檢驗和中國科學(xué)院電工研究所高頻場控功率器件及裝置產(chǎn)品質(zhì)量檢驗中心現(xiàn)場見證測試通過，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，兩款產(chǎn)品良率均突破80%大關(guān)，標志著中國企業(yè)在超高壓碳化硅領(lǐng)域達到世界領(lǐng)先水平。作為第三代半導(dǎo)體材料的核心應(yīng)用，碳化硅器件因高功率密度、耐高壓高溫、低能耗等優(yōu)勢，在智能電網(wǎng)、高端裝備等領(lǐng)域具有重要戰(zhàn)略價值，而6.5kV及以上超高壓碳化硅器件的制造存在工藝難度大、量產(chǎn)良率低等行業(yè)痛點。安海半導(dǎo)體依托深厚技術(shù)積累及上下游協(xié)同合作，成功攻克這一難題，成為全球率先以高良率量產(chǎn)上述兩款超高壓芯片的廠商之一。

檢測報告顯示，本次量產(chǎn)的兩款芯片性能表現(xiàn)突出，覆蓋高端電力電子高壓應(yīng)用區(qū)間。兩款產(chǎn)品均實現(xiàn)超高耐壓與低導(dǎo)通損耗的雙重優(yōu)勢，為高壓直掛應(yīng)用提供了理想核心器件。這一突破將改變多個高附加值行業(yè)電氣架構(gòu)：在綠色船舶與高鐵交通領(lǐng)域，可顯著降低牽引系統(tǒng)損耗，減小設(shè)備體積和重量，助力交通運輸領(lǐng)域綠色變革；在新型配電與算力供電領(lǐng)域，作為高壓直掛固態(tài)變壓器核心元件，可支撐智能電網(wǎng)建設(shè)，同時簡化算力中心供電架構(gòu)，打造節(jié)能型綠色算力基礎(chǔ)設(shè)施；在高壓柔性直流輸電領(lǐng)域，其應(yīng)用可將傳統(tǒng)串聯(lián)器件數(shù)量減少60%以上，簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，助力我國電力裝備產(chǎn)業(yè)擺脫對進口IGBT器件的依賴，實現(xiàn)“換道超車”。

安海半導(dǎo)體負責(zé)人黃昕表示，此次10kV芯片高良率量產(chǎn)，實現(xiàn)了我國在該領(lǐng)域從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的跨越，未來將繼續(xù)拓展高壓碳化硅應(yīng)用邊界，積極推進“產(chǎn)學(xué)研用”創(chuàng)新體系，提供更優(yōu)質(zhì)的功率解決方案，服務(wù)國家重大戰(zhàn)略需求、賦能產(chǎn)業(yè)升級。

目前，安海半導(dǎo)體首批10kV碳化硅MOSFET芯片已順利出貨。黃昕表示，安海半導(dǎo)體正攜手下游頭部客戶，加速推進器件封裝、驅(qū)動等相關(guān)技術(shù)進步，推動該芯片在船舶、高鐵、算力中心及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用落地。