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CDR電路與抖動，實際數(shù)據(jù)傳送位置相對于所期望位置的偏移實現(xiàn)
知識體系的復(fù)雜性：模電涉及更多的專業(yè)知識和技能，包括半導(dǎo)體物理、放大器原理、負反饋技術(shù)、頻率響應(yīng)分析等，而電路分析主要涉及基本電路元件的行為和分析。
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你想過沒有：輸入濾波電容可能引起什么問題？
一直以來，濾波電容都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)頌V波電容的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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并聯(lián)電阻的特性有哪些？并聯(lián)電阻有什么問題？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對并聯(lián)電阻的相關(guān)消息予以報道，如果電阻是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何并聯(lián)使用IGBT？電流計算公式+影響圖例！
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT并聯(lián)使用的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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AD轉(zhuǎn)換器位數(shù)對測量誤差是否有影響？設(shè)計個電路實證一下！
本文中，小編將對AD轉(zhuǎn)換器位數(shù)對測量誤差的影響予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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探索硅摻雜對塊體 GaN 熱導(dǎo)率的影響
寬帶隙半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學(xué)特性，可用于各種電子和光電設(shè)備。然而，與其他半導(dǎo)體相比，其固有熱導(dǎo)率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導(dǎo)率。
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室溫下石墨烯的鐵磁性
石墨烯是一種以蜂窩狀晶格排列的單層碳原子，在自旋電子學(xué)中具有重要應(yīng)用。石墨烯具有較長的自旋壽命(指電子保持自旋狀態(tài)的時間)和較高的電子遷移率(使電子能夠快速移動)。這些因素對于自旋電子學(xué)至關(guān)重要，自旋電子學(xué)是一門探索利用電子自旋進行信息處理的領(lǐng)域。
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使用新型零漂移運算放大器，針對無論溫度如何變化都能實現(xiàn)高精度
運算放大器 (Op-Amp) 是工業(yè)和消費電子產(chǎn)品中的基本元件，其用途廣泛，從簡單的任務(wù)(如基本放大和緩沖)到復(fù)雜的功能(如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換、音頻處理和傳感器信號放大)。盡管運算放大器無處不在，但其一直存在一個問題，即熱漂移 — 即放大器的輸入失調(diào)電壓隨時間和溫度波動而變化的現(xiàn)象。
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石墨烯中電子和空穴的化學(xué)勢介紹
石墨烯在導(dǎo)電機制(電子和空穴)方面與半導(dǎo)體的行為相似，但不同之處在于它在絕對零度時不是絕緣體。在本教程中，我們將了解量子統(tǒng)計力學(xué)可以告訴我們什么。
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模擬仿真：給定粒子數(shù)的“費米氣體”模型的極限
我們通過費米理想氣體模型解釋了半導(dǎo)體的行為，考慮了兩個不同的物理系統(tǒng)：電子和空穴。我們認為，這有點牽強，在本教程中，我們引入了具有可變粒子數(shù)的理想費米氣體的概念。
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PN 結(jié)熱行為虛擬實驗
在許多研究 pn 結(jié)中電流隨溫度變化的實驗室實驗中，反向飽和電流被假定為常數(shù)。這是一個近似值，因為這個量很大程度上取決于溫度。在更現(xiàn)實的情況下，我們建議在 Mathematica 計算環(huán)境中進行虛擬/計算實驗。
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不會設(shè)計電平轉(zhuǎn)換電路？3個電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計實例分享
在下述的內(nèi)容中，小編將會對電平轉(zhuǎn)換電路的相關(guān)消息予以報道，如果電平轉(zhuǎn)換電路是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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齊納二極管和雪崩二極管原理
瞬態(tài)電壓抑制二極管(Transient voltage suppression diode)也稱為TVS二極管，是一種保護用的電子零件，可以保護電器設(shè)備不受導(dǎo)線引入的電壓尖峰破壞
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TVS的反向脈沖峰值功率PPR與經(jīng)受浪涌的脈沖波形的關(guān)系
單向TVS的正向特性與普通穩(wěn)壓二極管相同，反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿，為典型的PN結(jié)雪崩器件。
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大面積燒結(jié)高性能功率模塊封裝技術(shù)
傳統(tǒng)上，硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金屬陶瓷基板上，使用鋁線鍵合作為互連技術(shù)，并使用焊膏或?qū)峁柚瑢⒐β誓K連接到底板或冷卻器。這種結(jié)構(gòu)如圖1(左)所示。
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