微電子學院周鵬教授團隊針對具有重大需求的3-5納米節(jié)點晶體管技術，驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術途徑。

相關成果以《0.6/1.2納米溝道厚度的高驅(qū)動低泄漏電流多橋溝道晶體管》（High Drive and Low Leakage Current MBC FET with Channel Thickness 1.2nm/0.6nm）為題在第66屆國際電子器件大會（IEDM，International Electron Device Meeting）上北京時間12月16日在線發(fā)布。IEDM是微電子器件領域的國際頂級會議，是國際學術界和頂尖半導體公司的研發(fā)人員發(fā)布先進技術和最新進展的重要窗口。