北京時(shí)間1月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和IBM本周五分別宣布，已經(jīng)通過(guò)新技術(shù)解決了長(zhǎng)期困擾芯片行業(yè)的一大難題，確保未來(lái)的芯片變得體積更小、功能更強(qiáng)大。分析師認(rèn)為，這是過(guò)去40年里晶體管技術(shù)最大的突破之一。

　　英特爾周五表示，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出新材料來(lái)制造晶體管，從而可以解決長(zhǎng)期困擾芯片技術(shù)發(fā)展的電子泄漏和發(fā)熱問(wèn)題。與當(dāng)前材料相比，新材料可以降低晶體管電子泄漏10倍以上，提升晶體管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹•哈奇森(Dan Hutcheson)表示：“自上世紀(jì)60年代以來(lái)，我們從未改變過(guò)制造晶體管的基礎(chǔ)材料。因此，這無(wú)疑是一個(gè)巨大的突破?！?

　　哈奇森同時(shí)表示：“新技術(shù)將讓摩爾定律得以延續(xù)?！庇⑻貭柭?lián)合創(chuàng)始人高頓•摩爾(Gordon Moore)1965年提出，單位面積芯片上的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡暝黾右槐?，這就是著名的摩爾定律。多年以來(lái)，芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直遵循著這一規(guī)律。但是，隨著芯片體積越來(lái)越小，發(fā)熱量成為制約芯片技術(shù)發(fā)展的一大瓶頸，很多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，摩爾定律將成為歷史。

　　晶體管新技術(shù)的推出，意味著英特爾、IBM和其它廠商可以采用更先進(jìn)的技術(shù)，例如45納米生產(chǎn)工藝來(lái)生產(chǎn)下一代芯片。英特爾表示，該公司將于今年底把新技術(shù)用于新型處理器，從而獲得更大的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。英特爾數(shù)字企業(yè)集團(tuán)副總裁史蒂夫•史密斯(Steve Smith)表示：“我們相信，這些新產(chǎn)品可以提供更高的性能。與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，它們?cè)诿襟w應(yīng)用方面的性能提升將達(dá)到兩位數(shù)百分比?！?

　　IBM預(yù)計(jì)，該公司的新技術(shù)將于明年用于AMD和東芝等合作伙伴的芯片。研究人員認(rèn)為，通過(guò)英特爾和IBM研發(fā)的新技術(shù)，芯片生產(chǎn)工藝至少還可以再進(jìn)步兩代，達(dá)到22納米?，F(xiàn)有的晶體管主要采用基于硅的材料，隨著晶體管體積的縮小，目前的材料層僅有5個(gè)原子厚，由此必然會(huì)導(dǎo)致大量電子泄漏，并產(chǎn)生不必要的熱量。