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[導(dǎo)讀]隨著高階MOSFET、IGBT、高階分離式元件等積極從6吋轉(zhuǎn)進(jìn)8吋晶圓制程,臺積電說要蓋8吋新廠,世界先進(jìn)也正在尋覓并購標(biāo)的,希望進(jìn)一步擴(kuò)大8吋晶圓產(chǎn)出,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓持續(xù)醞釀漲勢,估明年上半年漲幅可望達(dá)兩位數(shù)的水準(zhǔn)。

隨著高階MOSFET、IGBT、高階分離式元件等積極從6吋轉(zhuǎn)進(jìn)8吋晶圓制程,臺積電說要蓋8吋新廠,世界先進(jìn)也正在尋覓并購標(biāo)的,希望進(jìn)一步擴(kuò)大8吋晶圓產(chǎn)出,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓持續(xù)醞釀漲勢,估明年上半年漲幅可望達(dá)兩位數(shù)的水準(zhǔn)。

8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出,8吋訂單依舊滿載,不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象,稼動率有松動的情況。據(jù)悉,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢,漲幅可望達(dá)到10%以上,而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數(shù)附近。

合晶說,目前公司因?yàn)楫a(chǎn)能有限,因此采取每半年簽訂合約一次,明年上半年延續(xù)漲價走勢的以8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓為主,包括電源管理晶片、車用電子、高階分離式元件、MOSFET(金氧半場效電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等高功率元件。

合晶上海松江廠因配合當(dāng)?shù)厥姓?guī)劃而于11月底關(guān)廠停產(chǎn),暫時由其他廠的產(chǎn)能因應(yīng),近來已積極在鄰近尋覓新址,規(guī)劃購買舊廠并把既有的生產(chǎn)設(shè)備移入,也會增添新的設(shè)備,一樣生產(chǎn)4、5吋半導(dǎo)體矽晶圓為主要產(chǎn)品。

臺勝科指出,明年第1季接單與稼動率維持滿載,價格也持續(xù)往上走高,第2季的接單狀況要等到農(nóng)歷年后才會較為明朗,以目前的市場氣氛來看,8吋的需求將更勝于12吋。

分離式元件大廠透露,現(xiàn)在觀察到磊晶矽晶圓的供給情況比較沒有先前這么緊張,但是就8吋拋光矽晶圓的供應(yīng)而言,供應(yīng)情況還是沒有松動跡象,不過近來開始步入傳統(tǒng)淡季,先前MOSFET市場出現(xiàn)過熱、「overbooking」明顯,明年第1季是否會陷入庫存的疑慮,值得關(guān)注。

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