Si875x隔離型FET驅動器系列產品有效降低工業(yè)和汽車繼電器替代應用中的成本和復雜性

Silicon Labs(亦名“芯科科技”，NASDAQ: SLAB)日前推出了基于CMOS技術的突破性隔離型場效應晶體管(FET)驅動器家族產品，這使得開發(fā)人員能夠使用自己選擇的特定應用和高容量的FET去替代過時的機電繼電器(EMR)和基于光耦合器的固態(tài)繼電器(SSR)。新型Si875x系列產品是業(yè)內首款隔離型FET驅動器，設計旨在利用集成的CMOS隔離柵傳輸電源，這消除了通常所需的隔離的次級側開關電源，減少了系統成本和復雜性。當與分立FET搭配時，Si875x驅動器提供業(yè)內一流的EMR/SSR替代解決方案，適用于電機和閥門控制器、HVAC繼電器、電池監(jiān)控、交流干線與通信交換機、HEV/EV汽車充電系統和其他工業(yè)和汽車應用等。

開發(fā)人員傳統上在開關應用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且這兩種技術都有局限性。EMR是昂貴、慢速、笨重和產生噪聲的，EMR的這些劣勢導致SSR的使用上有兩位數增長率，但是即使這樣也面臨諸多挑戰(zhàn)?；诠怦詈掀鞯腟SR有固有的限制，例如由于LED老化而導致更短使用壽命、更高溫度時降低性能和可靠性、較差的噪聲抗干擾性。另外，它們也只能選擇受限的集成FET，進一步損害了性能、成本和功耗。

Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔離型FET驅動器提供了更好的選擇，能夠為使用SSR或EMR的應用降低系統成本和功耗，增強系統性能。因為Si875x驅動器不使用LED或光學元件，它們提供整個使用壽命和溫度范圍的極佳穩(wěn)定性。極小封裝的Si875x器件提供完全無聲的開關特性，這使得它們成為笨重EMR的理想替代解決方案，這些EMR通常受限于電子開關噪聲、老化問題，以及量產帶來的挑戰(zhàn)問題。

Si875x器件通過使用標稱10.3V、極低1mA輸入電流和1.1ms響應時間來驅動FET門。增加輸入電流到10mA可實現極快的94µs接通時間。獨特的電源優(yōu)化選項能夠快速獲得最大導通電流，然后一旦可選的外部電容放電時，靜態(tài)保持電流最多可降低到最大導通電流的90%。靈活的2.25至5.5V的輸入側電壓支持平滑連接到低功率控制器。Si875x驅動器也具有可選的米勒鉗位能力，防止外部FET的意外開啟。

Si875x器件具有2.5kVrms隔離等級，能夠在整個工業(yè)和汽車級溫度范圍(高達+125℃)進行操作，設計符合嚴格的UL、CSA、VDE、CQC標準。多功能輸入提供數字CMOS引腳控制(Si8751器件)或二極管仿真(Si8752器件)，能夠很好的適應目標應用，并且靈活的輸出支持AC和DC負載配置。

Silicon Labs電源產品副總裁Ross Sabolcik表示：“憑借獨一無二的將功能強大、可靠的基于CMOS的隔離技術和通過隔離柵傳輸電源整合的創(chuàng)新能力，Silicon Labs的Si875x驅動器為陳舊的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解決方案。新型Si875x家族產品為開發(fā)人員選擇應用所需的具有成本效益的FET提供了極大靈活性，也為最先進的固態(tài)開關帶來最簡單的遷移方案。”

Si875x隔離型FET驅動器系列產品優(yōu)勢特點

· 業(yè)內首款基于CMOS的隔離型SSR解決方案，支持特定應用的FET。

· 一流的噪聲抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔離等級。

· 高壓條件下長使用壽命(1000V條件下可達100年)。

· 高效開關：10.3V門電壓，僅僅1mA輸入電流。

· 2.25至5.5V寬輸入電壓可實現節(jié)能。

· 獨特引腳特性可在功耗/開關時間之間優(yōu)化權衡。

· 米勒鉗位防止外部FET意外開啟。

· 小型SOIC-8封裝，集成了隔離和用于低功耗應用的功率電容器。

· AEC-Q100認證的汽車級器件選項。

價格和供貨

Si875x隔離型FET驅動器樣片現已供貨，并且計劃在2016年11月量產。Si875x器件支持小型SOIC-8封裝、工業(yè)級(-40°C至+105℃)或汽車級(-40°C至+125℃)環(huán)境溫度工作范圍選項。在一萬片采購量時，工業(yè)級器件單價為0.96美元起，汽車級器件單價為1.20美元起。Si8751-KIT(數字輸入)和Si8752-KIT(LED仿真輸入)評估套件現已供貨，零售價均為39.99美元。