英飛凌推出集成式半橋解決方案CoolGaN? Drive HB 600 V G5，進一步提升氮化鎵的易用性

【2026年3月4日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列，進一步擴大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個600V氮化鎵(GaN)開關(guān)，帶有高低側(cè)柵極驅(qū)動器與自舉二極管，提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級，進一步降低設(shè)計復(fù)雜度。

充電器中同步整流需外置MOS的場景解析

同步整流技術(shù)作為現(xiàn)代充電器提升轉(zhuǎn)換效率、降低發(fā)熱量的核心方案，其核心邏輯是用導(dǎo)通電阻極低的MOSFET替代傳統(tǒng)整流二極管，通過精準(zhǔn)控制MOSFET的通斷時序，大幅減少整流環(huán)節(jié)的功率損耗——相比二極管整流，同步整流方案可使充電器效率提升2~5%，溫度降低約15℃，這也是快充技術(shù)普及的關(guān)鍵支撐之一。同步整流MOS的部署方式分為內(nèi)置與外置兩種，內(nèi)置MOS因集成度高、成本可控，廣泛應(yīng)用于中低功率普通充電器，但在諸多特定場景下，外置MOS成為必然選擇。本文將結(jié)合充電器功率需求、性能指標(biāo)、應(yīng)用環(huán)境等核心因素，詳細(xì)解析同步整流需外置MOS的具體場景，幫助理解其選型邏輯與技術(shù)價值。

二極管過電流失效與過電壓失效的區(qū)分方法

二極管作為電子電路中最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件，憑借單向?qū)ㄌ匦詮V泛應(yīng)用于整流、穩(wěn)壓、開關(guān)等場景，其可靠性直接決定整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。在實際應(yīng)用中，過電流和過電壓是導(dǎo)致二極管失效的兩大主要誘因，二者雖均會造成二極管損壞、電路異常，但失效機理、外觀特征、電性能變化及誘發(fā)條件存在顯著差異。準(zhǔn)確區(qū)分這兩種失效模式，不僅能快速定位故障根源、縮短維修周期，還能優(yōu)化電路保護設(shè)計、降低失效概率。

二極管的反向恢復(fù)時間詳解

在低頻整流電路中，二極管的反向恢復(fù)時間似乎是一個無關(guān)緊要的參數(shù)。然而，當(dāng)開關(guān)頻率提升到幾十kHz甚至MHz級別時，反向恢復(fù)時間就會成為決定電路效率、EMI性能和可靠性的核心因素。例如，在一個100kHz的開關(guān)電源中，二極管的反向恢復(fù)損耗可能占到總損耗的30%以上，甚至?xí)?dǎo)致電路產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。深入理解二極管反向恢復(fù)時間的原理、影響因素與優(yōu)化策略，是設(shè)計高效、可靠的高速開關(guān)電路的關(guān)鍵。

Vishay推出采用SOT-227封裝的100 V Gen 2 TMBS?整流模塊，正向壓降低至0.83 V

器件提供即插即用的替換方式，降低導(dǎo)通損耗，提高工業(yè)應(yīng)用的效率

特瑞仕半導(dǎo)體株式會社發(fā)布耐浪涌電流強的肖特基勢壘二極管

二極管反向恢復(fù)過程的原理與應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)元件，其開關(guān)特性對電路性能至關(guān)重要。然而，當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止?fàn)顟B(tài)時，會經(jīng)歷一個被稱為“反向恢復(fù)”的動態(tài)過程。這一現(xiàn)象不僅影響電路效率，還可能引發(fā)電壓尖峰、電磁干擾等問題，尤其在高速開關(guān)電路中尤為突出。

超詳細(xì)解析！電源防反接電路

在電子設(shè)備的設(shè)計與使用過程中，電源正負(fù)極接反是常見的操作失誤，可能導(dǎo)致電路損壞、元件燒毀甚至引發(fā)安全事故。因此，設(shè)計有效的電源防反接電路，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行，成為硬件工程師的重要任務(wù)。

專為12 V電池防反接設(shè)計的保護器件TPSMB非對稱瞬態(tài)抑制二極管

創(chuàng)新設(shè)計使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管，同時確?？煽康谋Ｗo功能，非常適合各種需要12V電池防反接保護的汽車應(yīng)用

快速軟恢復(fù)二極管如何減少開關(guān)損耗，從而提升了電路的整體效率

快速軟恢復(fù)二極管是普通整流管的派生器件，其基本結(jié)構(gòu)及電氣符號與普通整流管一致，通過特殊制造工藝提升開關(guān)速度，并在反向恢復(fù)過程中保持較小反向恢復(fù)電流下降率，呈現(xiàn)軟恢復(fù)特性 。

二極管反向恢復(fù)過程原理詳解

在電力電子與高頻開關(guān)電路中，二極管的反向恢復(fù)過程是影響系統(tǒng)效率與可靠性的關(guān)鍵因素。當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止時，并非瞬時完成，而是存在一個動態(tài)過渡階段，這一過程被稱為反向恢復(fù)。理解其機理對優(yōu)化電路設(shè)計、降低損耗及避免電磁干擾至關(guān)重要。

二極管單向?qū)ǖ脑蛑钊肜斫鈫蜗驅(qū)щ娞匦?/a>

如何測量二極管的速度

該測試儀將測量二極管從開到關(guān)的切換速度。

如何測量并繪制二極管I-V特性曲線

二極管特性曲線(I - V曲線)顯示了通過二極管的電流(I)如何隨著電壓(V)的變化而變化。

Bourns 全新推出 21 款 TVS 二極管系列提供更廣泛的峰值電壓范圍，提升設(shè)計靈活性

全新系列具備先進性能，可提供有效的 ESD 保護，并提供體積緊湊的單向及雙向封裝選項

Pickering 125系列超高密度舌簧繼電器，新增多種外形尺寸，顯著提升了自動測試設(shè)備的通道密度

Pickering 125系列，新增1 Form A, 1 Form B, 1 Form C,及同軸型號，憑借業(yè)內(nèi)最小的雙刀單擲(DPST)舌簧繼電器，樹立了封裝密度的新標(biāo)桿

升壓PFC電感上的二極管的作用詳解

PFC二極管，作為功率因數(shù)校正（PFC）電路中的關(guān)鍵元件，其工作原理主要基于二極管的整流特性。在PFC電路中，二極管主要起到將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）的作用，以改善電源的功率因數(shù)。

二極管的頻率特性：從基礎(chǔ)理論到應(yīng)用實踐

在現(xiàn)代電子和通信系統(tǒng)中，二極管作為最基本的半導(dǎo)體器件之一，其頻率特性直接決定了電路的工作性能。從高頻整流到微波信號處理，二極管的頻率響應(yīng)特性是電路設(shè)計中的關(guān)鍵參數(shù)。

構(gòu)建一款迷你旋風(fēng)游戲

這款游戲是基于《旋風(fēng)》街機游戲，玩家試圖在一個特定的地點停止一個滾動的圓圈。

二極管開關(guān)瞬間 EMI 問題的本質(zhì)與成因解析

在電力電子設(shè)備、通信系統(tǒng)及工業(yè)控制電路中，二極管作為核心開關(guān)元件被廣泛應(yīng)用。然而，其在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間往往成為電磁干擾(EMI)的主要輻射源，導(dǎo)致設(shè)備性能下降、通信中斷甚至觸發(fā)電磁兼容(EMC)測試失敗。深入探究二極管開關(guān)瞬間 EMI 的產(chǎn)生機制，對于優(yōu)化電路設(shè)計、抑制干擾具有重要的工程意義。